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標(biāo)簽 > 半導(dǎo)體
半導(dǎo)體( semiconductor),指常溫下導(dǎo)電性能介于導(dǎo)體(conductor)與絕緣體(insulator)之間的材料。半導(dǎo)體在收音機、電視機以及測溫上有著廣泛的應(yīng)用。如二極管就是采用半導(dǎo)體制作的器件。半導(dǎo)體是指一種導(dǎo)電性可受控制,范圍可從絕緣體至導(dǎo)體之間的材料。無論從科技或是經(jīng)濟發(fā)展的角度來看,半導(dǎo)體的重要性都是非常巨大的。
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肖特基二極管由金屬到N結(jié)構(gòu)成,而不是由PN半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)成。肖特基二極管也稱為熱載流子二極管,其特點是開關(guān)時間快(反向恢復(fù)時間短)、正向壓降低(金屬硅結(jié)通常...
什么是控制系統(tǒng)以及如何設(shè)計DC-DC轉(zhuǎn)換器的控制回路
本文分為三個部分。前兩部分討論控制系統(tǒng)理論、一般降壓DC-DC轉(zhuǎn)換器拓?fù)湟约叭绾卧O(shè)計DC-DC控制環(huán)路。在第三部分中,我們以MAX25206為例,說明如...
2022-12-13 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器半導(dǎo)體控制器 3330 0
飛行時間系統(tǒng)設(shè)計的應(yīng)用概述
這是我們飛行時間(ToF)系列的第一篇文章,將概述連續(xù)波(CW)CMOS ToF相機系統(tǒng)技術(shù)及其相對于機器視覺應(yīng)用傳統(tǒng)3D成像解決方案的優(yōu)勢。后續(xù)文章將...
氮化鎵(GaN)是一種非常堅硬、機械穩(wěn)定的寬帶隙半導(dǎo)體?;贕aN的功率器件具有更高的擊穿強度、更快的開關(guān)速度、更高的導(dǎo)熱性和更低的導(dǎo)通電阻,其性能明顯...
InAs1-xSbx屬于III-V族化合物半導(dǎo)體合金材料,隨Sb組分含量的不同,室溫下可覆蓋3~12μm波長,并且InAsSb材料具有載流子壽命長、吸收...
PN結(jié):如下圖所示,N區(qū)電子向P區(qū)擴散,P區(qū)空穴向N區(qū)擴散。電子空穴相遇,將消失。于是交界處產(chǎn)生由不能移動的正負(fù)離子組成的空間電荷區(qū),稱為PN結(jié)、耗盡層。
碳化硅為代表的第三代寬禁帶半導(dǎo)體,可在更高溫度、電壓及頻率環(huán)境正常工作,同時消耗電力更少,持久性和可靠性更強,將為下一代更小體積、更快速度、更低成本、更...
按照存儲介質(zhì)的不同,現(xiàn)代數(shù)字存儲主要分為光學(xué)存儲器、磁性存儲器和半導(dǎo)體存儲器三類。光學(xué)存儲器包括 CD、DVD 等。磁性存儲器包含磁帶、軟盤、HDD 硬...
目前使用較多的燒結(jié)助劑是 Y2O3-MgO,但是仍不可避免地引入了氧雜質(zhì),因此可以選用非氧化物燒結(jié)助劑來替換氧化物燒結(jié)助劑,如 YF3-MgO、MgF2...
半導(dǎo)體二極管具有單向?qū)щ娦裕捎糜谡?、檢波、穩(wěn)定、混頻電路中。
高效的超高壓功率轉(zhuǎn)換設(shè)備(電壓>20kv)需要比硅的能隙大得多的半導(dǎo)體。寬帶隙(WBG)半導(dǎo)體碳化硅(SiC)已經(jīng)成熟成為電力電子的商業(yè)技術(shù)平臺,...
半導(dǎo)體存儲器是指通過對半導(dǎo)體電路加以電氣控制,使其具備數(shù)據(jù)存儲保持功能的半導(dǎo)體電路裝置。與磁盤和光盤裝置等相比,具有數(shù)據(jù)讀寫快、存儲密度高、耗電量少、耐...
基于垂直架構(gòu)的新型二維半導(dǎo)體/鐵電多值存儲器
二維層狀半導(dǎo)體材料得益于原子級薄的厚度,其受到靜電場屏蔽效應(yīng)大大減弱,利用門電壓可以對其電學(xué)性能進(jìn)行有效調(diào)控。利用二維層狀半導(dǎo)體材料構(gòu)建的多端憶阻晶體管...
通過調(diào)節(jié)CoP/CeOx p-n 結(jié)的電子結(jié)構(gòu)提升電化學(xué)析氫性能
大連理工大學(xué)劉立釗老師課題組 0 1 ? 引言 ? 在能源領(lǐng)域,氫能是解決能源危機的一種重要的清潔能源。從環(huán)保的角度,電解水是制備氫氣的有效途徑。然而,...
2022-11-24 標(biāo)簽:半導(dǎo)體電化學(xué)電子結(jié)構(gòu) 3080 0
閾值電壓是電子流經(jīng)通道所需的最小電壓。它用V表示千的場效應(yīng)管。此外,當(dāng)導(dǎo)電通道剛準(zhǔn)備連接到晶體管的源極和漏極觸點時,它是柵源電壓的值。這允許大量的電流流...
肖特基(Schottky)二極管也稱肖特基勢壘二極管(簡稱SBD),是由金屬與半導(dǎo)體接觸形成的勢壘層為基礎(chǔ)制成的二極管如圖 1所示,其主要特點是正向?qū)?..
CMOS全稱是Complementary Metal-Oxide-Semiconductor。中文學(xué)名為互補金屬氧化物半導(dǎo)體。
等離子體工藝廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體制造中。比如,IC制造中的所有圖形化刻蝕均為等離子體刻蝕或干法刻蝕,等離子體增強式化學(xué)氣相沉積(PECVD)和高密度等離子體...
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