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標(biāo)簽 > 半導(dǎo)體

半導(dǎo)體

半導(dǎo)體

+關(guān)注331人關(guān)注

半導(dǎo)體( semiconductor),指常溫下導(dǎo)電性能介于導(dǎo)體(conductor)與絕緣體(insulator)之間的材料。半導(dǎo)體在收音機(jī)、電視機(jī)以及測溫上有著廣泛的應(yīng)用。如二極管就是采用半導(dǎo)體制作的器件。半導(dǎo)體是指一種導(dǎo)電性可受控制,范圍可從絕緣體至導(dǎo)體之間的材料。無論從科技或是經(jīng)濟(jì)發(fā)展的角度來看,半導(dǎo)體的重要性都是非常巨大的。

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半導(dǎo)體技術(shù)

蝕刻工藝課堂素材分享(4)(上)

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figure class=imageimg src=https://file.elecfans.com/web2/M00/59/8A/poYBAGLo3...

2022-08-02 標(biāo)簽:半導(dǎo)體蝕刻 5113 0

如何化解第三代半導(dǎo)體的應(yīng)用痛點(diǎn)

如何化解第三代半導(dǎo)體的應(yīng)用痛點(diǎn)

【導(dǎo)讀】在集成電路和分立器件領(lǐng)域,硅始終是應(yīng)用最廣泛、技術(shù)最成熟的半導(dǎo)體材料,但硅材料技術(shù)的成熟恰恰意味著難以突破瓶頸。為了打破固有屏障,半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)進(jìn)一...

2022-08-02 標(biāo)簽:集成電路MOSFET半導(dǎo)體 1947 0

揭秘半導(dǎo)體制造全流程(上篇)

揭秘半導(dǎo)體制造全流程(上篇)

當(dāng)聽到“半導(dǎo)體”這個(gè)詞時(shí),你會(huì)想到什么?它聽起來復(fù)雜且遙遠(yuǎn),但其實(shí)已經(jīng)滲透到我們生活的各個(gè)方面:從智能手機(jī)、筆記本電腦、信用卡到地鐵,我們?nèi)粘I钏蕾?..

2022-08-01 標(biāo)簽:半導(dǎo)體晶圓制造 3950 0

IC集成推動(dòng)實(shí)現(xiàn)平板相控陣天線設(shè)計(jì)

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本文將簡要描述相控陣芯片組的發(fā)展如何推動(dòng)平面相控陣天線的實(shí)現(xiàn),并采用示例輔助解釋和說明。

2022-08-01 標(biāo)簽:半導(dǎo)體天線相控陣天線 1459 0

三分鐘看懂二極管的所有基礎(chǔ)知識(shí)點(diǎn)

三分鐘看懂二極管的所有基礎(chǔ)知識(shí)點(diǎn)

電子元件家族當(dāng)中,有一種只允許電流由單一方向流過,具有兩個(gè)電極的元件,稱為二極管。英語:Diode

2022-08-01 標(biāo)簽:二極管半導(dǎo)體晶體二極管 9137 0

關(guān)于SiC MOSFET短路Desat保護(hù)設(shè)計(jì)

富昌電子(Future Electronics)一直致力于以專業(yè)的技術(shù)服務(wù),為客戶打造個(gè)性化的解決方案,并縮短產(chǎn)品設(shè)計(jì)周期。在第三代半導(dǎo)體的實(shí)際應(yīng)用領(lǐng)域...

2022-07-30 標(biāo)簽:MOSFET半導(dǎo)體SiC 4108 0

氮化鎵 (GaN) 技術(shù):屬性、優(yōu)點(diǎn)、不同制造工藝及最新進(jìn)展

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本章將深入探討氮化鎵 (GaN) 技術(shù) :其屬性、優(yōu)點(diǎn)、不同制造工藝以及最新進(jìn)展。這種更深入的探討有助于我們了解 :為什么 GaN 能夠在當(dāng)今這個(gè)技術(shù)驅(qū)...

2022-07-29 標(biāo)簽:半導(dǎo)體氮化鎵GaN 2.0萬 0

使用寬帶隙推動(dòng)提高效率的下一代電源設(shè)計(jì)擴(kuò)大了性能差距

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功率轉(zhuǎn)換器中使用的半導(dǎo)體開關(guān)技術(shù)是改進(jìn)的關(guān)鍵,而使用碳化硅 (SiC) 和氮化鎵 (GaN) 的新型寬帶隙(WBG) 類型有望取得重大進(jìn)展。讓我們?cè)敿?xì)研...

2022-07-29 標(biāo)簽:電源半導(dǎo)體 474 0

混合IGBT支持電子應(yīng)用中的更高效率

混合IGBT支持電子應(yīng)用中的更高效率

傳統(tǒng)的 IGBT 在歷史上一直受到開關(guān)損耗的影響。為了高效運(yùn)行,IGBT 需要像硅 FRD 一樣的續(xù)流二極管 (FRD),如圖 1 所示。隨著 Rohm...

2022-07-29 標(biāo)簽:半導(dǎo)體IGBT肖特基二極管 2391 0

使用SiC器件在牽引應(yīng)用中提高效率

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牽引應(yīng)用中使用的半導(dǎo)體開關(guān)是實(shí)現(xiàn)高效率的關(guān)鍵部件。最新的半導(dǎo)體技術(shù)允許高開關(guān)頻率,并且在大多數(shù)其他功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中,這會(huì)帶來更小的磁性元件的好處,并與一些...

