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標(biāo)簽 > 半導(dǎo)體
半導(dǎo)體( semiconductor),指常溫下導(dǎo)電性能介于導(dǎo)體(conductor)與絕緣體(insulator)之間的材料。半導(dǎo)體在收音機(jī)、電視機(jī)以及測(cè)溫上有著廣泛的應(yīng)用。如二極管就是采用半導(dǎo)體制作的器件。半導(dǎo)體是指一種導(dǎo)電性可受控制,范圍可從絕緣體至導(dǎo)體之間的材料。無論從科技或是經(jīng)濟(jì)發(fā)展的角度來看,半導(dǎo)體的重要性都是非常巨大的。
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半導(dǎo)體行業(yè)之半導(dǎo)體材料特性(六)
鍺和硅是兩種基本的半導(dǎo)體。世界上第一個(gè)晶體管是由鍺材料制成的,作為固態(tài)電路時(shí)代的最初的一個(gè)標(biāo)志。
研究團(tuán)隊(duì)提出量子點(diǎn)帶尾調(diào)控方法
紅外光電探測(cè)器廣泛應(yīng)用于氣體傳感、氣象遙感以及航天探測(cè)等領(lǐng)域。然而目前,傳統(tǒng)的紅外探測(cè)材料主要基于碲化銦、銦鎵砷、碲鎘汞等,需要分子束外延方法生長(zhǎng),以及...
大家都知道二極管最主要的特性是單向?qū)щ娦浴5怯捎诙O管存在半導(dǎo)體體電阻和引線電阻,所以當(dāng)外加正向電壓時(shí),在電流相同的情況下,二極管的端電壓大于PN結(jié)上的壓降;
場(chǎng)效應(yīng)管FET(Field Effect Transistor),是利用輸入回路的電場(chǎng)效應(yīng)來控制輸出回路電流的一種半導(dǎo)體器件,分為結(jié)型(JFET)和絕緣...
2023-11-17 標(biāo)簽:MOSFET半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管 9784 0
碳化硅的發(fā)展趨勢(shì)及其在儲(chǔ)能系統(tǒng)中的應(yīng)用
碳化硅(SiC)技術(shù)比傳統(tǒng)硅(Si)、絕緣柵雙極晶體管(IGBT)和其他技術(shù)更具優(yōu)勢(shì),包括更高的開關(guān)頻率、更低的工作溫度、更高的電流和電壓容量以及更低的...
2023-11-17 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器半導(dǎo)體SiC 1702 0
以同樣的方式理解p型材料(如下圖所示)。不同之處在于,只有元素周期表第三列的硼被用來使p型的硅摻雜。當(dāng)硼與硅混合時(shí),硼也從硅中吸取電子。然而,這里也只能...
2023-11-17 標(biāo)簽:電流半導(dǎo)體半導(dǎo)體材料 3898 0
研究人員研制一種近紅外低維探測(cè)材料吸收增強(qiáng)器件
低維薄層材料具有特殊的半導(dǎo)體性質(zhì)和顯著的激子性質(zhì),在能源存儲(chǔ)、傳感成像、生物醫(yī)學(xué)等方面具有巨大的應(yīng)用潛力。相比傳統(tǒng)體材料,低維材料具有新穎的光學(xué)與電學(xué)性...
多Die(晶粒)系統(tǒng)由多個(gè)專用功能晶粒(或小芯片)組成,這些晶粒組裝在同一封裝中,以創(chuàng)建完整的系統(tǒng)。多晶粒系統(tǒng)最近已經(jīng)成為克服摩爾定律放緩的解決方案,生...
Easygo信號(hào)級(jí)電驅(qū)控制測(cè)試應(yīng)用案例
過去,機(jī)械系統(tǒng)主要依賴于傳統(tǒng)的機(jī)械傳動(dòng)方式,如皮帶傳動(dòng)、齒輪傳動(dòng)等。
人工智能(AI)是預(yù)計(jì)到2030年將成為價(jià)值數(shù)萬億美元產(chǎn)業(yè)的關(guān)鍵驅(qū)動(dòng)力,它對(duì)半導(dǎo)體性能提出了新的要求。在交付下一代AI能力方面,一些最復(fù)雜的問題來自于需...
簡(jiǎn)單認(rèn)識(shí)靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器
半導(dǎo)體存儲(chǔ)器用于數(shù)據(jù)存儲(chǔ)。按照電源在關(guān)斷后數(shù)據(jù)是否依舊被保存的方式區(qū)分,存儲(chǔ)器可分為非易失性存儲(chǔ)器 (Non-volatile Memory,NVM)和...
安世半導(dǎo)體與三菱電機(jī)建立戰(zhàn)略合作伙伴關(guān)系
兩家公司宣布,安世半導(dǎo)體與三菱電機(jī)株式會(huì)社已建立戰(zhàn)略合作伙伴關(guān)系,共同開發(fā)SiC MOSFET。為了滿足對(duì)高效分立功率半導(dǎo)體日益增長(zhǎng)的需求,并提高SiC...
2023-11-15 標(biāo)簽:半導(dǎo)體三菱電機(jī)功率半導(dǎo)體 1246 0
Vishay將以約1.77億美元的現(xiàn)金收購Nexperia位于英國南威爾士紐波特的晶圓廠和運(yùn)營。這是兩家公司宣布的??偛课挥谖餮艌D的ATREG, Inc...
晶體管尺寸在3nm時(shí)達(dá)到臨界點(diǎn),納米片F(xiàn)ET可能會(huì)取代finFET來滿足性能、功耗、面積和成本目標(biāo)。同樣,正在評(píng)估2nm銅互連的重大架構(gòu)變化,此舉將重新...
晶圓承載系統(tǒng)是指針對(duì)晶圓背面減薄進(jìn)行進(jìn)一步加工的系統(tǒng),該工藝一般在背面研磨前使用。晶圓承載系統(tǒng)工序涉及兩個(gè)步驟:首先是載片鍵合,需將被用于硅通孔封裝的晶...
本征態(tài)的半導(dǎo)體材料在制作固態(tài)器件時(shí)是無用的,因?yàn)樗鼪]有自由移動(dòng)的電子或者空穴,所以不能導(dǎo)電。然而,通過一個(gè)叫做摻雜的過程,將特定的元素被引入本征半導(dǎo)體材...
2023-11-13 標(biāo)簽:半導(dǎo)體半導(dǎo)體材料電阻率 4370 0
半導(dǎo)體行業(yè)之半導(dǎo)體材料特性(四)
本征態(tài)的半導(dǎo)體材料在制作固態(tài)器件時(shí)是無用的,因?yàn)樗鼪]有自由移動(dòng)的電子或者空穴,所以不能導(dǎo)電。
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