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標(biāo)簽 > 半導(dǎo)體
半導(dǎo)體( semiconductor),指常溫下導(dǎo)電性能介于導(dǎo)體(conductor)與絕緣體(insulator)之間的材料。半導(dǎo)體在收音機(jī)、電視機(jī)以及測(cè)溫上有著廣泛的應(yīng)用。如二極管就是采用半導(dǎo)體制作的器件。半導(dǎo)體是指一種導(dǎo)電性可受控制,范圍可從絕緣體至導(dǎo)體之間的材料。無論從科技或是經(jīng)濟(jì)發(fā)展的角度來看,半導(dǎo)體的重要性都是非常巨大的。
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半導(dǎo)體精密劃片機(jī)在光電子器件中劃切應(yīng)用
半導(dǎo)體精密劃片機(jī)在光電子器件制造中扮演著至關(guān)重要的角色,其高精度、高效率與多功能性為光通信、光電傳感等領(lǐng)域帶來了革命性的技術(shù)突破。一、技術(shù)特性:微米級(jí)精...
半導(dǎo)體封裝檢測(cè)黑科技:0.2mm超細(xì)Pin針的“視覺獵手”來了!
行業(yè)困局:0.2mm 間距為何成檢測(cè) "生死線"?在半導(dǎo)體封裝領(lǐng)域,Pin 針檢測(cè)精度直接決定產(chǎn)品良率。當(dāng)芯片封裝密度突破 0.2m...
2025-03-28 標(biāo)簽:半導(dǎo)體光電檢測(cè)設(shè)備封裝檢測(cè) 237 0
EtherCAT轉(zhuǎn)CANopen網(wǎng)關(guān)在半導(dǎo)體固晶機(jī)設(shè)備上的應(yīng)用
EtherCAT轉(zhuǎn)CANopen網(wǎng)關(guān)在半導(dǎo)體固晶機(jī)設(shè)備上的應(yīng)用主要體現(xiàn)在以下幾個(gè)方面:實(shí)現(xiàn)設(shè)備間的無縫通信在半導(dǎo)體固晶機(jī)設(shè)備中,可能同時(shí)存在使用Ethe...
通過啟發(fā)式參數(shù)提取校準(zhǔn)半導(dǎo)體光放大器的TLM模型
通過大量仿真優(yōu)化了半導(dǎo)體光放大器模型的系統(tǒng)行為,在光增益與偏置電流、不同光輸入功率(-25 至 0 dBm)以及不同 I 偏置(0 至 180 mA)下...
光刻工藝貫穿整個(gè)芯片制造流程的多次重復(fù)轉(zhuǎn)印環(huán)節(jié),對(duì)于集成電路的微縮化和高性能起著決定性作用。隨著半導(dǎo)體制造工藝演進(jìn),對(duì)光刻分辨率、套準(zhǔn)精度和可靠性的要求...
本文詳細(xì)介紹了SiC MOSFET的動(dòng)態(tài)特性。包括閾值電壓特性、開通和關(guān)斷特性以及體二極管的反向恢復(fù)特性。此外,還應(yīng)注意測(cè)試波形的準(zhǔn)確性。
詳解晶圓級(jí)可靠性評(píng)價(jià)技術(shù)
隨著半導(dǎo)體工藝復(fù)雜度提升,可靠性要求與測(cè)試成本及時(shí)間之間的矛盾日益凸顯。晶圓級(jí)可靠性(Wafer Level Reliability, WLR)技術(shù)通過...
LU是 Latch Up的簡(jiǎn)寫,即閂鎖效應(yīng),也叫可控硅效應(yīng),表征芯片被觸發(fā)低阻抗通路后、電源VDD到GND之間能承受的最大電流。非車規(guī)芯片的規(guī)格書中通常...
我們提出了一個(gè)行波半導(dǎo)體光放大器 (TW-SOA) 中放大自發(fā)輻射 (ASE) 的模型。所提出的模型考慮了整個(gè) ASE 頻譜的傳播,還考慮了信號(hào)和 AS...
CMOS可靠性測(cè)試中的電荷泵和交流應(yīng)力技術(shù)解析
對(duì)于研究半導(dǎo)體電荷捕獲和退化行為來說,交流或脈沖應(yīng)力對(duì)典型的應(yīng)力測(cè)試是一個(gè)有用的補(bǔ)充。NBTI(負(fù)偏置溫度不穩(wěn)定性)和TDDB(隨時(shí)間變化的介電擊穿)試...
MOSFET(金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)是電子電路中常用的關(guān)鍵器件,尤其在開關(guān)電源、電機(jī)驅(qū)動(dòng)等領(lǐng)域應(yīng)用廣泛。對(duì)于初學(xué)者會(huì)遇到不知如何識(shí)別GDS極和...
為了補(bǔ)償光子不足,制造商可能會(huì)增加曝光劑量,這又會(huì)延長(zhǎng)光刻過程中停留的時(shí)間。然而,這種做法直接影響了生產(chǎn)效率,使得整個(gè)過程變得更慢,經(jīng)濟(jì)性降低。此外,隨...
氮化鈦(TiN)是一種具有金屬光澤的陶瓷材料,其晶體結(jié)構(gòu)為立方晶系,化學(xué)穩(wěn)定性高、硬度大(莫氏硬度9-10)、熔點(diǎn)高達(dá)2950℃。在半導(dǎo)體領(lǐng)域,TiN展...
PFIB技術(shù)在半導(dǎo)體領(lǐng)域中的應(yīng)用
新一代封裝技術(shù)中出現(xiàn)了嵌入多個(gè)芯片的復(fù)雜系統(tǒng)設(shè)計(jì)。倒裝芯片和銅柱互連、多MEMS-IC系統(tǒng)以及新型傳感器設(shè)計(jì)等技術(shù)的出現(xiàn),都體現(xiàn)了這一演變趨勢(shì)。這種技術(shù)...
【硬件設(shè)計(jì)】模擬電子基礎(chǔ)一元器件完整詳解
模擬電子基礎(chǔ)一--元器件介紹一、半導(dǎo)體(了解)1.1基礎(chǔ)知識(shí)1.2PN結(jié)二、二級(jí)管2.1定義與特性2.2二極管的分類三、三級(jí)管四、MOS管三、其他元器件...
鑄錠澆注法是較早出現(xiàn)的一種技術(shù),該方法先將硅料置于熔煉坩堝中加熱熔化,隨后利用翻轉(zhuǎn)機(jī)械將其注入模具內(nèi)結(jié)晶凝固,最初主要用于生產(chǎn)等軸多晶硅。近年來,為提升...
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