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      標簽　>　場效應(yīng)晶體管

      場效應(yīng)晶體管

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      場效應(yīng)晶體管（Field Effect Transistor縮寫（FET））簡稱場效應(yīng)管。主要有兩種類型：結(jié)型場效應(yīng)管（junction FET—JFET）和金屬 - 氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管（metal-oxide semiconductor FET，簡稱MOS-FET）。由多數(shù)載流子參與導(dǎo)電，也稱為單極型晶體管。

      文章：323個 瀏覽：19969次 帖子：22個

      場效應(yīng)晶體管技術(shù)

      場效應(yīng)晶體管怎么代替繼電器 晶體管輸出和繼電器輸出的區(qū)別

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      2024-02-05 標簽：晶體管MOS場效應(yīng)晶體管 2570 0

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      漏極外接二極管（Drain-Source Diode，簡稱D-S二極管）在MOSFET電路中起到了重要的作用，本文將介紹MOSFET源極和漏極之間的區(qū)別...

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      IGBT是什么驅(qū)動型器件

      IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）是一種功率半導(dǎo)體器件，結(jié)合了絕緣柵場效應(yīng)晶體管（MOSFET）和雙極型晶體...

      2024-01-22 標簽：IGBT場效應(yīng)晶體管工業(yè)控制 1588 0

      全面解析BJT、FET、JFET、MOSFET、IGBT晶體管

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      晶體管是一種三端半導(dǎo)體器件，用于開關(guān)或放大信號。其輸入端的小電流或電壓可用于控制非常高的輸出電壓或電流。

      2024-01-19 標簽：MOSFETIGBT晶體管 2.2萬 1

      氮化鎵mos管型號有哪些

      氮化鎵（GaN）MOS管，是一種基于氮化鎵材料制造的金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管（MOSFET）。由于氮化鎵具有優(yōu)異的電子遷移率、高電子飽和速度和較高的...

      2024-01-10 標簽：電阻MOS管場效應(yīng)晶體管 3337 0

      FET晶體管電路設(shè)計參數(shù)

      與作為電流控制器件的雙極晶體管不同，場效應(yīng)晶體管是電壓控制的。這使得FET電路的設(shè)計方式與雙極晶體管電路的設(shè)計方式大不相同。

      2024-01-09 標簽：電路設(shè)計晶體管場效應(yīng)晶體管 1320 0

      一文詳解MOSFET

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      晶體管是電子學(xué)和邏輯電路中的基本構(gòu)件，用于開關(guān)和放大。MOSFET是場效應(yīng)晶體管(FET)的一種，其柵極通過使用絕緣層進行電隔離。因此，它也被稱為IGF...

      2023-12-29 標簽：MOSFET半導(dǎo)體晶體管 4110 0

      靶材的種類及制備工藝 靶材在半導(dǎo)體領(lǐng)域的應(yīng)用

      選擇合適的靶材在半導(dǎo)體工藝中十分重要。

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      電源防反接mos管選型選擇

      電源防反接（也稱作反接保護）是一種電子電路設(shè)計中非常重要的環(huán)節(jié)，主要用于防止電源（如電池）的正負極被錯誤連接導(dǎo)致的系統(tǒng)損壞或故障。在實際應(yīng)用中，反接保護...

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      MOS管（金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管）作為一種常見的電子元件，其壽命的長短對于電子產(chǎn)品的質(zhì)量和可靠性都有著重要的影響。而影響MOS管壽命的因素也有很多...

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      如何設(shè)計一個nmos管和一個pmos管的開關(guān)電路

      設(shè)計一個NMOS和PMOS管的開關(guān)電路涉及到電路的基礎(chǔ)知識、原理和設(shè)計過程。在本文中，我們將詳細討論NMOS和PMOS管的工作原理、開關(guān)電路的設(shè)計考慮因...

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      nmos與pmos符號區(qū)別

      NMOS和PMOS是常見的MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管）的兩種類型，它們在電子器件中起到不同的作用。NMOS和PMOS的符號和電路結(jié)構(gòu)差異...

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      請教一下經(jīng)受過嚴重ESD電擊的CMOS IC的可靠性會降低嗎？

      靜電放電（ESD）是電子設(shè)備中一種常見的危害，它可能導(dǎo)致集成電路（IC）的損壞。對于CMOS IC來說，經(jīng)受過嚴重ESD電擊的可靠性會降低。

      2023-12-15 標簽：集成電路CMOSESD 1157 0

      mosfet和igbt相比具有什么特點

      MOSFET (金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管) 和 IGBT (絕緣柵雙極晶體管) 是兩種常見的功率半導(dǎo)體器件。它們在不同的應(yīng)用場景中具有不同的特點和優(yōu)...

      2023-12-15 標簽：MOSFETIGBT場效應(yīng)晶體管 1961 0

      MOSFET發(fā)生EOS的失效模式有哪些？如何區(qū)分是什么原因失效的？

      MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管）是一種廣泛應(yīng)用于電子設(shè)備中的半導(dǎo)體器件，其主要功能是控制電流的流動。

      2023-12-15 標簽：MOSFET場效應(yīng)晶體管EOS 1.1萬 0

      pmos和nmos組成構(gòu)成什么電路

      PMOS和NMOS是金屬-氧化物-半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MOSFET)的兩種類型。 PMOS和NMOS是MOSFET的兩種互補型式，也稱為CMOS技術(shù)，其...

      2023-12-07 標簽：電路NMOS場效應(yīng)晶體管 6463 1

      nmos電路邏輯表達式

      N-MOS電路是一種基本的邏輯門電路，它在數(shù)字電子電路中起著重要的作用。在本文中，我們將詳盡、詳實、細致地探討N-MOS電路的基本原理、特性以及邏輯表達...

      2023-12-07 標簽：電路NMOS場效應(yīng)晶體管 2014 0

      雙極性晶體管（三極管）的應(yīng)用舉例

      雙極性晶體管（三極管）的應(yīng)用舉例

      結(jié)型晶體管是三明治結(jié)構(gòu)，下圖是NPN型三極管的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其電路符號。

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        Mobileye
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        Mobileye在單目視覺高級駕駛輔助系統(tǒng) （ADAS） 的開發(fā)方面走在世界前列，提供芯片搭載系統(tǒng)和計算機視覺算法運行 DAS 客戶端功能，例如車道偏離警告 （LDW）、基于雷達視覺融合的車輛探測、前部碰撞警告 （FCW）、車距監(jiān)測 （HMW）、行人探測、智能前燈控制 （IHC）、交通標志識別 （TSR）、僅視覺自適應(yīng)巡航控制 （ACC） 等。
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