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標(biāo)簽 > 存儲器
存儲器(Memory)是現(xiàn)代信息技術(shù)中用于保存信息的記憶設(shè)備。其概念很廣,有很多層次,在數(shù)字系統(tǒng)中,只要能保存二進制數(shù)據(jù)的都可以是存儲器;在集成電路中,一個沒有實物形式的具有存儲功能的電路也叫存儲器,如RAM、FIFO等;在系統(tǒng)中,具有實物形式的存儲設(shè)備也叫存儲器,如內(nèi)存條、TF卡等。計算機中全部信息,包括輸入的原始數(shù)據(jù)、計算機程序、中間運行結(jié)果和最終運行結(jié)果都保存在存儲器中。
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在當(dāng)前計算密集的高性能系統(tǒng)中,動態(tài)隨機存儲器(DRAM)和嵌入式動態(tài)隨機存取存儲器(embedded-DRAM,eDRAM)是主要的動態(tài)快速讀/寫存儲器。
在當(dāng)前計算密集的高性能系統(tǒng)中,動態(tài)隨機存儲器(DRAM)和嵌入式動態(tài)隨機存取存儲器(embedded-DRAM,eDRAM)是主要的動態(tài)快速讀/寫存儲器...
隨著變量(組件)數(shù)量的增加,“保證”低收益保護可能變得不切實際。然后,可以采用另一種校準(zhǔn)技術(shù)。假設(shè)產(chǎn)品有幾個校準(zhǔn)區(qū)域。我們將這些區(qū)域稱為 A、B 和 C...
如果系統(tǒng)電源高于指定的寫保護電壓(V衛(wèi)生紙),三個控制輸入引腳(/CE、/WE和/OE)定義了要執(zhí)行的存儲器操作,如表1所示。寫入命令優(yōu)先于讀取命令。最...
由于我們的目標(biāo)是小于 28nm 的工藝節(jié)點,設(shè)計人員不得不應(yīng)對由較小幾何形狀引起的復(fù)雜問題,從接近度、多邊形間距和其他布局相關(guān)效應(yīng)到確定合適的 FinF...
本應(yīng)用筆記描述了意法半導(dǎo)體開發(fā)的首款指令緩存(ICACHE)和數(shù)據(jù)緩存(DCACHE)。
隨著芯片制造商尋找維持驅(qū)動電流的新方法,鐵電體(Ferroelectric)重新獲得關(guān)注。
半導(dǎo)體存儲技術(shù)在電子設(shè)計中占有重要的地位,在幾乎任何包含處理器的系統(tǒng)中都會用到各種各樣的存儲器。 隨著處理器的進化和發(fā)展,存儲技術(shù)也跟隨著不斷進步。 另...
如何選擇DRAM?深入了解內(nèi)存的使用方式及連接方式
DRAM 仍然是任何這些架構(gòu)中的重要組成部分,盡管多年來一直在努力用更快、更便宜或更通用的內(nèi)存取代它,甚至將其嵌入到 SoC 中。
詳解三維NAND集成工藝(3D-NAND Integration Technology)
在20nm 工藝節(jié)點之后,傳統(tǒng)的平面浮柵 NAND 閃速存儲器因受到鄰近浮柵 -浮柵的耦合電容干擾而達(dá)到了微縮的極限。為了實現(xiàn)更高的存儲容量,NAND集...
動態(tài)內(nèi)存分配優(yōu)化了Blackfin處理器軟件的集成
典型的DSP通常具有少量快速片上存儲器。微控制器通??梢栽L問更大的外部存儲器。Blackfin處理器具有分層內(nèi)存架構(gòu),結(jié)合了兩種方法的優(yōu)點,提供具有不同...
CXL是一個全新的得到業(yè)界認(rèn)同的互聯(lián)技術(shù)標(biāo)準(zhǔn),其正帶著服務(wù)器架構(gòu)迎來革命性的轉(zhuǎn)變。
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