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標(biāo)簽 > 半導(dǎo)體
半導(dǎo)體( semiconductor),指常溫下導(dǎo)電性能介于導(dǎo)體(conductor)與絕緣體(insulator)之間的材料。半導(dǎo)體在收音機、電視機以及測溫上有著廣泛的應(yīng)用。如二極管就是采用半導(dǎo)體制作的器件。半導(dǎo)體是指一種導(dǎo)電性可受控制,范圍可從絕緣體至導(dǎo)體之間的材料。無論從科技或是經(jīng)濟發(fā)展的角度來看,半導(dǎo)體的重要性都是非常巨大的。
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LPDDR5:滿足應(yīng)用的功耗、性能、帶寬和可靠性要求
半導(dǎo)體行業(yè)正在嗡嗡作響的新技術(shù)——人工智能 (AI)、機器學(xué)習(xí) (ML)、物聯(lián)網(wǎng)、汽車等。– 通過簡化我們的日常生活并顯著提高性能、帶寬以及可靠的數(shù)據(jù)處...
MXene范德華接觸在氮化鎵高電子遷移率晶體管中的應(yīng)用
摘要:柵極控制能力是決定氮化鎵高電子遷移率晶體管性能的關(guān)鍵因素。然而在金屬-氮化鎵界面,金屬和半導(dǎo)體的直接接觸會導(dǎo)致界面缺陷和固定電荷,這會降低氮化鎵高...
微孔利用光和物質(zhì)的相互作用來獲得獨特的性質(zhì),特別是,當(dāng)用紫外光、可見光或近紅外光在其表面等離子體極化頻率附近照射時,金屬微孔結(jié)構(gòu)表現(xiàn)出強烈的共振。然而,...
近期,美國南卡羅來納大學(xué)報道了在AlN單晶襯底上通過MOCVD生長的Al0.87Ga0.13N/Al0.64Ga0.36N金屬氧化物半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)場效應(yīng)晶...
從設(shè)計到部署:芯片生命周期管理如何優(yōu)化整個IC生命周期
SLM涉及半導(dǎo)體生態(tài)系統(tǒng)的所有階段。它旨在收集有關(guān)芯片及其操作的大量數(shù)據(jù),并使用復(fù)雜的分析來優(yōu)化芯片及其整個生命周期部署系統(tǒng)的性能、安全性和效率。該技術(shù)...
優(yōu)化設(shè)計以實現(xiàn)高性能,同時滿足嚴(yán)格的設(shè)計計劃
在時序的情況下,經(jīng)過驗證的方法使用靜態(tài)時序分析 (STA) 來分析每個時序路徑,并根據(jù)頻率指標(biāo)單獨檢查它們。由于高級節(jié)點的顯著可變性,特別是在低電壓下,...
面對不斷增加的設(shè)計可變性,提高穩(wěn)健性并最大限度地減少過度悲觀情緒
長期以來,半導(dǎo)體一直根據(jù)最壞情況的工藝、電壓和溫度(PVT)進行指定。在設(shè)計階段,設(shè)計人員必須平衡性能與功耗和面積(PPA),努力實現(xiàn)所需的每瓦性能目標(biāo)...
芯片制造和測試數(shù)據(jù)分析在半導(dǎo)體行業(yè)的重要性
芯片制造和測試過程產(chǎn)生的數(shù)據(jù)量是巨大的,壓倒性的,以至于變得毫無用處,除非有一種有效的方法來收集和分析它。與其他數(shù)據(jù)密集型流程一樣,需要適當(dāng)?shù)拇髷?shù)據(jù)分析...
現(xiàn)在,半導(dǎo)體設(shè)計正在經(jīng)歷另一個轉(zhuǎn)折點,人工智能和自動駕駛等應(yīng)用進一步推動了性能需求,需要采用3D-IC、基于小芯片的設(shè)計、具有數(shù)千個復(fù)制內(nèi)核的大規(guī)模并行...
硅(Si)是電子產(chǎn)品中常用的純半導(dǎo)體的一個例子。鍺(Ge)是另一種純半導(dǎo)體,用于一些最早的電子設(shè)備。半導(dǎo)體也由化合物制成,包括砷化鎵 (GaAs)、氮化...
肖特基二極管因其低導(dǎo)通電壓、快速恢復(fù)時間和更高頻率下的低損耗能量而得到廣泛應(yīng)用。這些特性使肖特基二極管能夠通過促進從導(dǎo)通狀態(tài)到阻塞狀態(tài)的快速轉(zhuǎn)換來整流電...
碳化硅(SiC)是一種陶瓷材料,出于半導(dǎo)體應(yīng)用的目的,通常以單晶形式生長。其固有的材料特性,加上作為單晶生長,使其成為市場上最耐用的半導(dǎo)體材料之一。這種...
SiC,也稱為碳化硅,是硅和碳化物在晶體結(jié)構(gòu)中的組合,大約有250種不同的晶體形式可以找到SiC。碳化硅可以采取許多不同的形式:單個SiC晶??梢詿Y(jié)在...
在典型的二極管中,p-n結(jié)由p型和n型半導(dǎo)體組合而成。然而,肖特基二極管是不同的:使用金屬代替p型半導(dǎo)體。然后,你有一個被稱為肖特基勢壘的m-s結(jié),而不...
寬帶隙半導(dǎo)體材料(如SiC)與更傳統(tǒng)的半導(dǎo)體材料(如Si)相比具有許多優(yōu)勢??紤]帶隙隨著溫度升高而縮小的事實:如果我們從寬帶隙開始,那么溫度升高對功能的...
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