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標(biāo)簽 > 雙極晶體管

雙極晶體管

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  雙極晶體管一般指雙極型晶體管。由兩個(gè)背靠背PN結(jié)構(gòu)成的以獲得電壓、電流或信號(hào)增益的晶體三極管。

文章:61個(gè) 瀏覽:13653 帖子:2個(gè)

雙極晶體管技術(shù)

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2023-06-28 標(biāo)簽:BJT雙極晶體管 3010 0

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截止區(qū)“三極管的截止?fàn)顟B(tài),這應(yīng)該是比較好理解的,當(dāng)三極管的發(fā)射結(jié)反偏,集電結(jié)反偏時(shí),三極管就會(huì)進(jìn)入截止?fàn)顟B(tài)?!蔽耶?dāng)時(shí)就特別討厭用正偏反偏這個(gè)詞,已經(jīng)有三...

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igbt模塊的散熱方法有幾種

IGBT(絕緣柵雙極晶體管)模塊是一種廣泛應(yīng)用于電力電子領(lǐng)域的功率半導(dǎo)體器件,具有高電壓、大電流、高頻率等特點(diǎn)。然而,IGBT模塊在工作過(guò)程中會(huì)產(chǎn)生大量...

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簡(jiǎn)單認(rèn)識(shí)功率雙極晶體管

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本文對(duì)IGBT芯片的電熱性能進(jìn)行了廣泛的研究,用于IGBT芯片中的3D封裝結(jié)構(gòu)。在過(guò)去的幾年里,半導(dǎo)體技術(shù)取得了長(zhǎng)足的進(jìn)步,特別是在電力電子領(lǐng)域,在研究...

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MOSFET的失效機(jī)理:什么是dV/dt失效

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MOSFET的失效機(jī)理本文的關(guān)鍵要點(diǎn)?dV/dt失效是MOSFET關(guān)斷時(shí)流經(jīng)寄生電容Cds的充電電流流過(guò)基極電阻RB,使寄生雙極晶體管導(dǎo)通而引起短路從而...

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為什么SiC在功率應(yīng)用中戰(zhàn)勝了Si?

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碳化硅(SiC)是一種由硅(Si)和碳(C)組成的半導(dǎo)體化合物,屬于寬帶隙(WBG)材料系列。它的物理結(jié)合力非常強(qiáng),使半導(dǎo)體具有很高的機(jī)械、化學(xué)和熱穩(wěn)定性。

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場(chǎng)效應(yīng)管電路設(shè)計(jì)基礎(chǔ)知識(shí)

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FET廣泛用于分立式和IC電路,提供電壓增益和高輸入阻抗。

2023-02-17 標(biāo)簽:場(chǎng)效應(yīng)管電路設(shè)計(jì)晶體管 1382 0

了解晶體管電路設(shè)計(jì):教程

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使用雙極晶體管的電子電路設(shè)計(jì)非常簡(jiǎn)單,使用簡(jiǎn)單的設(shè)計(jì)原理和一些方程。

2023-02-17 標(biāo)簽:電路設(shè)計(jì)晶體管雙極晶體管 1327 0

Si晶體管的分類與特征

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本篇開(kāi)始將為大家介紹“Si晶體管”。雖然統(tǒng)稱為“Si晶體管”,不過(guò)根據(jù)制造工藝和結(jié)構(gòu),還可分為“雙極”、“MOSFET”等種類。另外,還可根據(jù)處理的電流...

2023-02-09 標(biāo)簽:MOSFET晶體管雙極晶體管 1127 0

igbt模塊與mos的區(qū)別有哪些

IGBT(絕緣柵雙極晶體管)和MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)是兩種常見(jiàn)的功率半導(dǎo)體器件,它們?cè)谠S多應(yīng)用中都有廣泛的應(yīng)用。 工作原理 IGB...

2024-08-07 標(biāo)簽:MOS半導(dǎo)體材料雙極晶體管 1115 0

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HMC506LP4和HMC506LP4E是集成諧振器、負(fù)阻器件、變?nèi)荻O管和緩沖放大器的GaAs InGaP異質(zhì)結(jié)雙極晶體管(HBT)MMIC VCO。

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2024-11-24 標(biāo)簽:電流電壓雙極晶體管 992 0

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針對(duì)所有的應(yīng)用,人們?cè)絹?lái)越注意電動(dòng)馬達(dá)的運(yùn)作效率;因此,對(duì)高效率驅(qū)動(dòng)器的需求變得日益重要。此外,使用馬達(dá)驅(qū)動(dòng)的設(shè)計(jì),例如電動(dòng)馬達(dá)、泵和風(fēng)扇,需要降低整體...

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2023-02-03 標(biāo)簽:二極管MOSFET晶體管 759 0

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