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標(biāo)簽 > 存儲(chǔ)器
存儲(chǔ)器(Memory)是現(xiàn)代信息技術(shù)中用于保存信息的記憶設(shè)備。其概念很廣,有很多層次,在數(shù)字系統(tǒng)中,只要能保存二進(jìn)制數(shù)據(jù)的都可以是存儲(chǔ)器;在集成電路中,一個(gè)沒(méi)有實(shí)物形式的具有存儲(chǔ)功能的電路也叫存儲(chǔ)器,如RAM、FIFO等;在系統(tǒng)中,具有實(shí)物形式的存儲(chǔ)設(shè)備也叫存儲(chǔ)器,如內(nèi)存條、TF卡等。計(jì)算機(jī)中全部信息,包括輸入的原始數(shù)據(jù)、計(jì)算機(jī)程序、中間運(yùn)行結(jié)果和最終運(yùn)行結(jié)果都保存在存儲(chǔ)器中。
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電感是一種能夠存儲(chǔ)電能的元件,廣泛應(yīng)用于電源濾波、LC振蕩電路以及中低頻濾波電路中。其感抗與頻率成正比,這意味著在高頻下,電感對(duì)電流的阻礙作用會(huì)增強(qiáng)。
MCU制程工藝邁進(jìn)28nm時(shí)代,汽車(chē)行業(yè)的創(chuàng)新之路
瑞薩日前宣布,公司已基于STT-MRAM的電路技術(shù)開(kāi)發(fā)出具有快速讀寫(xiě)能力的測(cè)試芯片。該MCU 測(cè)試芯片采用 22 納米工藝制造,包括一個(gè) 10.8Mbi...
淺析RAM存儲(chǔ)器內(nèi)部結(jié)構(gòu)圖
在計(jì)算機(jī)中,CPU需要定期地從 RAM 存儲(chǔ)器中讀取數(shù)據(jù)和指令。隨著計(jì)算機(jī)應(yīng)用程序的不斷發(fā)展,RAM 存儲(chǔ)器的容量和速度不斷提高,以適應(yīng)計(jì)算機(jī)系統(tǒng)的需要。
HBM、HBM2、HBM3和HBM3e技術(shù)對(duì)比
AI服務(wù)器出貨量增長(zhǎng)催化HBM需求爆發(fā),且伴隨服務(wù)器平均HBM容量增加,經(jīng)測(cè)算,預(yù)期25年市場(chǎng)規(guī)模約150億美元,增速超過(guò)50%。
FPGA驅(qū)動(dòng)下的視頻圖像拼接融合技術(shù)革新
視頻流的每個(gè)單獨(dú)幀將具有對(duì)應(yīng)于紅色、綠色和藍(lán)色的三個(gè)通道。視頻幀中的顏色信息不會(huì)增強(qiáng)特征檢測(cè)。此外,與單通道 8 位圖像相比,3 通道 8 位圖像的計(jì)算...
存儲(chǔ)芯片是一種用于存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的集成電路芯片,也被稱(chēng)為存儲(chǔ)器芯片。
7系列FPGA中的POST_CRC錯(cuò)誤檢測(cè)與恢復(fù)策略
FPGA 在比特流被加載時(shí)計(jì)算 CRC 值,然后該值與在比特流加載結(jié)束時(shí)預(yù)期的 CRC 值進(jìn)行比較。如果兩個(gè)值匹配,則FPGA 成功加載。
三菱PLC入門(mén)電氣新手必知的基礎(chǔ)知識(shí)
系統(tǒng)存儲(chǔ)器——系統(tǒng)程序存儲(chǔ)器+系統(tǒng)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器>存放系統(tǒng)工作程序(監(jiān)控程序)﹔ >存放模塊化應(yīng)用功能子程序;>存放命令解釋程序; &...
給大家講講嵌入式系統(tǒng)中I2C總線(xiàn)的時(shí)序
I2C總線(xiàn)在嵌入式系統(tǒng)中很常見(jiàn),今天就來(lái)給大家講講I2C總線(xiàn)的時(shí)序。
2024-02-23 標(biāo)簽:存儲(chǔ)器嵌入式系統(tǒng)EEPROM 2193 0
基于STM32U5片內(nèi)溫度傳感器正確測(cè)算溫度實(shí)戰(zhàn)經(jīng)驗(yàn)分享
STM32 在內(nèi)部都集成了一個(gè)溫度傳感器,STM32U5 也不例外。這個(gè)位于晶圓上的溫度傳感器雖然不太適合用來(lái)測(cè)量外部環(huán)境的溫度,但是用于監(jiān)控晶圓上的溫...
繼電器是一種利用電磁鐵控制的開(kāi)關(guān);當(dāng)向電磁鐵通電時(shí)就產(chǎn)生磁場(chǎng),而這個(gè)磁場(chǎng)就會(huì)吸合或者分離開(kāi)關(guān),從而實(shí)現(xiàn)“以微弱電流控制另一條電路的通斷”這個(gè)功能。
I2C總線(xiàn)在嵌入式系統(tǒng)中很常見(jiàn),但最近在一個(gè)群(可能是初學(xué)者群)交流的信息,讓我比較吃驚,很多人連I2C總線(xiàn)基本的知識(shí)都不清楚。今天就來(lái)給大家講講I2C...
通過(guò)多級(jí)存儲(chǔ)器的設(shè)計(jì),存儲(chǔ)器層次結(jié)構(gòu)能夠在存儲(chǔ)容量和訪(fǎng)問(wèn)速度之間找到一個(gè)平衡點(diǎn)。高速緩存存儲(chǔ)器和主存儲(chǔ)器提供了快速的訪(fǎng)問(wèn)速度,而輔助存儲(chǔ)器則提供了大量的...
淺談flash存儲(chǔ)器的特點(diǎn)和優(yōu)缺點(diǎn)
Flash存儲(chǔ)器的寫(xiě)操作具有特殊性,它只能將數(shù)據(jù)位從1寫(xiě)成0,而不能從0寫(xiě)成1。因此,在對(duì)存儲(chǔ)器進(jìn)行寫(xiě)入操作之前,必須先執(zhí)行擦除操作,將預(yù)寫(xiě)入的數(shù)據(jù)位初...
2024-02-19 標(biāo)簽:FlaSh存儲(chǔ)器Flash存儲(chǔ)器 5234 0
MRAM特性?xún)?yōu)勢(shì)和存儲(chǔ)原理
MRAM是以磁性隧道結(jié)(MTJ)儲(chǔ)存單元為基礎(chǔ)。MTJ中包含了一個(gè)維持單一極性方向的固定層,和一個(gè)通過(guò)隧道結(jié)與其隔離的自由層。當(dāng)自由層被施予和固定層相同...
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