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標(biāo)簽 > 半導(dǎo)體
半導(dǎo)體( semiconductor),指常溫下導(dǎo)電性能介于導(dǎo)體(conductor)與絕緣體(insulator)之間的材料。半導(dǎo)體在收音機(jī)、電視機(jī)以及測(cè)溫上有著廣泛的應(yīng)用。如二極管就是采用半導(dǎo)體制作的器件。半導(dǎo)體是指一種導(dǎo)電性可受控制,范圍可從絕緣體至導(dǎo)體之間的材料。無(wú)論從科技或是經(jīng)濟(jì)發(fā)展的角度來(lái)看,半導(dǎo)體的重要性都是非常巨大的。
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CET半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)電力監(jiān)控及管理系統(tǒng)解決方案
CET中電技術(shù)積極響應(yīng)國(guó)家政策、深刻理解半導(dǎo)產(chǎn)業(yè)客戶的需求,推出了集設(shè)備監(jiān)測(cè)、能耗監(jiān)測(cè)、用能監(jiān)管、能效分析、設(shè)備運(yùn)維、碳資產(chǎn)管理等功能于一體的電力監(jiān)控及...
2025-05-27 標(biāo)簽:半導(dǎo)體管理系統(tǒng)電力監(jiān)控 181 0
導(dǎo)語(yǔ)薄膜晶體管(TFT)作為平板顯示技術(shù)的核心驅(qū)動(dòng)元件,通過(guò)材料創(chuàng)新與工藝優(yōu)化,實(shí)現(xiàn)了從傳統(tǒng)非晶硅向氧化物半導(dǎo)體、柔性電子的技術(shù)跨越。本文將聚焦于薄膜晶...
柵極氧化層在SiC MOSFET設(shè)計(jì)中的重要作用
碳化硅功率半導(dǎo)體在光伏、充電、電動(dòng)汽車(chē)等行業(yè)得到了廣泛應(yīng)用,其潛力毋庸置疑。然而,從當(dāng)前高功率碳化硅MOSFET來(lái)看,仍存在一個(gè)難題:即如何實(shí)現(xiàn)平衡性能...
半導(dǎo)體制造市場(chǎng)中鋼結(jié)構(gòu)承重基座的風(fēng)云變幻-江蘇泊蘇系統(tǒng)集成有限公司
在半導(dǎo)體制造這一前沿領(lǐng)域,每一次細(xì)微的技術(shù)變革都可能引發(fā)行業(yè)的巨大震動(dòng)。其中,鋼結(jié)構(gòu)承重基座作為保障設(shè)備穩(wěn)定運(yùn)行的關(guān)鍵基礎(chǔ),正經(jīng)歷著前所未有的風(fēng)云變幻,...
氮氧化鎵(Gallium Oxynitride,GaOxNy)是一種介于晶態(tài)與非晶態(tài)之間的化合物。其物化性質(zhì)可通過(guò)調(diào)控制備條件在氮化鎵(GaN)與氧化鎵...
互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS)技術(shù)是現(xiàn)代集成電路設(shè)計(jì)的核心,它利用了N型和P型MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)的互補(bǔ)特性來(lái)實(shí)現(xiàn)低功耗的電子...
相對(duì)傳統(tǒng)光源,LED具有的技術(shù)優(yōu)點(diǎn)還包括長(zhǎng)壽命、響應(yīng)快、潛在高光效、體積小以及窄光譜等優(yōu)點(diǎn)。但究其本質(zhì),在這眾多的優(yōu)點(diǎn)中,潛在的高光效、體積小和窄光譜這...
集成電路是現(xiàn)代信息技術(shù)的基石,而晶體管則是集成電路的基本單元。沿著摩爾定律發(fā)展,現(xiàn)代集成電路的集成度不斷提升,目前單個(gè)芯片上已經(jīng)可以集成數(shù)百億個(gè)晶體管。
半導(dǎo)體制冷機(jī)chiller在半導(dǎo)體工藝制程中的高精度溫控應(yīng)用解析
在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域,工藝制程對(duì)溫度控制的精度和響應(yīng)速度要求嚴(yán)苛。半導(dǎo)體制冷機(jī)chiller實(shí)現(xiàn)快速升降溫及±0.5℃精度控制。一、半導(dǎo)體制冷機(jī)chille...
在納米尺度集成電路制造領(lǐng)域,快速熱處理(RTP)技術(shù)已成為實(shí)現(xiàn)器件性能突破與工藝優(yōu)化的核心工具。相較于傳統(tǒng)高溫爐管工藝,RTP通過(guò)單片式作業(yè)模式與精準(zhǔn)的...
超短脈沖激光加工技術(shù)在半導(dǎo)體制造中的應(yīng)用
隨著集成電路高集成度、高性能的發(fā)展,對(duì)半導(dǎo)體制造技術(shù)提出更高要求。超短脈沖激光加工作為一種精密制造技術(shù),正逐步成為半導(dǎo)體制造的重要工藝。闡述了超短脈沖激...
無(wú)結(jié)場(chǎng)效應(yīng)晶體管器件的發(fā)展歷程
2010年,愛(ài)爾蘭 Tyndall 國(guó)家研究所的J.P.Colinge 等人成功研制了三柵無(wú)結(jié)場(chǎng)效應(yīng)晶體管,器件結(jié)構(gòu)如圖1.15所示。從此,半導(dǎo)體界興起...
溝道有效遷移率(μeff)是CMOS器件性能的關(guān)鍵參數(shù)。傳統(tǒng)測(cè)量方法在高k介質(zhì)、漏電介質(zhì)與高速應(yīng)用中易出現(xiàn)誤差。本文介紹了UFSP(Ultra-Fast...
芯片制造中自對(duì)準(zhǔn)接觸技術(shù)介紹
但當(dāng)芯片做到22納米時(shí),工程師遇到了大麻煩——用光刻機(jī)畫(huà)接觸孔時(shí),稍有一點(diǎn)偏差就會(huì)導(dǎo)致芯片報(bào)廢。 自對(duì)準(zhǔn)接觸技術(shù)(SAC) ,完美解決了這個(gè)難題。
高精度測(cè)量硅棒尺寸,深視智能SRI系列一體式3D輪廓測(cè)量?jī)x助力半導(dǎo)體質(zhì)量管控
項(xiàng)目背景在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域,硅棒尺寸的精準(zhǔn)度直接影響后續(xù)切片工序的硅片質(zhì)量。開(kāi)方后的硅棒可能存在外觀裂紋、空洞、氣泡及內(nèi)部雜質(zhì)等缺陷,因此對(duì)硅棒的幾何外形...
2025-05-19 標(biāo)簽:半導(dǎo)體測(cè)量?jī)x高精度測(cè)量 277 0
無(wú)結(jié)場(chǎng)效應(yīng)晶體管詳解
當(dāng)代所有的集成電路芯片都是由PN結(jié)或肖特基勢(shì)壘結(jié)所構(gòu)成:雙極結(jié)型晶體管(BJT)包含兩個(gè)背靠背的PN 結(jié),MOSFET也是如此。結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管(JFE...
半導(dǎo)體制造中使用的許多材料在加工和應(yīng)用過(guò)程中可能發(fā)生開(kāi)裂,即表現(xiàn)出脆性失效。雖然“脆”的概念很容易理解,但給出某種材料或者材料體系的“脆性”值并不容易,...
2025-05-16 標(biāo)簽:半導(dǎo)體光學(xué)測(cè)量?jī)x器 271 0
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