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標(biāo)簽 > 場(chǎng)效應(yīng)管
場(chǎng)效應(yīng)管(FET)是利用控制輸入回路的電場(chǎng)效應(yīng)來(lái)控制輸出回路電流的一種半導(dǎo)體器件,并以此命名。
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NE555驅(qū)動(dòng)場(chǎng)效應(yīng)管需要增加外圍元件嗎
對(duì)于NE555驅(qū)動(dòng)場(chǎng)效應(yīng)管,是否需要增加外圍元件,主要需要考慮兩個(gè)問(wèn)題。
2020-06-08 標(biāo)簽:場(chǎng)效應(yīng)管NE555 1.3萬(wàn) 0
即使搜索“結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管”,出來(lái)的也只有幾種,你是不是懷疑結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管已經(jīng)被人類拋棄了的感覺(jué),沒(méi)錯(cuò),JFET相對(duì)來(lái)說(shuō)是比較少使用的,如果你問(wèn)百度,百度貌似...
2020-06-05 標(biāo)簽:三極管場(chǎng)效應(yīng)管MOS 4346 0
N溝道的有國(guó)產(chǎn)的3D01,4D01,日產(chǎn)的3SK系列。G極(柵極)的確定:利用萬(wàn)用表的二極管檔。若某腳與其他兩腳間的正反壓降均大于2V,即顯示“1”,此...
2020-04-25 標(biāo)簽:場(chǎng)效應(yīng)管MOS場(chǎng)效應(yīng)管 8658 0
逆變器中場(chǎng)效應(yīng)管發(fā)熱的原因有哪些
逆變器的場(chǎng)效應(yīng)管工作于開(kāi)關(guān)狀態(tài),并且流過(guò)管子的電流很大,若管子選型不合適、驅(qū)動(dòng)電壓幅度不夠大或電路的散熱不好,皆可導(dǎo)致場(chǎng)效應(yīng)管發(fā)熱。
2020-04-19 標(biāo)簽:場(chǎng)效應(yīng)管逆變器 1.3萬(wàn) 0
三極管、場(chǎng)效應(yīng)管、IGBT怎么用?
場(chǎng)效應(yīng)管是電壓控制器件,它是繼三極管之后的新一代放大元件,場(chǎng)效應(yīng)晶體管可分為耗盡型效應(yīng)晶體管和增強(qiáng)型效應(yīng)晶體管,同時(shí)又有N溝道和P溝耗盡型之分。
2020-05-01 標(biāo)簽:三極管場(chǎng)效應(yīng)管數(shù)碼管 3615 0
從圖中需要注意的是,MOS管是電壓控制型器件,是電壓控制電流大小的器件,穩(wěn)定工作在恒流區(qū),其也是半導(dǎo)體材料制成,那元器件好壞怎么測(cè)量?
2020-04-04 標(biāo)簽:半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管MOS管 3238 0
開(kāi)關(guān)元件MOS管與IGBT管的區(qū)別
在電子電路中,MOS 管和 IGBT 管會(huì)經(jīng)常出現(xiàn),它們都可以作為開(kāi)關(guān)元件來(lái)使用,MOS 管和 IGBT 管在外形及特性參數(shù)也比較相似,那為什么有些電路...
2020-03-20 標(biāo)簽:場(chǎng)效應(yīng)管IGBTMOS 1.5萬(wàn) 1
三安光電氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)管制作過(guò)程專利
三安光電提出的此項(xiàng)專利涉及氮化鎵晶體管的制備工藝,解決了現(xiàn)有方法中常規(guī)金屬材料熱穩(wěn)定性和散熱差、工藝復(fù)雜的缺陷。
2020-03-19 標(biāo)簽:場(chǎng)效應(yīng)管氮化鎵三安光電 3856 0
場(chǎng)效應(yīng)管三種常用的運(yùn)用電路圖
直流小信號(hào)調(diào)制電路在外表中常常遇到直流信號(hào)拓展的疑問(wèn),通常選用大閉環(huán)負(fù)反響和將直流信號(hào)調(diào)制成溝通訊號(hào)再進(jìn)行溝通拓展的辦法,如圖一所示,這種辦法能夠打敗溫...
