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標簽 > 場效應晶體管
場效應晶體管(Field Effect Transistor縮寫(FET))簡稱場效應管。主要有兩種類型:結型場效應管(junction FET—JFET)和金屬 - 氧化物半導體場效應管(metal-oxide semiconductor FET,簡稱MOS-FET)。由多數載流子參與導電,也稱為單極型晶體管。
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場效應晶體管有4個部分——1個源極、1個漏極、一個連接這兩者的導電通道和一個控制沿通道電流的柵極。由于這些器件被做得更小,人們開始注意到晶體管的性能隨著...
結型場效應晶體管(Junction Field-Effect Transistor,JFET):JFET是由p-n結柵極(G)與源極(S)和漏極(D)構...
研究人員研發(fā)了一種用于場效應晶體管(field-effect transistors,FETs)的高性能超薄聚合絕緣體。他們用汽化單體在多種表面成功制備...
晶體管泛指所有半導體器件,包含N多種類,因此其也具有多種不同的分類方式。晶體管根據使用材料的不同可分為硅材料晶體管和鍺材料晶體管;根據極性的不同可分為N...
德州儀器新型即用型600V氮化鎵(GaN)場效應晶體管(FET)功率級產品組合可支持高達10kW的應用
德州儀器的GaN FET器件系列產品通過集成獨特的功能和保護特性,來實現簡化設計,達到更高的系統(tǒng)可靠性和優(yōu)化高壓電源的性能,為傳統(tǒng)級聯(lián)和獨立的GaN F...
場效應晶體管(英語:field-effecttransistor,縮寫:FET)是一種通過電場效應控制電流的電子元件。它依靠電場去控制導電溝道形狀,因此...
2017-12-20 標簽:場效應晶體管 1.4萬 0
東京—東芝公司(TOKYO:6502)今天宣布面向超低功率微控制器(MCU)開發(fā)采用新工作原理的隧穿場效應晶體管(TFET)。
晶體材料國家重點實驗室陶緒堂教授領導的課題組在有機場效應晶體管(Organic Field Effect Transistors,OFET)研究方面取得...
2012-04-26 標簽:場效應晶體管 1225 0
總的來說,場效應晶體管可區(qū)分為耗盡型和增強型兩種。耗盡型場效應晶體管(D-FET)就是在0柵偏壓時存在溝道、能夠導電的FET;增強型場效應晶體管(E-F...
宜普推出用于eGaN場效應晶體管設計的EPC9004開發(fā)板
宜普電源轉換公司(EPC)宣布推出EPC9004開發(fā)板,這種開發(fā)板能使用戶更方便地使用宜普200V增強型氮化鎵(eGaN)場效應晶體管設計產品
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