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標(biāo)簽 > 噪聲
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基于CMOS有源電感實(shí)現(xiàn)寬帶低噪聲放大器的設(shè)計(jì)
隨著RF通信系統(tǒng)市場的增長,越來越多的RF器件用MOS工藝實(shí)現(xiàn),包括電感和電容。就電感而言,目前的多數(shù)研究集中于片上無源電感的實(shí)現(xiàn)和建模。 無源電感大多...
用于視頻應(yīng)用的去隔行處理和格式重定處理的優(yōu)化方案
被捕獲幀的Y/U/V分量一般進(jìn)行隔行掃描,通常采用YUV 4:2:2的格式。有兩種方法構(gòu)成這些數(shù)據(jù),但為了簡單起見,假設(shè)數(shù)據(jù)是以UYVY 4:2:2隔行...
如何避免數(shù)字信號(hào)處理DSP系統(tǒng)中的噪聲和EMI干擾
對(duì)于高速DSP而言,降低噪聲是最重要的設(shè)計(jì)準(zhǔn)則之一。來自任何噪聲源的過大的噪聲,都會(huì)導(dǎo)致隨機(jī)邏輯和鎖相環(huán)(PLL)失效,從而降低可靠性。還會(huì)導(dǎo)致影響FC...
2019-05-30 標(biāo)簽:噪聲數(shù)字信號(hào)處理dsp系統(tǒng) 3139 0
深入研究精密數(shù)據(jù)采集信號(hào)鏈的總噪聲貢獻(xiàn)
在很多應(yīng)用中,模擬前端接收單端或差分信號(hào),并執(zhí)行所需的 增益或衰減、抗混疊濾波及電平轉(zhuǎn)換,之后在滿量程電平下驅(qū) 動(dòng)ADC輸入端。今天我們探討下精密數(shù)據(jù)采...
火出耳機(jī)圈,主動(dòng)降噪技術(shù)如何在更多場景全面消除噪聲?
主動(dòng)降噪ANC(Active Noise Cancellation)是通過偵聽背景噪聲,利用芯片與算法模型計(jì)算噪聲聲波并生成反相聲波,利用聲波疊加抵消原...
2020-05-29 標(biāo)簽:噪聲數(shù)字信號(hào)處理降噪技術(shù) 3075 0
屏蔽ADC網(wǎng)絡(luò)可以幫助避免噪聲耦合 有助于提高性能
逐次逼近寄存器(SAR)模數(shù)轉(zhuǎn)換器(ADC)通常用于需要中到高分辨率的應(yīng)用中。 SAR ADC的主要優(yōu)點(diǎn)是高性能,低功耗和小芯片面積。
2019-08-09 標(biāo)簽:噪聲PCB打樣華強(qiáng)PCB 3073 0
采用并行式多頻段LNA實(shí)現(xiàn)低噪聲放大器電路的設(shè)計(jì)
近年來,隨著無線通信技術(shù)的蓬勃發(fā)展,可兼容多種移動(dòng)通信系統(tǒng)標(biāo)準(zhǔn)的新一代移動(dòng)終端的研究正逐漸成為熱點(diǎn)。要實(shí)現(xiàn)多頻段的移動(dòng)終端接收系統(tǒng),需要解決的首要問題就...
引言:上一節(jié)簡述了如何從根本上降低DC-DC的開關(guān)噪聲,即振鈴,本節(jié)簡述從另一角度消解DC-DC的噪聲的幾種方法(上節(jié)的方式可以理解為前級(jí)靜噪手段,本節(jié)...
2023-08-30 標(biāo)簽:電源開關(guān)電源濾波器 3027 0
今天我們將通過介紹如何測量 ADC 噪聲、ADC 數(shù)據(jù)手冊(cè)中的噪聲規(guī)格以及絕對(duì)與相對(duì)噪聲參數(shù)來繼續(xù)基本的 ADC 噪聲討論。 本系列的第 1 部分...
2023-03-16 標(biāo)簽:噪聲adc模數(shù)轉(zhuǎn)換器 3014 0
汽車電子化進(jìn)程加速,車內(nèi)安裝的電子設(shè)備數(shù)量越來越多,電磁干擾問題影響汽車(特別是自動(dòng)駕駛)等無線通信信號(hào)的可靠性。
低噪聲晶振主要減少振蕩器內(nèi)部噪聲對(duì)輸出信號(hào)的影響,以獲得短期頻率穩(wěn)定性的晶體振蕩器。噪聲會(huì)引起輸出信號(hào)頻率的隨機(jī)起伏:起伏小,穩(wěn)定度越高。
噪聲對(duì)策基礎(chǔ)(四):噪聲濾片狀鐵氧體磁珠
這次要為大家介紹的是具有代表性的噪聲對(duì)策元件。首先是片狀鐵氧體磁珠,這是一種將鐵氧體磁珠電感器加工成SMD(表面貼片式)形狀的產(chǎn)品。
運(yùn)算放大器(Operational Amplifier,簡稱運(yùn)放)在電子電路中扮演著至關(guān)重要的角色,它們能夠放大、緩沖、濾波和比較信號(hào)。然而,在實(shí)際應(yīng)用...
2024-09-03 標(biāo)簽:噪聲運(yùn)算放大器晶體管 2938 0
基于0.35 μmSi CMOS平面工藝設(shè)計(jì)了SiGe HBT低噪聲放大器
基于0.35 μm Si CMOS 平面工藝制定了放大器單芯片集成的工藝流程。為了進(jìn)一步降低放大器的噪聲系數(shù),在制作放大器中SiGe 器件時(shí),采用鈦硅合...
由于變壓器非??煽?,而且其大部分組件都是隱藏的,因此過早失效的癥狀可能會(huì)被忽視。 除 電壓瞬變和短路 外,絕緣故障的所有原因都可以通過適當(dāng)?shù)木S護(hù)計(jì)劃和測...
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