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標(biāo)簽 > 半導(dǎo)體
半導(dǎo)體( semiconductor),指常溫下導(dǎo)電性能介于導(dǎo)體(conductor)與絕緣體(insulator)之間的材料。半導(dǎo)體在收音機(jī)、電視機(jī)以及測溫上有著廣泛的應(yīng)用。如二極管就是采用半導(dǎo)體制作的器件。半導(dǎo)體是指一種導(dǎo)電性可受控制,范圍可從絕緣體至導(dǎo)體之間的材料。無論從科技或是經(jīng)濟(jì)發(fā)展的角度來看,半導(dǎo)體的重要性都是非常巨大的。
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半導(dǎo)體品控:打造穩(wěn)定、可靠的電子核心組件
半導(dǎo)體,作為現(xiàn)代電子工業(yè)的核心組件,其品質(zhì)控制至關(guān)重要。半導(dǎo)體的品控不僅關(guān)乎產(chǎn)品的性能穩(wěn)定,還直接影響著下游電子產(chǎn)品的可靠性和使用壽命。本文將詳細(xì)介紹半...
美光將獲61億美元補(bǔ)助金 加速美國本土半導(dǎo)體工廠建設(shè)
盡管該筆補(bǔ)貼尚未最終敲定,但預(yù)計將在不久的將來正式公布。
技術(shù)分享 | ISO 26262中的安全分析之FMEA
本期內(nèi)容以系統(tǒng)架構(gòu)設(shè)計為例,講解如何在ISO26262產(chǎn)品開發(fā)過程中實施安全分析,半導(dǎo)體層面的芯片設(shè)計也可以參考本文相關(guān)內(nèi)容執(zhí)行安全分析。安全分析方法I...
半導(dǎo)體技術(shù)作為現(xiàn)代科技的核心,已廣泛應(yīng)用于各個領(lǐng)域,從智能手機(jī)、電腦到大型數(shù)據(jù)中心,乃至航天、國防等高科技領(lǐng)域,都離不開半導(dǎo)體器件。隨著半導(dǎo)體技術(shù)的飛速...
如何提升工業(yè)馬達(dá)驅(qū)動器運轉(zhuǎn)效率降低能源損耗呢?
工業(yè)4.0趨勢強(qiáng)勁,工廠自動化議題備受關(guān)注,而始終在工廠自動化扮演重要設(shè)備的馬達(dá)(Motor),有研究機(jī)構(gòu)顯示其消耗的電力約為全球電力供應(yīng)的50%。
2024-04-12 標(biāo)簽:驅(qū)動器半導(dǎo)體DC-DC轉(zhuǎn)換器 815 0
CCD(電荷耦合器件)和CMOS(互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體)是兩種廣泛應(yīng)用于圖像傳感器技術(shù)的器件。它們各自具有獨特的特點和優(yōu)勢,適用于不同的應(yīng)用場景。
電動汽車 (EV) 市場的快速增長推動了對下一代功率半導(dǎo)體的需求,尤其是對碳化硅 (SiC) 半導(dǎo)體的需求尤為強(qiáng)勁。
變?nèi)荻O管的工作原理 變?nèi)荻O管的作用特點
變?nèi)荻O管為特殊二極管的一種。當(dāng)外加順向偏壓時,有大量電流產(chǎn)生,PN(正負(fù)極)結(jié)的耗盡區(qū)變窄,電容變大,產(chǎn)生擴(kuò)散電容效應(yīng);
2024-04-04 標(biāo)簽:半導(dǎo)體變?nèi)荻O管可變電容器 2244 0
在電子工程領(lǐng)域,選擇正確的處理器對于項目的成功至關(guān)重要。專用集成電路(Application-Specific Integrated Circuit, ...
此節(jié)以半導(dǎo)體的代表,CMOS-半導(dǎo)體為例,對前段制程FEOL進(jìn)行詳細(xì)說明。此說明將依照FEOL主要制程的剖面構(gòu)造模型,說明非常詳細(xì),但一開始先掌握大概即可。
半導(dǎo)體IC設(shè)計是什么?IC設(shè)計和芯片設(shè)計區(qū)別
半導(dǎo)體IC設(shè)計是什么半導(dǎo)體IC設(shè)計(IntegratedCircuitDesign)是指基于半導(dǎo)體工藝,按照一定的電路設(shè)計規(guī)則和原理,在晶片上集成多個器...
使用STM32Trust構(gòu)建安全的商業(yè)產(chǎn)品
如今,嵌入式系統(tǒng)內(nèi)部和之間的網(wǎng)絡(luò)連接普遍存在,這促使原始設(shè)備制造商 (OEM) 和系統(tǒng)集成商重新考慮如何保護(hù)其電子產(chǎn)品。這不僅僅是產(chǎn)品本身。 物聯(lián)網(wǎng) (...
芯片、半導(dǎo)體、集成電路傻傻分不清?芯片和集成電路有什么區(qū)別?
芯片,又稱微電路(microcircuit)、微芯片(microchip)、集成電路(英語:integrated circuit, IC)。
隨著全球?qū)δ苄Ш铜h(huán)保的要求日益提高,傳統(tǒng)硅基半導(dǎo)體器件逐漸暴露出其性能瓶頸,特別是在高溫、高壓和高頻應(yīng)用場景中。
利用氨等離子體預(yù)處理進(jìn)行無縫間隙fll工藝的生長抑制
引言 半導(dǎo)體器件的設(shè)計規(guī)則收縮是集成過程中每一步的一個挑戰(zhàn)。在隔離的間隙-fll過程中,使用沉積工藝不能抑制接縫和空隙的形成,甚至具有良好的臺階覆蓋。為...
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