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太陽(yáng)能電池

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太陽(yáng)能電池又稱為“太陽(yáng)能芯片”或“光電池”，是一種利用太陽(yáng)光直接發(fā)電的光電半導(dǎo)體薄片。它只要被滿足一定照度條件的光照到，瞬間就可輸出電壓及在有回路的情況下產(chǎn)生電流。在物理學(xué)上稱為太陽(yáng)能光伏（Photovoltaic，縮寫為PV），簡(jiǎn)稱光伏。

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全部技術(shù) 資訊資料帖子視頻產(chǎn)品方案企業(yè) 太陽(yáng)能電池選型

太陽(yáng)能電池技術(shù)

TOPCon太陽(yáng)能電池在UV輻照下的電性能衰減與恢復(fù)機(jī)制研究

TOPCon太陽(yáng)能電池的UV輻照衰減特性主要受正面和背面鈍化方式的影響，正面更容易受到UV輻照的影響。通過(guò)提高SiNx層的折射率和增加AlOx層的厚度，...

2025-03-07 標(biāo)簽：太陽(yáng)能電池光電轉(zhuǎn)換 UV 1100 0

22.0%效率的突破：前硅多晶硅選擇性發(fā)射極雙面TOPCon電池的制備與優(yōu)化

隨著全球能源需求的增長(zhǎng)，開發(fā)高效率太陽(yáng)能電池變得尤為重要。本文旨在開發(fā)一種成本效益高且可擴(kuò)展的制備工藝，用于制造具有前側(cè)SiOx/多晶硅選擇性發(fā)射極的雙...

2025-03-03 標(biāo)簽：太陽(yáng)能電池電池 679 0

TOPCon太陽(yáng)能電池接觸電阻優(yōu)化：美能TLM測(cè)試儀助力LECO工藝實(shí)現(xiàn)25.97%效率突破

n-TOPCon太陽(yáng)能電池因其獨(dú)特的超薄二氧化硅（SiOx）層和n+多晶硅（poly-Si）層而受到關(guān)注，這種設(shè)計(jì)有助于實(shí)現(xiàn)低復(fù)合電流密度（J0）和降低...

2025-02-26 標(biāo)簽：太陽(yáng)能電池測(cè)試儀接觸電阻 732 0

高效TOPCon基背接觸polyZEBRA太陽(yáng)能電池：效率突破24%

工業(yè)太陽(yáng)能電池正從PERC向TOPCon技術(shù)過(guò)渡，雙面應(yīng)用TOPCon結(jié)構(gòu)可突破傳統(tǒng)前側(cè)擴(kuò)散限制。polyZEBRA技術(shù)，通過(guò)將雙極性TOPCon結(jié)構(gòu)集...

2025-02-12 標(biāo)簽：太陽(yáng)能電池電阻率電池效率 710 0

基于ISOS標(biāo)準(zhǔn)的全面解析與應(yīng)用，鈣鈦礦太陽(yáng)能電池（PSCs）穩(wěn)定性評(píng)估

新型光伏技術(shù)需兼具高功率轉(zhuǎn)換效率和長(zhǎng)期穩(wěn)定性，鈣鈦礦太陽(yáng)能電池雖有潛力，但穩(wěn)定性研究存在問題，而ISOS標(biāo)準(zhǔn)可作為統(tǒng)一測(cè)試的起點(diǎn)?！该滥芄夥棺贤饫贤庠?..

2025-02-10 標(biāo)簽：太陽(yáng)能電池測(cè)試 PSCS 1555 0

四種常用的最大功率點(diǎn)跟蹤MPPT技術(shù)介紹

太陽(yáng)能電池低轉(zhuǎn)換效率限制了其廣泛使用，因此需要一種具有最大功率點(diǎn)跟蹤(MPPT)容量的功率轉(zhuǎn)換器與太陽(yáng)能電池相結(jié)合。四種常用的最大功率點(diǎn)跟蹤MPPT技術(shù)...

2025-02-06 標(biāo)簽：太陽(yáng)能電池 MPPT 恒定電壓 2058 0

Poly-SE選擇性多晶硅鈍化觸點(diǎn)在n-TOPCon電池中的應(yīng)用

Poly-SEs技術(shù)通過(guò)在電池的正面和背面形成具有選擇性的多晶硅層，有效降低了電池的寄生吸收和接觸電阻，同時(shí)提供了優(yōu)異的電流收集能力。在n型TOPCon...

2025-02-06 標(biāo)簽：太陽(yáng)能電池晶硅晶片 682 0

PFA過(guò)濾延展網(wǎng)在半導(dǎo)體硅片制備過(guò)程中的作用

PFA氟聚合物延展網(wǎng)可作為濾膜介質(zhì)支撐，解決濾膜在強(qiáng)力和高壓下的耐受力，延展網(wǎng)孔孔距不會(huì)受壓力變化而變距，在半導(dǎo)體和高純硅片的制備和生產(chǎn)中得到更廣泛的應(yīng)...

2025-01-20 標(biāo)簽：太陽(yáng)能電池半導(dǎo)體硅片 558 0

利用4200A-SCS參數(shù)分析儀研究光伏材料和太陽(yáng)能電池的電學(xué)特性

隨著清潔能源需求增長(zhǎng)，太陽(yáng)能的潛力日益受到關(guān)注，太陽(yáng)能電池通過(guò)吸收光子釋放電子，將陽(yáng)光直接轉(zhuǎn)化為電能。電氣測(cè)試廣泛用于研發(fā)和生產(chǎn)中，以表征其性能，包括直...

