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標(biāo)簽 > 場效應(yīng)晶體管
場效應(yīng)晶體管(Field Effect Transistor縮寫(FET))簡稱場效應(yīng)管。主要有兩種類型:結(jié)型場效應(yīng)管(junction FET—JFET)和金屬 - 氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管(metal-oxide semiconductor FET,簡稱MOS-FET)。由多數(shù)載流子參與導(dǎo)電,也稱為單極型晶體管。
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宜普推出氮化鎵場效應(yīng)晶體管(eGaN FET)EPC2012
宜普電源轉(zhuǎn)換公司宣布推出第二代增強(qiáng)性能氮化鎵場效應(yīng)晶體管(eGaN FET)系列中的最新成員——EPC2012。EPC2012具有環(huán)保特性、無鉛、無鹵化...
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2010-03-05 標(biāo)簽:混頻器場效應(yīng)晶體管 7006 0
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2010-02-26 標(biāo)簽:源極場效應(yīng)晶體管 8043 0
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