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標(biāo)簽 > 半導(dǎo)體
半導(dǎo)體( semiconductor),指常溫下導(dǎo)電性能介于導(dǎo)體(conductor)與絕緣體(insulator)之間的材料。半導(dǎo)體在收音機(jī)、電視機(jī)以及測(cè)溫上有著廣泛的應(yīng)用。如二極管就是采用半導(dǎo)體制作的器件。半導(dǎo)體是指一種導(dǎo)電性可受控制,范圍可從絕緣體至導(dǎo)體之間的材料。無(wú)論從科技或是經(jīng)濟(jì)發(fā)展的角度來(lái)看,半導(dǎo)體的重要性都是非常巨大的。
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熱電阻是一種用于測(cè)量溫度的傳感器,通常由金屬或半導(dǎo)體材料制成。
SDTR一種薄膜面內(nèi)各向異性熱導(dǎo)率的測(cè)量方法
SDTR一種薄膜面內(nèi)各向異性熱導(dǎo)率的測(cè)量方法近年來(lái),隨著半導(dǎo)體行業(yè)的迅猛發(fā)展,半導(dǎo)體元件的體積急劇減小,對(duì)芯片或薄膜材料的熱物性探究至關(guān)重要,這樣給予針...
淺析從AMOLED到MicroLED自發(fā)光顯示技術(shù)
OLED最典型的結(jié)構(gòu)就是“類三明治”型,由一薄而透明具半導(dǎo)體特性之銦錫氧化物(ITO),與電力之正極相連,再加上另一個(gè)金屬陰極組成,來(lái)構(gòu)建成電洞傳輸層(...
碳化硅功率器件的特點(diǎn)和應(yīng)用現(xiàn)狀
隨著電力電子技術(shù)的不斷發(fā)展,碳化硅(SiC)功率器件作為一種新型的半導(dǎo)體材料,在電力電子領(lǐng)域的應(yīng)用越來(lái)越廣泛。與傳統(tǒng)的硅功率器件相比,碳化硅功率器件...
半導(dǎo)體光催化材料受光激發(fā)持續(xù)產(chǎn)生光生電子.空穴對(duì),并被反應(yīng)物消耗,實(shí)現(xiàn)太陽(yáng)能向化學(xué)能的轉(zhuǎn)換。然而,目前光催化材料的太陽(yáng)能利用率還達(dá)不到理想的實(shí)際應(yīng)用效果。
埃米是一種非常小的度量單位,相當(dāng)于一米的百億分之一。它通常用于表示原子和分子的尺寸。
晶閘管又叫可控硅,是半導(dǎo)體閘流管的簡(jiǎn)稱。晶閘管是一種大功率的PNPN型4層3端元件,可以把交流電變換成電壓大小可調(diào)的脈動(dòng)直流電,也可以把直流電轉(zhuǎn)換成交流...
晶體管的問(wèn)世,是20世紀(jì)的一項(xiàng)重大發(fā)明,是微電子革命的先聲。晶體管出現(xiàn)后,人們就能用一個(gè)小巧的、消耗功率低的電子器件,來(lái)代替體積大、功率消耗大的電子管了...
QLED和LED的區(qū)別 一、引言 LED和QLED是兩種不同的顯示技術(shù),它們?cè)陲@示原理、性能和應(yīng)用領(lǐng)域上存在顯著差異。LED技術(shù)經(jīng)過(guò)多年的發(fā)展,已經(jīng)在多...
一、工作原理 逆變器是一種將直流電轉(zhuǎn)換為交流電的電力電子設(shè)備。它通過(guò)半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)管(通常是晶體管)的導(dǎo)通和關(guān)斷,將直流電源的電能轉(zhuǎn)化為交流電能的裝置。這種...
2023-12-13 標(biāo)簽:半導(dǎo)體逆變器開(kāi)關(guān)管 6784 0
肖特基二極管(Schottky Diode)是一種具有肖特基勢(shì)壘的半導(dǎo)體二極管,其名稱中的“肖特基”一詞源于德國(guó)物理學(xué)家沃爾特·肖特基(Walter H...
n型半導(dǎo)體和p型半導(dǎo)體在導(dǎo)電機(jī)制上有何不同?
n型半導(dǎo)體和p型半導(dǎo)體之間的主要區(qū)別在于它們的載流子類型和濃度。
n型p型半導(dǎo)體與本征半導(dǎo)體相比有什么特點(diǎn)?
本征半導(dǎo)體:本征半導(dǎo)體主要由價(jià)電子和空穴組成。在常溫下,自由電子和空穴的數(shù)量很少,因此它的導(dǎo)電能力比較微弱。另外,本征半導(dǎo)體的載流子濃度與溫度密切相關(guān),...
2023-12-13 標(biāo)簽:半導(dǎo)體載流子本征半導(dǎo)體 3804 0
近年來(lái),我國(guó)已成為全球發(fā)電量第一的大國(guó)。電能一直是人類消耗的最大能源,是目前最為重要的一種能源形式之一。為滿足發(fā)電,輸電和用電的各種不同要求需求,幾乎所...
淺析倒裝芯片和晶片級(jí)封裝技術(shù)及其應(yīng)用
半導(dǎo)體技術(shù)的進(jìn)步大大提高了芯片晶體管數(shù)量和功能, 這一集成規(guī)模在幾年前是無(wú)法想象的。
EAS 表示單脈沖雪崩擊穿能量,如果電壓過(guò)沖值(通常由于漏電流和雜散電感造成)未超過(guò)擊穿電壓,則器件不會(huì)發(fā)生雪崩 擊穿,因此也就不需要消散雪崩擊穿的能力...
2023-12-11 標(biāo)簽:MOSFET半導(dǎo)體無(wú)刷電機(jī) 4614 0
為什么SiC在功率應(yīng)用中戰(zhàn)勝了Si?
碳化硅(SiC)是一種由硅(Si)和碳(C)組成的半導(dǎo)體化合物,屬于寬帶隙(WBG)材料系列。它的物理結(jié)合力非常強(qiáng),使半導(dǎo)體具有很高的機(jī)械、化學(xué)和熱穩(wěn)定性。
半導(dǎo)體行業(yè)之半導(dǎo)體材料特性(十一)
另一個(gè)重要方面是壓力。壓強(qiáng),作為一種物質(zhì)的基本性質(zhì),通常是用于液體和氣體物質(zhì)狀態(tài)的描述量。
MXene水溶液潤(rùn)滑的長(zhǎng)壽命高電流密度摩擦伏特納米發(fā)電機(jī)
摩擦伏特納米發(fā)電機(jī)(TVNG)具有高電流密度、低匹配阻抗和連續(xù)輸出等特點(diǎn),有望解決小型電子器件的供電問(wèn)題。
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