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標(biāo)簽 > 存儲(chǔ)器
存儲(chǔ)器(Memory)是現(xiàn)代信息技術(shù)中用于保存信息的記憶設(shè)備。其概念很廣,有很多層次,在數(shù)字系統(tǒng)中,只要能保存二進(jìn)制數(shù)據(jù)的都可以是存儲(chǔ)器;在集成電路中,一個(gè)沒(méi)有實(shí)物形式的具有存儲(chǔ)功能的電路也叫存儲(chǔ)器,如RAM、FIFO等;在系統(tǒng)中,具有實(shí)物形式的存儲(chǔ)設(shè)備也叫存儲(chǔ)器,如內(nèi)存條、TF卡等。計(jì)算機(jī)中全部信息,包括輸入的原始數(shù)據(jù)、計(jì)算機(jī)程序、中間運(yùn)行結(jié)果和最終運(yùn)行結(jié)果都保存在存儲(chǔ)器中。
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自適應(yīng)實(shí)時(shí)DSP架構(gòu)用于監(jiān)測(cè)電網(wǎng)中的諧波成分和各種電能質(zhì)量因素
電網(wǎng)上不斷變化的負(fù)載與更恒定的發(fā)電輸出之間的動(dòng)態(tài)平衡可以在高負(fù)載時(shí)將初級(jí)工頻拉得略低,或在負(fù)載下降時(shí)拉得略高。在電網(wǎng)發(fā)達(dá)、受到嚴(yán)密監(jiān)控的國(guó)家,頻移量相當(dāng)...
增強(qiáng)型51單片機(jī)和傳統(tǒng)51單片機(jī)對(duì)比分析
前面的內(nèi)容,我們從傳統(tǒng)的51單片機(jī)出發(fā),從硬件的基礎(chǔ)上,一步步衍生出了增強(qiáng)型51單片機(jī)所增強(qiáng)的地方?,F(xiàn)在我們可以清楚地了解,增強(qiáng)型51單片機(jī)對(duì)比傳統(tǒng)的5...
可靠的長(zhǎng)線(xiàn)1-Wire網(wǎng)絡(luò)指南
本應(yīng)用筆記介紹了一個(gè)項(xiàng)目的結(jié)果,以表征各種形式、規(guī)模和數(shù)量的1-Wire網(wǎng)絡(luò)的運(yùn)行情況。它還為可靠的網(wǎng)絡(luò)運(yùn)行提供了工作參數(shù)。這里討論的一些方面在短線(xiàn)應(yīng)用...
DS1620在溫度控制應(yīng)用中的應(yīng)用和使用
DS1620數(shù)字溫度計(jì)和恒溫器提供3路溫控器輸出(THIGH, TLOW和TCOM),可用于控制風(fēng)扇或加熱器。有兩個(gè)用戶(hù)可編程閾值(TH和 TL) 控制...
新型存儲(chǔ)技術(shù):新型SCM類(lèi)介質(zhì)的特性及使用方法的總結(jié)和介紹
Storage Class Memory (SCM)是非易失性?xún)?nèi)存,該類(lèi)介質(zhì)的存取速度略比內(nèi)存慢,但是遠(yuǎn)快于NAND類(lèi)介質(zhì)。本文對(duì)該類(lèi)介質(zhì)的特性及使用方...
2023-01-15 標(biāo)簽:NAND存儲(chǔ)器存儲(chǔ)技術(shù) 2919 0
DDR存儲(chǔ)器端接電源靈活適用于2.5V和1.8V存儲(chǔ)器系統(tǒng)
本設(shè)計(jì)筆記展示了 DDR 存儲(chǔ)器端接電源如何供應(yīng)和吸收 6A 電流,同時(shí)保持 1.8V 或 2.5V 電源的穩(wěn)壓基準(zhǔn)電壓。該電路為 DDR 同步 DRA...
2023-01-14 標(biāo)簽:存儲(chǔ)器運(yùn)算放大器DDR 2948 0
使用數(shù)字電位計(jì)進(jìn)行按住控制設(shè)置調(diào)整
使用微處理器,可以編寫(xiě)一個(gè)例程,對(duì)控制輸入進(jìn)行去抖動(dòng),并添加調(diào)整前的延遲閉合開(kāi)關(guān),以防止無(wú)意中調(diào)整設(shè)置。然而,使用微處理器實(shí)現(xiàn)用戶(hù)友好的控制調(diào)整可能涉及...
