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標(biāo)簽 > 半導(dǎo)體
半導(dǎo)體( semiconductor),指常溫下導(dǎo)電性能介于導(dǎo)體(conductor)與絕緣體(insulator)之間的材料。半導(dǎo)體在收音機(jī)、電視機(jī)以及測(cè)溫上有著廣泛的應(yīng)用。如二極管就是采用半導(dǎo)體制作的器件。半導(dǎo)體是指一種導(dǎo)電性可受控制,范圍可從絕緣體至導(dǎo)體之間的材料。無論從科技或是經(jīng)濟(jì)發(fā)展的角度來看,半導(dǎo)體的重要性都是非常巨大的。
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可燃?xì)怏w種類有天然氣、石油液化氣、煤氣、甲烷、乙烷、氫氣、丙烷、甲醇、乙醇、這些氣體不但易燃,也是最容易發(fā)生爆炸燃燒的,準(zhǔn)確檢測(cè)這些氣體相當(dāng)重要,其中使...
全氟烷氧基聚合物塑料具有各種獨(dú)特的特性,使其成為許多高純度應(yīng)用的理想材料。它對(duì)腐蝕性物質(zhì)的耐化學(xué)性很好,其光滑,低摩擦表面防止退化。由于其寬的溫度范圍,...
MOS管,即金屬(Metal)—氧化物(Oxide)—半導(dǎo)體(Semiconductor)場(chǎng)效應(yīng)晶體管,是一種應(yīng)用場(chǎng)效應(yīng)原理工作的半導(dǎo)體器件。
在這樣的安全運(yùn)行和安全模式環(huán)境下,安全運(yùn)行和安全模式對(duì)真正的最低能量模式提出了另一個(gè)巨大的挑戰(zhàn)和更強(qiáng)烈的需求。主要討論了基本的硬件和軟件解決方案——...
光電耦合器主要由三部分組成:光的發(fā)射、光的接收及信號(hào)放大。 光的發(fā)射部分主要由發(fā)光器件構(gòu)成,發(fā)光器件一般都是發(fā)光二極管,發(fā)光二極管加上正向電壓時(shí),能將電...
能夠在相同或更小的占用空間內(nèi)將 256 MB DDR SiP 升級(jí)到 512 MB 的 64M x 72 或 1 GB 的 128M x 72,從而...
半導(dǎo)體制造業(yè)面臨的最大挑戰(zhàn)之一是硅的表面污染薄片。最常見的是,硅晶片僅僅因?yàn)楸┞对诳諝庵卸晃廴?,空氣中含有高度的有機(jī)顆粒污染物。由于強(qiáng)大的靜電力,這些...
本文描述了我們?nèi)A林科納用于III族氮化物半導(dǎo)體的選擇性側(cè)壁外延的具有平面?zhèn)缺诳堂娴墓栉⒚缀图{米鰭的形成。通過濕法蝕刻取向的硅晶片生產(chǎn)鰭片。使用等離子體增...
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2022-07-07 標(biāo)簽:半導(dǎo)體 686 0
在半導(dǎo)體器件制造中,蝕刻指的是從襯底上的薄膜選擇性去除材料并通過這種去除在襯底上產(chǎn)生該材料的圖案的任何技術(shù),該圖案由抗蝕刻工藝的掩模限定,其產(chǎn)生在光刻中...
寬帶隙半導(dǎo)體GaN、ZnO和SiC的濕法化學(xué)腐蝕
寬帶隙半導(dǎo)體具有許多特性,這些特性使其對(duì)高功率、高溫器件應(yīng)用具有吸引力。本文綜述了三種重要材料的濕法腐蝕,即ZnO、GaN和SiC。雖然ZnO在包括HN...
如圖2-1,將一塊P型半導(dǎo)體與N型半導(dǎo)體相結(jié)合后,構(gòu)成PN結(jié)。P區(qū)與N區(qū)兩塊半導(dǎo)體之間形成了空間電荷區(qū)。(空間電荷區(qū)又稱阻擋層、耗盡層、勢(shì)壘區(qū))
二極管的應(yīng)用場(chǎng)景 如何選擇合適的二極管
電子設(shè)計(jì)基礎(chǔ)元器件 二極管,小小二極管,大大用途。。。.
蝕刻系統(tǒng)操作條件對(duì)晶片蝕刻速率和均勻性的影響
引言 正在開發(fā)化學(xué)下游蝕刻(CDE)工具,作為用于半導(dǎo)體晶片處理的含水酸浴蝕刻的替代物。對(duì)CDE的要求包括在接近電中性的環(huán)境中獲得高蝕刻速率的能力。高蝕...
CLL技術(shù)應(yīng)用于新材料和系統(tǒng)的制造和研究
化學(xué)提升光刻(CLL)是一種減法軟光刻技術(shù),它使用聚二甲基硅氧烷(PDMS)標(biāo)記來繪制功能分子的自組裝單層,應(yīng)用范圍從生物分子圖案到晶體管制造。在此我們...
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