2025-01-14 標(biāo)簽：太陽(yáng)能電池光伏電池參數(shù)分析儀 2116 0

基于ISOS測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)，兩種封裝方式對(duì)鈣鈦礦太陽(yáng)能電池性能影響分析

鈣鈦礦太陽(yáng)能電池（PSCs）極具潛力，但濕度和氧氣會(huì)導(dǎo)致其性能快速下降，因此封裝技術(shù)對(duì)提高其穩(wěn)定性至關(guān)重要。文章研究了兩種常見的封裝策略：基于層壓的玻璃...

2025-01-03 標(biāo)簽：太陽(yáng)能電池測(cè)試鈣鈦礦 971 0

原子層沉積ALD技術(shù)實(shí)現(xiàn)邊緣鈍化，TOPCon電池效率提高0.123%

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2024-12-23 標(biāo)簽：太陽(yáng)能電池測(cè)量電池 1325 0

接觸角測(cè)量揭示TTC疏水層對(duì)鈣鈦礦太陽(yáng)能電池穩(wěn)定性的影響

有機(jī)鹵化鉛鈣鈦礦材料因優(yōu)異光電性能推動(dòng)鈣鈦礦電池的研究，但該電池存在不穩(wěn)定性，尤其對(duì)水分敏感，影響其商業(yè)應(yīng)用。TTC層在鈣鈦礦的晶界上有效地沉積，對(duì)晶粒...

2024-11-27 標(biāo)簽：太陽(yáng)能電池材料測(cè)量 1323 0

ITO點(diǎn)接觸方案在HBC電池中的應(yīng)用

一種新型的晶體硅（c-Si）太陽(yáng)能電池設(shè)計(jì)，基于雙面異質(zhì)結(jié)背接觸太陽(yáng)能電池（HBC電池），并采用了透明導(dǎo)電氧化物（TCO）。三種雙面HBC電池方案：全面...

2024-11-21 標(biāo)簽：太陽(yáng)能電池 ITO 晶體硅 641 0

優(yōu)化方阻分布：晶體硅電池基于陶瓷輥式擴(kuò)散（CRID）的高均勻磷發(fā)射極均勻性研究

晶體硅太陽(yáng)能電池作為市場(chǎng)上的主流產(chǎn)品，其效率提升對(duì)降低成本和提高市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力至關(guān)重要。在晶體硅太陽(yáng)能電池的生產(chǎn)過(guò)程中，發(fā)射極的方阻均勻性對(duì)電池性能有顯著影...

2024-11-02 標(biāo)簽：太陽(yáng)能電池測(cè)試儀晶體硅電池 786 0

鈣鈦礦太陽(yáng)能電池穩(wěn)定性測(cè)試的最大功率點(diǎn)跟蹤（MPPT）

鈣鈦礦太陽(yáng)能電池因其高效率和低成本的制造潛力而受到廣泛關(guān)注，但穩(wěn)定性方面的挑戰(zhàn)阻礙了商業(yè)化。影響其穩(wěn)定性的因素眾多，因此需要專門設(shè)備進(jìn)行廣泛的運(yùn)行穩(wěn)定性...

2024-10-10 標(biāo)簽：太陽(yáng)能電池測(cè)試 MPPT 1898 0

Poly層厚度對(duì)TOPCon太陽(yáng)能電池性能的影響

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光伏多晶硅的應(yīng)用領(lǐng)域有哪些

光伏多晶硅是太陽(yáng)能光伏產(chǎn)業(yè)中的關(guān)鍵材料，它在太陽(yáng)能電池的生產(chǎn)中扮演著重要角色。多晶硅太陽(yáng)能電池因其成本相對(duì)較低、制造工藝成熟、穩(wěn)定性好等特點(diǎn)，在光伏市場(chǎng)...

2024-09-20 標(biāo)簽：太陽(yáng)能電池光伏多晶硅能源效率 1307 0

光伏多晶硅的分片方法及優(yōu)缺點(diǎn)

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2024-09-20 標(biāo)簽：太陽(yáng)能電池光伏多晶硅硅片 1110 0

鈣鈦礦太陽(yáng)能電池中的潛在誘導(dǎo)降解（PID）分析

盡管鈣鈦礦太陽(yáng)能電池性能取得了很大進(jìn)展，但對(duì)其潛在誘導(dǎo)降解(PID)仍未得到充分研究。通過(guò)對(duì)鈣鈦礦太陽(yáng)能電池進(jìn)行60℃環(huán)境模擬，施加1000V偏置電壓1...

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摻雜分布對(duì)太陽(yáng)能電池薄膜方阻和接觸電阻的影響

在太陽(yáng)能電池的研究中，提高電池的光電轉(zhuǎn)換效率是至關(guān)重要的目標(biāo)。四點(diǎn)探針法和TLM傳輸法兩種測(cè)試方法在研究晶硅太陽(yáng)能電池的薄膜方阻均一性和摻雜前后接觸電阻...

2024-08-30 標(biāo)簽：太陽(yáng)能電池薄膜接觸電阻 994 0

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HTC Vive是由HTC與Valve聯(lián)合開發(fā)的一款VR頭顯（虛擬現(xiàn)實(shí)頭戴式顯示器）產(chǎn)品，于2015年3月在MWC2015上發(fā)布。由于有Valve的SteamVR提供的技術(shù)支持，因此在Steam平臺(tái)上已經(jīng)可以體驗(yàn)利用Vive功能的虛擬現(xiàn)實(shí)游戲。2016年6月，HTC推出了面向企業(yè)用戶的Vive虛擬現(xiàn)實(shí)頭盔套裝—Vive BE（即商業(yè)版），其中包括專門的客戶支持服務(wù)。
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