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標簽 > 存儲器
存儲器(Memory)是現(xiàn)代信息技術(shù)中用于保存信息的記憶設備。其概念很廣,有很多層次,在數(shù)字系統(tǒng)中,只要能保存二進制數(shù)據(jù)的都可以是存儲器;在集成電路中,一個沒有實物形式的具有存儲功能的電路也叫存儲器,如RAM、FIFO等;在系統(tǒng)中,具有實物形式的存儲設備也叫存儲器,如內(nèi)存條、TF卡等。計算機中全部信息,包括輸入的原始數(shù)據(jù)、計算機程序、中間運行結(jié)果和最終運行結(jié)果都保存在存儲器中。
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本文主要介紹FPGA中常用的RAM、ROM、CAM、SRAM、DRAM、FLASH等資源,包括特性、工作原理、應用場景等。
MCU是許多嵌入式子系統(tǒng)設計中的關(guān)鍵元素,但實現(xiàn)必要的系統(tǒng)功能通常需要額外的功能。也許基于MCU的設計中最受限制的元素之一是片上存儲器。越來越多的應用程...
隨著人們對計算機和電子設備的需求不斷增長,存儲器的種類也越來越多。其中,RAM(Random Access Memory,隨機訪問存儲器)是計算機中最常...
采用同構(gòu)多核(many-core)架構(gòu),超過1000個獨立的處理器。每個處理器核的處理能力和具體支持的操作還不清楚。支持all-to-all的核間通信,...
TBW的概念及寫入放大系數(shù) 如何降低寫入放大對存儲器的影響
TBW(Total Bytes Written)是衡量閃存存儲器壽命和耐用性的重要指標。但由于寫入放大的影響,實際TBW值可能會偏離理論值。
軟件開發(fā)人員往往期望計算機硬件擁有無限容量、零訪問延遲、無限帶寬以及便宜的內(nèi)存,但是現(xiàn)實卻是內(nèi)存容量越大,相應的訪問時間越長
基于單片機和FM25640存儲器實現(xiàn)汽車行駛記錄儀的設計
我國汽車行駛記錄儀國家標準GB/T19056-2003已經(jīng)于2003年9月1日開始實施,對耐高/低溫和濕熱性、抗振動、抗沖擊、外殼防護、靜電放電抗擾度、...
在探討存儲器中訪問速度最快的是哪一種時,我們首先需要了解計算機存儲系統(tǒng)的層次結(jié)構(gòu)以及各類存儲器的特性和功能。計算機存儲系統(tǒng)通常包括多個層次的存儲器,從速...
基于AT24C02和W27C512存儲器實現(xiàn)網(wǎng)絡衛(wèi)士隔離卡的設計
網(wǎng)絡衛(wèi)士隔離卡的工作原理是:利用PCI總線的擴展ROM機制,在隔離卡上嵌入擴展程序,開機后,擴展程序先取得控制權(quán),出現(xiàn)選擇內(nèi)外網(wǎng)的圖形界面。當擴展ROM...
Numonyx首席技術(shù)官Ed Doller講述了選擇存儲器時的混亂局面,以及如何選擇適合您的存儲器解決方案(節(jié)選自Ed在Memcon '08上的主題演講)。
MicroBlaze大內(nèi)部存儲器(AXI BRAM)設計
MicroBlaze可以使用AXI BRAM存放數(shù)據(jù)和指令。有些客戶軟件很大,需要把AXI BRAM的空間做到最大。AXI BRAM底層是Block R...
2022-08-02 標簽:存儲器MicroBlazeBRAM 3751 0
反相降壓-升壓轉(zhuǎn)換器可采用高度集成的降壓穩(wěn)壓器IC實現(xiàn)。如圖3所示,使用ISL85410降壓穩(wěn)壓器的簡化電路。將降壓穩(wěn)壓器配置為反相降壓-升壓轉(zhuǎn)換器時,...
飛秒激光直寫技術(shù):突破光學衍射極限 開啟量子制造新時代!
飛秒激光直寫技術(shù)是一種具備三維加工能力的制造技術(shù),其加工分辨率問題一直是研究者關(guān)注的重點和國際研究前沿。
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