國(guó)內(nèi)廠(chǎng)商如何應(yīng)對(duì)半導(dǎo)體“下行周期”？

一家國(guó)內(nèi)頭部MCU廠(chǎng)商稱(chēng)，公司在缺貨漲價(jià)時(shí)期已經(jīng)調(diào)整了銷(xiāo)售策略，基本退出低端消費(fèi)電子市場(chǎng)，全面轉(zhuǎn)向工業(yè)、汽車(chē)市場(chǎng)。因此，雖然公司也會(huì)受到市場(chǎng)下行周期的影...

2022-09-22 標(biāo)簽：半導(dǎo)體存儲(chǔ)芯片 853 0

晶圓級(jí)多層堆疊技術(shù)的可靠性管理

5D 封裝和 3D 封裝是兩種常用的晶圓級(jí)多層堆疊技術(shù)。2. 5D 封裝是將芯片封裝到 Si 中介層上，并利用 Si 中介層上的高密度走線(xiàn)進(jìn)行互連。

2022-09-22 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶圓封裝技術(shù) 1760 0

矽力杰LIN總線(xiàn)保護(hù)方案

LIN網(wǎng)絡(luò)作為串行通訊網(wǎng)絡(luò)，用于實(shí)現(xiàn)汽車(chē)中的分布式電子系統(tǒng)控制，它是現(xiàn)有汽車(chē)CAN網(wǎng)絡(luò)功能的補(bǔ)充。LIN總線(xiàn)有效降低了汽車(chē)制造成本，提升了系統(tǒng)結(jié)構(gòu)的靈活...

2022-09-21 標(biāo)簽：半導(dǎo)體CAN總線(xiàn)LIN總線(xiàn) 1457 0

線(xiàn)性穩(wěn)壓器直通電流導(dǎo)致的啟動(dòng)故障

在由內(nèi)置折返式限流電路的線(xiàn)性穩(wěn)壓器供電的電路模塊中，流過(guò)較大的峰值電流（如直通電流）時(shí)，可能會(huì)發(fā)生啟動(dòng)故障。

2022-09-21 標(biāo)簽：電源電流半導(dǎo)體 617 0

功率電子封裝結(jié)構(gòu)詳解

封裝技術(shù)是一種將芯片與承載基板連接固定、引出管腳并將其塑封成整體功率器件或模塊的工藝，主要起到電氣連接、結(jié)構(gòu)支持和保護(hù)、提供散熱途徑等作用[4]。封裝作...

2022-09-21 標(biāo)簽：半導(dǎo)體封裝功率電子 3267 0

EDA的下一次復(fù)興有哪些重大機(jī)遇？

EDA 承受著來(lái)自多方面的巨大壓力。技術(shù)正在快速發(fā)展，而 EDA 是難題的基本組成部分，它使我們能夠轉(zhuǎn)向更小的幾何形狀。

2022-09-21 標(biāo)簽：半導(dǎo)體eda機(jī)器學(xué)習(xí) 640 0

半導(dǎo)體制造的合金化熱處理工藝

合金化熱處理是一種利用熱能使不同原子彼此結(jié)合成化學(xué)鍵而形成金屬合金的一種加熱工藝，半導(dǎo)體制造過(guò)程中已經(jīng)使用了很多合金工藝，自對(duì)準(zhǔn)金屬硅化物工藝過(guò)程中一般...

2022-09-21 標(biāo)簽：半導(dǎo)體工藝熱處理 6028 0

RISC-V的基礎(chǔ)知識(shí)

芯片 是所有半導(dǎo)體元器件的統(tǒng)稱(chēng)，它是把一定數(shù)量的常用電子元件（如電阻，電容，晶體管等），通過(guò)半導(dǎo)體工藝集成在一起，具有特定功能的電路。

2022-09-19 標(biāo)簽：半導(dǎo)體cpuRISC-V 2375 0

集成電路與芯片的區(qū)別

區(qū)別：制作方式不同，外形及封裝不同，作用不同。

2022-09-16 標(biāo)簽：芯片集成電路半導(dǎo)體 4.2萬(wàn) 0

基于金屬納米線(xiàn)非共線(xiàn)自旋計(jì)算

Nanodcal是一款基于非平衡態(tài)格林函數(shù)-密度泛函理論（NEGF - DFT）的第一性原理計(jì)算軟件，主要用于模擬器件材料中的非線(xiàn)性、非平衡的量子輸運(yùn)過(guò)...

2022-09-15 標(biāo)簽：半導(dǎo)體模擬器件電子器件 1329 0

PN結(jié)的基礎(chǔ)知識(shí)

為啥說(shuō)PN結(jié)是基礎(chǔ)呢?

2022-09-15 標(biāo)簽：半導(dǎo)體MOS管PN結(jié) 5360 0

計(jì)算和分析具有HfO2介電區(qū)絕緣硅（SOI）器件的電學(xué)特性

場(chǎng)效應(yīng)管（FET）是利用控制輸入回路的電場(chǎng)效應(yīng)來(lái)控制輸出回路電流的一種半導(dǎo)體器件，即柵源電壓VG控制漏極電流ID。

2022-09-09 標(biāo)簽：半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管模擬器件 2200 0

熱激活的反Kasha躍遷為改善并苯分子的發(fā)光性質(zhì)提供新路徑

并苯是一類(lèi)由苯環(huán)線(xiàn)性稠合而成的多環(huán)芳烴，因其獨(dú)特的分子結(jié)構(gòu)與優(yōu)異的光電性質(zhì)在有機(jī)半導(dǎo)體材料等領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用前景與研究?jī)r(jià)值。

2022-09-08 標(biāo)簽：半導(dǎo)體光電器件光譜 1857 0

一文詳細(xì)了解三極管

三極管(BJT)是一種電流控制型半導(dǎo)體器件，由兩個(gè)PN結(jié)組成，兩個(gè)PN結(jié)把整塊半導(dǎo)體分成三部分，中間部分是基區(qū)，兩側(cè)部分是發(fā)射區(qū)和集電區(qū)。

2022-09-06 標(biāo)簽：三極管半導(dǎo)體pnp 1.8萬(wàn) 0

晶圓需求暴增，晶圓廠(chǎng)如何快速增加晶圓產(chǎn)量？

大多數(shù)成熟的晶圓廠(chǎng)都知道他們有性能問(wèn)題，需要更多關(guān)于根源的信息。為了開(kāi)發(fā)解決其特定問(wèn)題的解決方案，他們必須超越一般化，并確定在工具級(jí)別出現(xiàn)瓶頸的方式和位置。

2022-09-05 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶圓 2185 0

半導(dǎo)體生產(chǎn)中的高壓氧化工藝和氧化層測(cè)量技術(shù)

高壓氧化必須使用特殊的硬件條件，下圖是高壓氧化系統(tǒng)的說(shuō)明圖。由于硬件條件的復(fù)雜性和安全因素，先進(jìn)半導(dǎo)體生產(chǎn)中并不常使用高壓氧化技術(shù)。

2022-09-02 標(biāo)簽：半導(dǎo)體工藝氧化 4420 0

如何使你的電源設(shè)計(jì)小型化？

如果需要其他功能，例如可調(diào)輸出電壓或可調(diào)軟啟動(dòng)時(shí)間，則會(huì)增加無(wú)源元件的數(shù)量，從而增加整體解決方案的空間要求。圖 1中的電路是一個(gè)開(kāi)關(guān)型降壓轉(zhuǎn)換器示例，所...

2022-08-31 標(biāo)簽：半導(dǎo)體電源設(shè)計(jì)開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器 648 0