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標(biāo)簽 > 場效應(yīng)晶體管
場效應(yīng)晶體管(Field Effect Transistor縮寫(FET))簡稱場效應(yīng)管。主要有兩種類型:結(jié)型場效應(yīng)管(junction FET—JFET)和金屬 - 氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管(metal-oxide semiconductor FET,簡稱MOS-FET)。由多數(shù)載流子參與導(dǎo)電,也稱為單極型晶體管。
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2024-04-10 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器場效應(yīng)晶體管 234 0
帶有集成場效應(yīng)晶體管的3A 雙通道同步降壓轉(zhuǎn)換器TPS54394數(shù)據(jù)表立即下載
2024-04-08 標(biāo)簽:降壓轉(zhuǎn)換器場效應(yīng)晶體管 245 0
帶有集成場效應(yīng)晶體管(FET) 的3A 雙通道同步降壓轉(zhuǎn)換器TPS54395數(shù)據(jù)表立即下載
2024-04-08 標(biāo)簽:降壓轉(zhuǎn)換器場效應(yīng)晶體管 196 0
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帶有集成場效應(yīng)晶體管的4A/2A雙通道同步降壓轉(zhuǎn)換器TPS54495數(shù)據(jù)表立即下載
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多節(jié)鋰離子/聚合物電池精密保護(hù)器bq77910A數(shù)據(jù)表立即下載
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2024-04-07 標(biāo)簽:降壓轉(zhuǎn)換器場效應(yīng)晶體管 220 0
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2024-04-07 標(biāo)簽:降壓轉(zhuǎn)換器場效應(yīng)晶體管 194 0
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N通道NexFET? 功率金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MOSFET) 數(shù)據(jù)表立即下載
2024-03-28 標(biāo)簽:MOSFET場效應(yīng)晶體管 191 0
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2024-03-14 標(biāo)簽:場效應(yīng)晶體管電平位移 186 0
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2024-03-13 標(biāo)簽:驅(qū)動器cpu場效應(yīng)晶體管 200 0
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2023-12-26 標(biāo)簽:場效應(yīng)晶體管N溝道 269 0
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2023-12-22 標(biāo)簽:場效應(yīng)晶體管N溝道 442 0
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