2020-03-22 標(biāo)簽:場(chǎng)效應(yīng)管穩(wěn)壓管 4.1萬(wàn) 0
兩只場(chǎng)效應(yīng)管KW25N120E怎么做逆變器
KW25N120E是電磁爐里較常用的一款大功率IGBT管,該管內(nèi)部采用N溝道場(chǎng)效應(yīng)管作為輸入級(jí),具有很高的輸入電阻。
2020-03-14 標(biāo)簽:場(chǎng)效應(yīng)管逆變器 1.6萬(wàn) 0
PMOS的襯底為N型半導(dǎo)體,在VGS《0時(shí),會(huì)形成P溝道,所以叫做P溝道MOS;而NMOS的襯底為P型半導(dǎo)體,在VGS》0時(shí),會(huì)形成N溝道,所以叫做N溝...
2020-03-03 標(biāo)簽:半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管晶閘管 7482 0
LCE15P25JK替代IRF6215SPDF傳導(dǎo)騷擾CE問(wèn)題分析
場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET為壓控元件,廣泛應(yīng)用于消費(fèi)電子、電動(dòng)交通工具、電源管理、工業(yè)應(yīng)用、照明等領(lǐng)域。 MOSFET只要加到它的壓控元件所需電壓就能使它導(dǎo)通...
2020-06-06 標(biāo)簽:三極管MOSFET場(chǎng)效應(yīng)管 908 0
場(chǎng)效應(yīng)管的識(shí)別與檢測(cè)
場(chǎng)效應(yīng)管是場(chǎng)效應(yīng)晶體管的簡(jiǎn)稱,具有輸入電阻高、噪聲小、功耗低、安全工作區(qū)域?qū)?、受溫度影響小等?yōu)點(diǎn),特別適用于要求高靈敏度和低噪聲的電路。場(chǎng)效應(yīng)管和三極管...
2019-07-05 標(biāo)簽:場(chǎng)效應(yīng)管晶體管電壓控制器 1.4萬(wàn) 0
技術(shù) | 肖特基二極管與場(chǎng)效應(yīng)管的區(qū)別
肖特基二極管自從替代傳統(tǒng)的普通的二極管后受到了用戶的的青睞和喜歡,但是有些時(shí)候也會(huì)有傻傻分不肖的時(shí)候,肖特基二極管和場(chǎng)效應(yīng)管有什么區(qū)別?
2019-07-05 標(biāo)簽:場(chǎng)效應(yīng)管肖特基二極管 5429 0
絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管結(jié)構(gòu)
絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管的種類較多,有PMOS、NMOS和VMOS功率管等,但目前應(yīng)用最多的是MOS管。MOS絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管也即金屬一氧化物一半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管,通常...
2019-06-28 標(biāo)簽:場(chǎng)效應(yīng)管絕緣柵 7231 0
場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FETs)是電子世界的基本組成單元。
2019-06-04 標(biāo)簽:場(chǎng)效應(yīng)管晶體管 7067 0
焊接場(chǎng)效應(yīng)管注意事項(xiàng)
場(chǎng)效應(yīng)管容易損壞,使用中操作不當(dāng)便會(huì)損壞管子,特別是絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管更容易損壞。
2019-05-15 標(biāo)簽:場(chǎng)效應(yīng)管場(chǎng)效應(yīng) 1.2萬(wàn) 0
場(chǎng)效應(yīng)管中,導(dǎo)電過(guò)程是多數(shù)載流子的漂移運(yùn)動(dòng),故稱為單極型晶體管;雙極型晶體管中既有多子的擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)又有少子的漂移運(yùn)動(dòng)。
2019-05-15 標(biāo)簽:場(chǎng)效應(yīng)管晶體管 3.2萬(wàn) 0
金屬封裝的3根引腳的場(chǎng)效應(yīng)管,3DJ2型,管殼上有一個(gè)突出的尖,將引腳朝上,從突出部分開(kāi)始順時(shí)針?lè)较蛞来螢镈,S,G極,其中D,S極可互換。
2019-05-15 標(biāo)簽:場(chǎng)效應(yīng)管場(chǎng)效應(yīng) 7487 0
場(chǎng)效應(yīng)管的三個(gè)極相當(dāng)于三級(jí)管的三個(gè)電極,G是控制極,相當(dāng)于三級(jí)管的B極,電壓控制DS的導(dǎo)通率(三極管是電流控制型,B極控制CE的導(dǎo)通能力)D級(jí)是漏極,相...
2019-05-15 標(biāo)簽:場(chǎng)效應(yīng)管場(chǎng)效應(yīng) 2.7萬(wàn) 0
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