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標(biāo)簽 > 單片機(jī)
單片機(jī)(Microcontrollers,亦稱(chēng)MCU)包括了CPU、隨機(jī)存儲(chǔ)器RAM、只讀存儲(chǔ)器ROM、多種I/O口和中斷系統(tǒng)、定時(shí)器/計(jì)數(shù)器等功能集成到一塊硅片上構(gòu)成的一個(gè)小而完善的微型計(jì)算機(jī)系統(tǒng),在工業(yè)控制領(lǐng)域廣泛應(yīng)用。
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NP3401MR 30V p通道增強(qiáng)模式MOSFET
描述 NP3401MR采用了先進(jìn)的溝槽技術(shù) 提供優(yōu)良的RDS(ON),低柵電荷和 工作電壓低至2.5V。這 該器件適用于作為負(fù)載開(kāi)關(guān)或PWM 應(yīng)用程序。...
RS485/232控制系統(tǒng)中的IBF68:檢測(cè)開(kāi)關(guān)量信號(hào)或控制設(shè)備運(yùn)行
產(chǎn)品概述: IBF68產(chǎn)品實(shí)現(xiàn)傳感器和主機(jī)之間的信號(hào)采集與控制,用來(lái)檢測(cè)開(kāi)關(guān)量信號(hào),或者控制設(shè)備運(yùn)行。IBF68系列產(chǎn)品可應(yīng)用在?RS-232/485總...
2022-07-12 標(biāo)簽:單片機(jī)控制系統(tǒng)數(shù)據(jù)信號(hào) 1946 0
NP3401MR 30V p通道增強(qiáng)模式MOSFET
描述 NP3401MR采用了先進(jìn)的溝槽技術(shù) 提供優(yōu)良的RDS(ON),低柵電荷和 工作電壓低至2.5V。這 該器件適用于作為負(fù)載開(kāi)關(guān)或PWM 應(yīng)用程序。...
NP3433EHR 30V p通道增強(qiáng)模式MOSFET
描述 NP3433EHR采用了先進(jìn)的溝槽技術(shù) 提供優(yōu)良的RDS(ON),低柵電荷和 工作電壓低至1.8V。這個(gè)設(shè)備 適合用作負(fù)載開(kāi)關(guān)或PWM 應(yīng)用程序。...
NP2301FVR 20V p通道增強(qiáng)模式MOSFET
描述 NP2301FVR采用先進(jìn)的戰(zhàn)壕 技術(shù)提供優(yōu)良的RDS(ON),低柵 在極低電壓的情況下進(jìn)行充電和操作 1.8 v。該裝置適用于負(fù)載開(kāi)關(guān) 或在PW...
全志T507去掉IO擴(kuò)展芯片后實(shí)現(xiàn)保留擴(kuò)展引腳功能的方法
飛凌嵌入式推出的OKT507-C作為一款廣受歡迎的開(kāi)發(fā)板擁有豐富的接口資源,而實(shí)際上OKT507-C的CPU引腳資源是比較緊缺的,那么它是如何實(shí)現(xiàn)這么豐...
NP2301FHR 20V p通道增強(qiáng)模式MOSFET
描述 NP2301FHR采用先進(jìn)的戰(zhàn)壕 技術(shù)提供優(yōu)良的RDS(ON),低柵 在極低電壓的情況下進(jìn)行充電和操作 1.8 v。該裝置適用于負(fù)載開(kāi)關(guān) 或在PW...
NP2301AJR 20V p通道增強(qiáng)模式MOSFET
描述 NP2301AJR采用了先進(jìn)的溝槽技術(shù) 提供優(yōu)良的RDS(ON),低柵電荷和 工作電壓低至1.8V。這個(gè)設(shè)備 適合用作負(fù)載開(kāi)關(guān)或PWM 應(yīng)用程序。...
NP2301BVR 20V p通道增強(qiáng)模式MOSFET
描述 一般特征 NP2301BVR采用先進(jìn)的戰(zhàn)壕 技術(shù)提供優(yōu)良的RDS(ON),低柵 在極低電壓的情況下進(jìn)行充電和操作 1.8 v。本裝置適用于作為負(fù)載...
NP2301BMR 20V p通道增強(qiáng)模式MOSFET
描述 NP2301BMR采用了先進(jìn)的溝槽技術(shù) 提供卓越的RDS(ON) 一般特征 ,低柵極電荷和 工作電壓低至1.8V。這個(gè)設(shè)備 適合用作負(fù)載開(kāi)關(guān)或PW...
指夾式心率血氧飽和度方案的測(cè)量原理是根據(jù)血紅蛋白(Hb)和氧合血紅蛋白 (HbO2)在紅光和近紅光區(qū)域的吸收光譜特性為依據(jù),運(yùn)用Lambert Beer...
NP2301AVR 20V p通道增強(qiáng)模式MOSFET
描述 一般特征 NP2301AVR采用先進(jìn)的戰(zhàn)壕 技術(shù)提供優(yōu)良的RDS(ON),低柵 在極低電壓的情況下進(jìn)行充電和操作 1.8 v。本裝置適用于作為負(fù)載...
NP2301AMR 20V p通道增強(qiáng)模式MOSFET
描述 NP2301AMR采用了先進(jìn)的溝槽技術(shù) 提供優(yōu)良的RDS(ON),低柵電荷和 工作電壓低至1.8V。這個(gè)設(shè)備 適合用作負(fù)載開(kāi)關(guān)或PWM 應(yīng)用程序。...
單點(diǎn)水位單通道高靈敏度液體(水位)檢測(cè)IC-VK36W1D
產(chǎn)品型號(hào):VK36W1D 產(chǎn)品品牌:永嘉微電/VINKA 封裝形式:SOT23-6 產(chǎn)品年份:新年份 概述: VK36W1D STO23-6具有1個(gè)觸摸...
NP3401VR 30V p通道增強(qiáng)模式MOSFET
描述 NP3401VR采用了先進(jìn)的塹壕技術(shù) 提供優(yōu)良的RDS(ON),低柵電荷和 工作電壓低至2.5V。這 該器件適用于作為負(fù)載開(kāi)關(guān)或PWM 應(yīng)用程序。...
NP2305MR 20V p通道增強(qiáng)模式MOSFET
描述 NP2305MR采用先進(jìn)的戰(zhàn)壕 技術(shù)提供優(yōu)良的RDS(ON),低柵 在極低電壓的情況下進(jìn)行充電和操作 1.8 v。該裝置適用于負(fù)載開(kāi)關(guān) 或在PWM...
NP2305HR 20V p通道增強(qiáng)模式MOSFET
描述 NP2305HR使用先進(jìn)的戰(zhàn)壕 技術(shù)提供優(yōu)良的RDS(ON),低柵 在極低電壓的情況下進(jìn)行充電和操作 1.8 v。該裝置適用于負(fù)載開(kāi)關(guān) 或在PWM...
NP6P02DR 20V p通道增強(qiáng)模式MOSFET
描述 NP6P02DR采用了先進(jìn)的溝槽技術(shù) 提供優(yōu)良的RDS(ON),低柵電荷和 工作電壓低至1.8V。這 該器件適用于作為負(fù)載開(kāi)關(guān)或PWM 應(yīng)用程序。...
NP2305VR 20V p通道增強(qiáng)模式MOSFET
描述 NP2305VR采用了先進(jìn)的塹壕技術(shù) 提供卓越的RDS(ON) ?V ,低柵極電荷和 工作電壓低至1.8V。這 該器件適用于作為負(fù)載開(kāi)關(guān)或PWM ...
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