2022-07-29 標(biāo)簽:驅(qū)動(dòng)器半導(dǎo)體逆變器 1380 0

SiC半導(dǎo)體的熱穩(wěn)定性

SiC半導(dǎo)體的熱穩(wěn)定性

在這項(xiàng)研究中,我們將解釋在一定溫度范圍內(nèi)對(duì)碳化硅樣品進(jìn)行的本征電導(dǎo)率測量

2022-07-29 標(biāo)簽:半導(dǎo)體SiC 1801 0

如何提高熱性能和EMI性能

如何提高熱性能和EMI性能

雖然 GaN 器件可實(shí)現(xiàn)更高的功率密度,但仍有一些系統(tǒng)級(jí)問題需要解決,以實(shí)現(xiàn)高度可靠且適銷對(duì)路的適配器設(shè)計(jì)。正如每個(gè)電力電子工程師所知道的那樣,這些以熱...

2022-07-29 標(biāo)簽:驅(qū)動(dòng)器半導(dǎo)體emi 1052 0

分析用于電力電子的寬帶隙半導(dǎo)體

分析用于電力電子的寬帶隙半導(dǎo)體

使用寬帶隙半導(dǎo)體的技術(shù)可以滿足當(dāng)今行業(yè)所需的所有需求。顧名思義,它們具有更大的帶隙,因此各種電子設(shè)備可以在高電壓、高溫和高頻率下工作。碳化硅 (SiC)...

2022-07-29 標(biāo)簽:MOSFET半導(dǎo)體SiC 2159 0

分析寬帶隙半導(dǎo)體的計(jì)算模型

分析寬帶隙半導(dǎo)體的計(jì)算模型

了解半導(dǎo)體價(jià)帶和導(dǎo)帶的形成機(jī)制對(duì)于新材料生產(chǎn)的潛在技術(shù)影響至關(guān)重要。這項(xiàng)工作提出了一種寬帶隙計(jì)算模型,突出了理解能帶結(jié)構(gòu)的理論困難,然后將其與實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)進(jìn)...

2022-07-29 標(biāo)簽:半導(dǎo)體計(jì)算模型碳化硅 1584 0

肖特基勢壘二極管次線性行為分析的仿真

肖特基勢壘二極管次線性行為分析的仿真

隨著半導(dǎo)體行業(yè)的最新進(jìn)展,對(duì)具有金屬源極和漏極觸點(diǎn)的肖特基勢壘 (SB) MOSFET 的研究正在興起。在 SB MOSFET 中,源極和漏極構(gòu)成硅化物...

2022-07-29 標(biāo)簽:MOSFET半導(dǎo)體晶體管 1755 0

實(shí)現(xiàn)小型化電源設(shè)計(jì)的注意事項(xiàng)

小型化一直是電子行業(yè)的一個(gè)熱點(diǎn),對(duì)電源尤其重要。電源的質(zhì)量通常以單位體積的功率來衡量,本文討論了一些有助于實(shí)現(xiàn)小型化電源設(shè)計(jì)的注意事項(xiàng)。

2022-07-27 標(biāo)簽:半導(dǎo)體電源設(shè)計(jì)電感器 601 0

詳解單晶的制作方法

詳解單晶的制作方法

半導(dǎo)體制造中需要的單晶(單晶)是原子的規(guī)則排列。有多晶(許多小的單晶)和非晶硅(無序結(jié)構(gòu))。根據(jù)晶格的取向,硅片具有不同的表面結(jié)構(gòu),從而影響電荷載流子遷...

2022-07-26 標(biāo)簽:半導(dǎo)體單晶晶圓制造 4146 0

三極管基礎(chǔ)知識(shí)科普

三極管基礎(chǔ)知識(shí)科普

三極管,也就是半導(dǎo)體三極管,是一種控制電流的半導(dǎo)體器件,其作用就是吧微弱信號(hào)放大成幅度值較大的電信號(hào),也用作于無觸點(diǎn)開關(guān)。通常,三極管具有電流放大的作用...

2022-07-22 標(biāo)簽:三極管半導(dǎo)體 8543 0

半導(dǎo)體光刻的基礎(chǔ)知識(shí)

半導(dǎo)體光刻的基礎(chǔ)知識(shí)

光刻是在基板表面形成復(fù)雜設(shè)計(jì)或結(jié)構(gòu)的過程。光刻技術(shù)已經(jīng)作為一種制造技術(shù)使用了數(shù)百年。它最初是為印刷機(jī)開發(fā)的,現(xiàn)在已經(jīng)成功了作為一種被稱為光刻的微細(xì)制造技...

2022-07-21 標(biāo)簽:半導(dǎo)體制造技術(shù)光刻 2099 0

二極管器件中最常見和最基本的結(jié)構(gòu)

最簡單的電子設(shè)備是二極管。它通常被稱為半導(dǎo)體二極管,但從技術(shù)上講,二極管具有自己特定的電氣特性。所有電子設(shè)備都是如此。它們由獨(dú)特的電氣特性定義,即使可能...

2022-07-21 標(biāo)簽:二極管半導(dǎo)體載流子 2044 0

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  • ESP8266
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    wifi模塊ESP8266的默認(rèn)波特率是115200,但是單片機(jī)不能達(dá)到那么快的傳輸速率,只能使用4800bps,那么設(shè)置的時(shí)候,必不可少的要先用轉(zhuǎn)串口調(diào)試下載器。
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