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場(chǎng)效應(yīng)晶體管(Field Effect Transistor縮寫(FET))簡(jiǎn)稱場(chǎng)效應(yīng)管。主要有兩種類型:結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管(junction FET—JFET)和金屬 - 氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管(metal-oxide semiconductor FET,簡(jiǎn)稱MOS-FET)。由多數(shù)載流子參與導(dǎo)電,也稱為單極型晶體管。
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mosfet工作原理 jfet和mosfet的區(qū)別? MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)是一種現(xiàn)代電子器件,常用于電子電路中的開(kāi)關(guān)和放大器。它...
2023-11-22 標(biāo)簽:MOSFETJFET場(chǎng)效應(yīng)晶體管 4177 0
MOSFET柵極電路電壓對(duì)電流的影響?MOSFET柵極電路電阻的作用?
MOSFET柵極電路電壓對(duì)電流的影響?MOSFET柵極電路電阻的作用? MOSFET(金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)是一種廣泛應(yīng)用于電子設(shè)備中的半導(dǎo)...
2023-10-22 標(biāo)簽:MOSFET場(chǎng)效應(yīng)晶體管 3211 0
pn結(jié)的電容效應(yīng) 為什么在pn結(jié)間加入i層可以減小結(jié)電容?
pn結(jié)的電容效應(yīng) 為什么在pn結(jié)間加入i層可以減小結(jié)電容? PN結(jié)是一種半導(dǎo)體器件,其中P型半導(dǎo)體和N型半導(dǎo)體間由弱耗盡區(qū)隔離。這種器件有許多應(yīng)用,例如...
2023-10-19 標(biāo)簽:太陽(yáng)能電池整流器場(chǎng)效應(yīng)晶體管 1637 0
SiC相對(duì)于傳統(tǒng)Si的優(yōu)勢(shì)如何
碳化硅(SiC)技術(shù)已達(dá)到臨界點(diǎn),即不可否認(rèn)的優(yōu)勢(shì)推動(dòng)技術(shù)快速采用的狀態(tài)。 如今,出于多種原因,希望保持競(jìng)爭(zhēng)力并降低長(zhǎng)期系統(tǒng)成本的設(shè)計(jì)人員正在轉(zhuǎn)向基于S...
2023-10-13 標(biāo)簽:處理器MOSFET場(chǎng)效應(yīng)晶體管 1730 0
PI的PowiGaN技術(shù)與同行所使用的其他氮化鎵技術(shù),在生產(chǎn)及可靠性管控方面也有所不同。他們的開(kāi)發(fā)工作涵蓋了產(chǎn)品制造和設(shè)計(jì)環(huán)節(jié)的各個(gè)方面,從外延生長(zhǎng)到晶...
2023-09-27 標(biāo)簽:MOSFET電壓場(chǎng)效應(yīng)晶體管 508 0
為什么MOS管和BJT管的三端不能任意作為輸入和輸出?? 晶體管是現(xiàn)代電子學(xué)中最基礎(chǔ)的電子器件。而MOS管和BJT管是晶體管的兩種主要類型。它們被廣泛應(yīng)...
2023-09-21 標(biāo)簽:MOS管場(chǎng)效應(yīng)晶體管BJT管 2341 0
為什么PMOS的閃爍噪聲低于NMOS?? PMOS和NMOS是兩種在集成電路中廣泛使用的MOSFET(金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)類型。在電子設(shè)計(jì)...
2023-09-20 標(biāo)簽:場(chǎng)效應(yīng)晶體管NMOS管PMOS管 3617 0
為什么源極跟隨器的噪聲性能很差? 源極跟隨器是一種簡(jiǎn)單的放大器電路,它可以用來(lái)放大信號(hào)并提高電路的輸入電阻。源極跟隨器的噪聲性能往往會(huì)比其他放大器電路差...
