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標(biāo)簽 > 雙極晶體管
雙極晶體管一般指雙極型晶體管。由兩個(gè)背靠背PN結(jié)構(gòu)成的以獲得電壓、電流或信號(hào)增益的晶體三極管。
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IGBT(絕緣柵雙極晶體管)功率管是一種廣泛應(yīng)用于電力電子領(lǐng)域的高效、高性能的功率電子器件。在實(shí)際應(yīng)用中,對(duì)IGBT功率管進(jìn)行好壞檢測(cè)是非常重要的,以確...
IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種廣泛應(yīng)用于電力電子領(lǐng)域的功率半導(dǎo)體器件。它結(jié)合了MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)和BJT(雙極型晶體管)的...
樹(shù)莓派之路:Arduino和Raspberry-Pi
今天,可以非常便宜地購(gòu)買許多 OEM(原始設(shè)備制造商)電子產(chǎn)品,并且可以由業(yè)余愛(ài)好者完成先進(jìn)電路的開(kāi)發(fā)。在當(dāng)今市場(chǎng)上,有幾種高質(zhì)量的單板(開(kāi)源)微控制器...
晶體管是三極管嗎?三極管在電源里都有哪些應(yīng)用場(chǎng)景
截止區(qū)“三極管的截止?fàn)顟B(tài),這應(yīng)該是比較好理解的,當(dāng)三極管的發(fā)射結(jié)反偏,集電結(jié)反偏時(shí),三極管就會(huì)進(jìn)入截止?fàn)顟B(tài)?!蔽耶?dāng)時(shí)就特別討厭用正偏反偏這個(gè)詞,已經(jīng)有三...
IGBT(絕緣柵雙極晶體管)模塊是一種廣泛應(yīng)用于電力電子領(lǐng)域的功率半導(dǎo)體器件,具有高電壓、大電流、高頻率等特點(diǎn)。然而,IGBT模塊在工作過(guò)程中會(huì)產(chǎn)生大量...
傳統(tǒng)的雙極晶體管是一種電流驅(qū)動(dòng)型放大器,對(duì)其信號(hào)放大特性的分析以小注入電流為主,即在共發(fā)射極工作狀態(tài)時(shí),輸入很小的基極電流就能控制輸出端的集電極電流而獲...
本文對(duì)IGBT芯片的電熱性能進(jìn)行了廣泛的研究,用于IGBT芯片中的3D封裝結(jié)構(gòu)。在過(guò)去的幾年里,半導(dǎo)體技術(shù)取得了長(zhǎng)足的進(jìn)步,特別是在電力電子領(lǐng)域,在研究...
IGBT斬波調(diào)速電機(jī)車常見(jiàn)故障
IGBT斬波調(diào)速電機(jī)車是一種采用IGBT(絕緣柵雙極晶體管)作為功率器件的斬波調(diào)速系統(tǒng),廣泛應(yīng)用于電動(dòng)汽車、電動(dòng)叉車、電動(dòng)觀光車等場(chǎng)合。由于其具有高效率...
2024-08-07 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車IGBT雙極晶體管 1711 0
MOSFET的失效機(jī)理本文的關(guān)鍵要點(diǎn)?dV/dt失效是MOSFET關(guān)斷時(shí)流經(jīng)寄生電容Cds的充電電流流過(guò)基極電阻RB,使寄生雙極晶體管導(dǎo)通而引起短路從而...
為什么SiC在功率應(yīng)用中戰(zhàn)勝了Si?
碳化硅(SiC)是一種由硅(Si)和碳(C)組成的半導(dǎo)體化合物,屬于寬帶隙(WBG)材料系列。它的物理結(jié)合力非常強(qiáng),使半導(dǎo)體具有很高的機(jī)械、化學(xué)和熱穩(wěn)定性。
場(chǎng)效應(yīng)管電路設(shè)計(jì)基礎(chǔ)知識(shí)
FET廣泛用于分立式和IC電路,提供電壓增益和高輸入阻抗。
2023-02-17 標(biāo)簽:場(chǎng)效應(yīng)管電路設(shè)計(jì)晶體管 1382 0
使用雙極晶體管的電子電路設(shè)計(jì)非常簡(jiǎn)單,使用簡(jiǎn)單的設(shè)計(jì)原理和一些方程。
2023-02-17 標(biāo)簽:電路設(shè)計(jì)晶體管雙極晶體管 1327 0
本篇開(kāi)始將為大家介紹“Si晶體管”。雖然統(tǒng)稱為“Si晶體管”,不過(guò)根據(jù)制造工藝和結(jié)構(gòu),還可分為“雙極”、“MOSFET”等種類。另外,還可根據(jù)處理的電流...
IGBT(絕緣柵雙極晶體管)和MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)是兩種常見(jiàn)的功率半導(dǎo)體器件,它們?cè)谠S多應(yīng)用中都有廣泛的應(yīng)用。 工作原理 IGB...
2024-08-07 標(biāo)簽:MOS半導(dǎo)體材料雙極晶體管 1115 0
RIGOL IGBT雙脈沖測(cè)試應(yīng)用案例介紹
功率半導(dǎo)體器件本質(zhì)是利用半導(dǎo)體的單向?qū)щ娦愿淖冸娐分械碾妷?、電流、頻率、導(dǎo)通狀態(tài)等物理特性,實(shí)現(xiàn)電源開(kāi)關(guān)和電力轉(zhuǎn)換等管理。功率半導(dǎo)體種類較多,根據(jù)可控性...
工業(yè)馬達(dá)驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)中IGBT的作用
針對(duì)所有的應(yīng)用,人們?cè)絹?lái)越注意電動(dòng)馬達(dá)的運(yùn)作效率;因此,對(duì)高效率驅(qū)動(dòng)器的需求變得日益重要。此外,使用馬達(dá)驅(qū)動(dòng)的設(shè)計(jì),例如電動(dòng)馬達(dá)、泵和風(fēng)扇,需要降低整體...
2023-07-01 標(biāo)簽:IGBT雙極晶體管電動(dòng)馬達(dá) 966 0
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