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標(biāo)簽 > 場(chǎng)效應(yīng)晶體管
場(chǎng)效應(yīng)晶體管(Field Effect Transistor縮寫(xiě)(FET))簡(jiǎn)稱場(chǎng)效應(yīng)管。主要有兩種類(lèi)型:結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管(junction FET—JFET)和金屬 - 氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管(metal-oxide semiconductor FET,簡(jiǎn)稱MOS-FET)。由多數(shù)載流子參與導(dǎo)電,也稱為單極型晶體管。
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22V 輸入,12A 集成場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (FET) 轉(zhuǎn)換器TPS51367 數(shù)據(jù)表立即下載
2024-04-17 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器場(chǎng)效應(yīng)晶體管 289 0
集成開(kāi)關(guān)的高效 6A 降壓穩(wěn)壓器TPS53313數(shù)據(jù)表立即下載
2024-04-17 標(biāo)簽:場(chǎng)效應(yīng)晶體管降壓穩(wěn)壓器 204 0
帶有集成場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FET) 的3.1V至5.5V輸入,3A輸出同步降壓穩(wěn)壓器TPS51312數(shù)據(jù)表立即下載
2024-04-16 標(biāo)簽:場(chǎng)效應(yīng)晶體管降壓穩(wěn)壓器 454 0
帶有集成金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管TPS65270數(shù)據(jù)表立即下載
2024-04-11 標(biāo)簽:場(chǎng)效應(yīng)晶體管金屬氧化物 267 0
帶有集成金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (MOSFET) 的非同步降壓穩(wěn)壓器TPS5405數(shù)據(jù)表立即下載
2024-04-11 標(biāo)簽:場(chǎng)效應(yīng)晶體管降壓穩(wěn)壓器 225 0
4.5V至28V輸入、3A 輸出、同步 降壓 DC-DC轉(zhuǎn)換器TPS5433xA數(shù)據(jù)表立即下載
2024-04-10 標(biāo)簽:DC轉(zhuǎn)換器場(chǎng)效應(yīng)晶體管 250 0
具有超低靜態(tài)的22V 輸入,10A 集成場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FET) 轉(zhuǎn)換器TPS51362數(shù)據(jù)表立即下載
2024-04-10 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器場(chǎng)效應(yīng)晶體管 272 0
帶有集成場(chǎng)效應(yīng)晶體管的3A 雙通道同步降壓轉(zhuǎn)換器TPS54394數(shù)據(jù)表立即下載
2024-04-08 標(biāo)簽:降壓轉(zhuǎn)換器場(chǎng)效應(yīng)晶體管 279 0
帶有集成場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FET) 的3A 雙通道同步降壓轉(zhuǎn)換器TPS54395數(shù)據(jù)表立即下載
2024-04-08 標(biāo)簽:降壓轉(zhuǎn)換器場(chǎng)效應(yīng)晶體管 251 0
帶有集成高側(cè)金屬氧化物場(chǎng)效應(yīng)晶體管的3A雙路非同步轉(zhuǎn)換器TPS54386-Q1數(shù)據(jù)表立即下載
2024-04-08 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器場(chǎng)效應(yīng)晶體管 227 0
帶有集成場(chǎng)效應(yīng)晶體管的 4A/2A 雙通道同步降壓轉(zhuǎn)換器TPS54494數(shù)據(jù)表立即下載
2024-04-08 標(biāo)簽:降壓轉(zhuǎn)換器場(chǎng)效應(yīng)晶體管 224 0
帶有集成場(chǎng)效應(yīng)晶體管的4A/2A雙通道同步降壓轉(zhuǎn)換器TPS54495數(shù)據(jù)表立即下載
2024-04-08 標(biāo)簽:降壓轉(zhuǎn)換器場(chǎng)效應(yīng)晶體管 219 0
多節(jié)鋰離子/聚合物電池精密保護(hù)器bq77910A數(shù)據(jù)表立即下載
2024-04-08 標(biāo)簽:場(chǎng)效應(yīng)晶體管聚合物電池 271 0
帶有集成場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (FET) 的 2A/3A 雙通道同步降壓轉(zhuǎn)換器TPS542941數(shù)據(jù)表立即下載
2024-04-07 標(biāo)簽:降壓轉(zhuǎn)換器場(chǎng)效應(yīng)晶體管 261 0
帶有集成場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (FET) 的 2A/3A 雙通道同步降壓轉(zhuǎn)換器TPS542951數(shù)據(jù)表立即下載
2024-04-07 標(biāo)簽:降壓轉(zhuǎn)換器場(chǎng)效應(yīng)晶體管 239 0
單通道、高速、低側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器UCC2751x數(shù)據(jù)表立即下載
2024-04-01 標(biāo)簽:場(chǎng)效應(yīng)晶體管柵極驅(qū)動(dòng)器 344 0
N通道NexFET? 功率金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET) 數(shù)據(jù)表立即下載
2024-03-28 標(biāo)簽:MOSFET場(chǎng)效應(yīng)晶體管 221 0
具有過(guò)壓保護(hù)和阻斷場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FET) 控制的5V/12V 電子熔絲(eFuse) 數(shù)據(jù)表立即下載
2024-03-14 標(biāo)簽:場(chǎng)效應(yīng)晶體管電子熔絲 233 0
具有電平位移&可調(diào)轉(zhuǎn)換率控制的1.2V-8V,3A 聚合物薄膜場(chǎng)效應(yīng)晶體管(PFET) 高側(cè)負(fù)載開(kāi)關(guān)數(shù)據(jù)表立即下載
2024-03-14 標(biāo)簽:場(chǎng)效應(yīng)晶體管電平位移 218 0
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