2023-09-20 標(biāo)簽:放大器跟隨器場(chǎng)效應(yīng)晶體管 1580 0
mos管可以用來(lái)轉(zhuǎn)電源極性嗎? MOS管是一個(gè)基本的電子元件,由于其高頻特性、低開(kāi)關(guān)電阻和低噪聲水平而得到了廣泛的應(yīng)用。它也被稱為“金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效...
2023-09-17 標(biāo)簽:MOSFETMOS管電源轉(zhuǎn)換器 978 0
mos管并聯(lián)后電流增加多少? 如何計(jì)算MOS管并聯(lián)后電流的增加? 在電路中,MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)被廣泛應(yīng)用于各種各樣的電子設(shè)備中...
2023-09-07 標(biāo)簽:電阻器MOS管場(chǎng)效應(yīng)晶體管 2568 0
mos管導(dǎo)通后電流方向? 當(dāng) MOSFET (金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管) 導(dǎo)通后,電流會(huì)從源極流動(dòng)到漏極。導(dǎo)通時(shí),MOSFET 管體內(nèi)部的通道形...
2023-09-07 標(biāo)簽:控制器MOS管電源轉(zhuǎn)換器 6081 0
mos管工作原理 mos管有什么用途和功能 MOS(Metal Oxide Semiconductor)管是一種基于場(chǎng)效應(yīng)晶體管技術(shù)的電子器件,具有廣泛...
MOS開(kāi)啟電壓一般為多少? MOS(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)是一種常見(jiàn)而重要的半導(dǎo)體器件。在電子行業(yè)中,MOS被廣泛應(yīng)用于電路設(shè)計(jì)、功率放大、數(shù)字...
2023-09-02 標(biāo)簽:功率放大器MOS管場(chǎng)效應(yīng)晶體管 1.4萬(wàn) 0
p型半導(dǎo)體主要靠什么導(dǎo)電 半導(dǎo)體是當(dāng)今電子技術(shù)中最重要的材料之一,其應(yīng)用涵蓋了廣泛的領(lǐng)域,從微處理器到太陽(yáng)能電池板等等。半導(dǎo)體材料被廣泛應(yīng)用于不同類型的...
2023-08-27 標(biāo)簽:太陽(yáng)能電池三極管二極管 4989 0
mos管p溝道n溝道的區(qū)別 MOS管是一種主流的場(chǎng)效應(yīng)晶體管,分為p溝道MOS管和n溝道MOS管兩種類型。這兩種MOS管的區(qū)別主要在于導(dǎo)電性質(zhì)、靜態(tài)特性...
2023-08-25 標(biāo)簽:MOS管信噪比場(chǎng)效應(yīng)晶體管 1.7萬(wàn) 0
igbt和igct的區(qū)別是啥? IGBT和IGCT是兩種不同類型的高壓開(kāi)關(guān)裝置,用于電力電子應(yīng)用中。IGBT是導(dǎo)電型場(chǎng)效應(yīng)晶體管集成電路,而IGCT是絕...
華為公開(kāi)“集成電路及其制作方法、場(chǎng)效應(yīng)晶體管”專利
根據(jù)專利摘要,本申請(qǐng)?zhí)峁┘呻娐芳夹g(shù)領(lǐng)域,場(chǎng)效應(yīng)晶體管,可以簡(jiǎn)化集成電路的制造過(guò)程,降低生產(chǎn)費(fèi)用。集成電路由設(shè)置在基板和基板上的finfet組成。gaa...
2023-08-23 標(biāo)簽:集成電路場(chǎng)效應(yīng)晶體管FinFET 1614 0
近年來(lái),可拉伸電子器件作為可穿戴設(shè)備或是植入式設(shè)備為健康監(jiān)測(cè)、疾病治療甚至基礎(chǔ)生物研究方面提供了強(qiáng)有力的平臺(tái)。
2023-08-08 標(biāo)簽:場(chǎng)效應(yīng)晶體管柔性電子可穿戴設(shè)備 1479 0
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