2023-01-14 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器存儲(chǔ)器電位計(jì) 1831 0
MAX1917為冗余電源提供預(yù)偏置軟啟動(dòng)
預(yù)偏置軟啟動(dòng)已成為冗余電源系統(tǒng)、并聯(lián)電源模塊、電池后備電壓總線(xiàn)以及多個(gè)電源為一個(gè)節(jié)點(diǎn)供電的其他應(yīng)用中的重要特性。具體而言,預(yù)偏置軟啟動(dòng)可確保在DC/DC...
從SD卡、手機(jī)、平板等消費(fèi)級(jí)產(chǎn)品到數(shù)據(jù)中心企業(yè)級(jí)場(chǎng)景,NAND Flash憑借其高性能、大容量、低功耗以及低成本等特性大受歡迎,是目前應(yīng)用最為廣泛的半導(dǎo)...
關(guān)于存儲(chǔ)器的常見(jiàn)類(lèi)型整理
閃存,和EEPROM一樣可擦除可重寫(xiě),差別EEPROM總是按字節(jié)操作,F(xiàn)LASH可以按照字節(jié)塊擦除。
DS1213 SmartSocket產(chǎn)品已達(dá)到使用壽命,可使用引腳兼容、等效密度的5V NV SRAM模塊產(chǎn)品進(jìn)行更換。使用該替換模塊產(chǎn)品,客戶(hù)將安裝完...
馮·諾依曼精準(zhǔn)找出電腦運(yùn)行緩慢的關(guān)鍵:處理器雖然可以快速完成計(jì)算,但在計(jì)算間隙,需要進(jìn)行大量I/O步驟來(lái)保存計(jì)算的中間數(shù)據(jù),這極大的拖累了處理器的整體處理速度。
2023-01-12 標(biāo)簽:存儲(chǔ)器數(shù)據(jù)交換存算一體 947 0
如何使用DS185XEVKIT中的文件選項(xiàng)卡對(duì)器件進(jìn)行編程
圖1所示為DS185x評(píng)估板(DS185XEVKIT)軟件的文件部分。您可以使用“生成模板”和“填充設(shè)備”按鈕對(duì)設(shè)備進(jìn)行編程。Gen Template ...
作為使用PAL、GAL或CPLD器件實(shí)現(xiàn)非易失性門(mén)控功能的替代方案,這些電路使用串行接口控制的數(shù)字電位器(MAX5427或MAX5527)存儲(chǔ)門(mén)控信號(hào)(...
細(xì)說(shuō)MCS-51單片機(jī)的物理存儲(chǔ)空間
我們?cè)趯W(xué)習(xí)傳統(tǒng)的MCS-51單片機(jī)的時(shí)候,一定學(xué)習(xí)過(guò)51單片機(jī)的存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)。傳統(tǒng)的MCS-51存儲(chǔ)器有三個(gè)空間,分別是片內(nèi)RAM(內(nèi)部數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器)、片...
DS32X35高精度實(shí)時(shí)時(shí)鐘和鐵電隨機(jī)存取存儲(chǔ)器的優(yōu)勢(shì)
主要的非易失性存儲(chǔ)器技術(shù)包括電池備份SRAM、EEPROM和閃存。FRAM以類(lèi)似于傳統(tǒng)SRAM的速度提供非易失性存儲(chǔ)。功能操作類(lèi)似于串行EEPROM,主...
為MAX14XX低成本高性能信號(hào)調(diào)理器件增加診斷功能
基于MAX1452和MAX1455系列高性能信號(hào)調(diào)理產(chǎn)品的產(chǎn)品具有成本效益,無(wú)需更換測(cè)試系統(tǒng)或增加校準(zhǔn)過(guò)程的大量時(shí)間,即可為產(chǎn)品添加系統(tǒng)診斷、產(chǎn)品診斷、...
如何配置DS1852報(bào)警和警告門(mén)限以符合SFF-8472
本應(yīng)用筆記旨在說(shuō)明如何配置DS1852,使報(bào)警和警告門(mén)限符合SFF-8472標(biāo)準(zhǔn)的存儲(chǔ)器位置要求。
在MAXQ2000的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器中實(shí)現(xiàn)軟堆棧
本應(yīng)用筆記演示了一種在數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器中實(shí)現(xiàn)軟堆棧的簡(jiǎn)單方法,用于基于匯編的應(yīng)用。該方法使用MAXQ2000和其他基于MAXQ20的微控制器。示例代碼使用MA...
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