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標(biāo)簽 > 半導(dǎo)體
半導(dǎo)體( semiconductor),指常溫下導(dǎo)電性能介于導(dǎo)體(conductor)與絕緣體(insulator)之間的材料。半導(dǎo)體在收音機(jī)、電視機(jī)以及測溫上有著廣泛的應(yīng)用。如二極管就是采用半導(dǎo)體制作的器件。半導(dǎo)體是指一種導(dǎo)電性可受控制,范圍可從絕緣體至導(dǎo)體之間的材料。無論從科技或是經(jīng)濟(jì)發(fā)展的角度來看,半導(dǎo)體的重要性都是非常巨大的。
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傳統(tǒng)意義的半導(dǎo)體測試指基于ATE機(jī)臺(tái)的產(chǎn)品測試,分為wafer level的CP測試(chip probing)或FE測試(FrontEnd test)...
雙光子光刻技術(shù)能夠精確制備三維結(jié)構(gòu),并將其精準(zhǔn)集成在光電芯片上,能夠在光纖-芯片以及芯片-芯片之間,構(gòu)建大帶寬、低損耗的光信號(hào)鏈路,實(shí)現(xiàn)光信號(hào)的高效互連...
半導(dǎo)體行業(yè)之半導(dǎo)體材料特性(二)
我們現(xiàn)在知道,一般的原子和物質(zhì)材料的結(jié)構(gòu)組成比玻爾模型復(fù)雜得多,質(zhì)子和中子也可以進(jìn)一步細(xì)分為更小的部分。
2023-11-06 標(biāo)簽:半導(dǎo)體 695 0
什么是IGBT?IGBT內(nèi)部結(jié)構(gòu)/工作原理/特性/優(yōu)缺點(diǎn)
在實(shí)際應(yīng)用中最流行和最常見的電子元器件是雙極結(jié)型晶體管 BJT 和 MOS管。
壓敏電阻器廣泛應(yīng)用于家用電器及其它電子產(chǎn)品中,起過電壓保護(hù)、防雷、抑制浪涌電流、吸收尖峰脈沖、限幅、高壓滅弧、消噪、保護(hù)半導(dǎo)體元器件等作用。本篇分三部分...
01 晶閘管的結(jié)構(gòu)和功能模型 1.1 晶閘管的結(jié)構(gòu) 如下圖:a)晶閘管元件符號(hào),b)半導(dǎo)體結(jié)構(gòu),c)等效電路 晶閘管整個(gè)器件由四層三個(gè)pn結(jié)組成。p型參...
說到三極管之前,我們先說下二極管定義,二極管就是由一個(gè)PN結(jié)加上相應(yīng)的電極引線及管殼封裝而成的,采用不同的摻雜工藝,通過擴(kuò)散作用,將P型半導(dǎo)體與N型半導(dǎo)...
半導(dǎo)體材料具有一些與我們已知的導(dǎo)體、絕緣體完全不同的電學(xué)、化學(xué)和物理特性,正是由于這些特點(diǎn),使得半導(dǎo)體器件和電路具有獨(dú)特的功能。在接下來的半導(dǎo)體材料的特...
2023-11-03 標(biāo)簽:半導(dǎo)體半導(dǎo)體材料電荷 1807 0
美格納推出第六代 600V 超級(jí)結(jié)金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管
美格納半導(dǎo)體宣布推出微納加工增強(qiáng)型第六代 600V 超級(jí)結(jié)金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管 (SJ MOSFET)。 這款第六代 600V SJ MOSFE...
2023-11-02 標(biāo)簽:半導(dǎo)體服務(wù)器場效應(yīng)晶體管 1502 0
沒有人喜歡壓力。壓力不僅僅是讓人不愉快;它還會(huì)對(duì)日益復(fù)雜的芯片封裝產(chǎn)生負(fù)面影響,這些芯片作為集成功能單元焊在電路板上并安裝在各種設(shè)備中。毛細(xì)管填充、邊角...
什么是氮化鎵(GaN)?GaN的優(yōu)勢和應(yīng)用領(lǐng)域
GaN近期為何這么火?如果再有人這么問你,你可以這樣回答:因?yàn)槲覀冸x不開電源。
2023-11-02 標(biāo)簽:半導(dǎo)體功率開關(guān)氮化鎵 6570 0
片內(nèi)和片間非均勻性是什么?如何計(jì)算?有什么作用呢?
導(dǎo)語:均勻性在芯片制程的每一個(gè)工序中都需要考慮到,包括薄膜沉積,刻蝕,光刻,cmp,離子注入等。較高的均勻性才能保證芯片的產(chǎn)品與性能。那么片內(nèi)和片間非均...
LED(Light Emitting Diode,發(fā)光二極管)是一種能夠?qū)㈦娔苻D(zhuǎn)化為光能的固態(tài)的半導(dǎo)體器件。長腳接正電(高電平)、短腳接負(fù)電(低電平)...
相對(duì)于傳統(tǒng)金線鍵合,銅線鍵合設(shè)備焊接過程工藝窗口更小,對(duì)焊接的一致性要求更高。通過對(duì)銅線鍵合工藝窗口的影響因素進(jìn)行分析,探索了設(shè)備焊接過程的影響和提升辦...
功率半導(dǎo)體的發(fā)展階段 碳化硅功率器件的三大優(yōu)勢
半導(dǎo)體(Semiconductor)是現(xiàn)代電子信息社會(huì)的物理基石,并已成為推動(dòng)各種革命性變革和創(chuàng)新的強(qiáng)大驅(qū)動(dòng)力,這點(diǎn)已是當(dāng)前的社會(huì)共識(shí)。而功率器件正是半...
寬帶隙半導(dǎo)體使許多以前使用硅(Si)無法實(shí)現(xiàn)的高功率應(yīng)用成為可能,兩種材料的特性說明了為什么碳化硅二極管(SiC)在多個(gè)指標(biāo)上具有明顯的優(yōu)勢。
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