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標(biāo)簽 > 存儲(chǔ)器
存儲(chǔ)器(Memory)是現(xiàn)代信息技術(shù)中用于保存信息的記憶設(shè)備。其概念很廣,有很多層次,在數(shù)字系統(tǒng)中,只要能保存二進(jìn)制數(shù)據(jù)的都可以是存儲(chǔ)器;在集成電路中,一個(gè)沒有實(shí)物形式的具有存儲(chǔ)功能的電路也叫存儲(chǔ)器,如RAM、FIFO等;在系統(tǒng)中,具有實(shí)物形式的存儲(chǔ)設(shè)備也叫存儲(chǔ)器,如內(nèi)存條、TF卡等。計(jì)算機(jī)中全部信息,包括輸入的原始數(shù)據(jù)、計(jì)算機(jī)程序、中間運(yùn)行結(jié)果和最終運(yùn)行結(jié)果都保存在存儲(chǔ)器中。
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DDR是當(dāng)前最常用的存儲(chǔ)器設(shè)計(jì)技術(shù)之一,其高速、低功耗的特性滿足了眾多消費(fèi)者的需求。隨著傳輸速度的加快,DDR的設(shè)計(jì)和驗(yàn)證難度呈指數(shù)上升。對(duì)于硬件設(shè)計(jì)人...
AT25XXX系列EEPROM存儲(chǔ)器的驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)、實(shí)現(xiàn)及使用
我們?cè)谇懊骈_發(fā)過AT24CXX系列EEPROM存儲(chǔ)器,它使用的是I2C接口。不過有時(shí)候我們也會(huì)使用SPI接口的EEPROM存儲(chǔ)器。在這一篇我們將來討論A...
2022-12-07 標(biāo)簽:存儲(chǔ)器EEPROM驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì) 5528 0
imec展示了一種基于鑭摻雜鋯酸鉿(La:HZO)的鐵電電容器。該電容器具有高耐久性(1011個(gè)周期)、高最終剩余極化強(qiáng)度(1.8MV/cm時(shí)2P R ...
BY25QXXX系列NOR FLASH存儲(chǔ)器的驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)
在有一些應(yīng)用中,我們可能需要大一些容量的存儲(chǔ)單元,而實(shí)現(xiàn)的形式多種多樣,在這一篇中我們將來討論怎么使用BY25QXXX系列NOR FLASH存儲(chǔ)器的問題。
MIMXRT1062CVL5B和MIMXRT1062XVN5B的區(qū)別
根據(jù)上表,MIMXRT1062CVL5B和MIMXRT1062XVN5B的區(qū)別主要是工業(yè)級(jí)溫度范圍,封裝大小。
存儲(chǔ)技術(shù)的新動(dòng)向:DDR5與DDR4 DIMMs比較
JEDEC將DDR5描述為一種“具備革命意義”的存儲(chǔ)器架構(gòu),認(rèn)為它的出現(xiàn)標(biāo)志整個(gè)產(chǎn)業(yè)即將向DDR5服務(wù)器雙列直插式存儲(chǔ)器模塊(DIMM)過渡。
2022-12-05 標(biāo)簽:存儲(chǔ)器存儲(chǔ)技術(shù)DDR5 4140 0
DRAM和NAND預(yù)計(jì)將占汽車內(nèi)存收入的近90%
2021 年,獨(dú)立內(nèi)存市場(chǎng)規(guī)模高達(dá)1670億美元。占整個(gè)半導(dǎo)體市場(chǎng)的 28%。相比之下,汽車存儲(chǔ)器市場(chǎng)(2021 年為 43億美元)占全球存儲(chǔ)器市場(chǎng)收入...
設(shè)計(jì)將使用FlexSPI1 接外部的 HyperRAM,F(xiàn)lexSPI2 接QSPI Flash存儲(chǔ)器芯片作為RT1176 引導(dǎo)設(shè)備。當(dāng)代碼在內(nèi)部RAM...
基于上述因素,越來越多的MCU大廠開始選擇在MCU中集成新型存儲(chǔ)器,比如相變存儲(chǔ)器(PCM)、磁RAM(MRAM)和阻變存儲(chǔ)器(RRAM)等,當(dāng)然不同的...
2022-12-01 標(biāo)簽:mcu存儲(chǔ)器阻變存儲(chǔ)器 1160 0
用于嵌入式系統(tǒng)引導(dǎo)的閃存設(shè)備的比較
許多嵌入式系統(tǒng)利用非易失性存儲(chǔ)器來存儲(chǔ)引導(dǎo)代碼、配置參數(shù)和系統(tǒng)斷電時(shí)保留的其他數(shù)據(jù)。今天,閃存在大多數(shù)嵌入式系統(tǒng)中扮演著這一角色。鑒于需要閃存的應(yīng)用程序...
單片機(jī)內(nèi)部存儲(chǔ)器和I/o口資源有限,多數(shù)情況下需要外部擴(kuò)展。
2022-12-01 標(biāo)簽:單片機(jī)存儲(chǔ)器擴(kuò)展技術(shù) 1674 0
按照存儲(chǔ)介質(zhì)的不同,現(xiàn)代數(shù)字存儲(chǔ)主要分為光學(xué)存儲(chǔ)器、磁性存儲(chǔ)器和半導(dǎo)體存儲(chǔ)器三類。光學(xué)存儲(chǔ)器包括 CD、DVD 等。磁性存儲(chǔ)器包含磁帶、軟盤、HDD 硬...
基于微處理器的游戲機(jī)使用靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器
處理器可以輕松地將RAM連接到其標(biāo)準(zhǔn)地址,數(shù)據(jù)和控制I/O,并且可以以最少的固件開銷訪問設(shè)備,而磁盤驅(qū)動(dòng)器或其他閃存則不是這種情況。
2022-11-30 標(biāo)簽:驅(qū)動(dòng)器存儲(chǔ)器RAM 1841 0
CPU無時(shí)不刻的在處理著大量的事務(wù),但有些事情卻沒有那么重要,比方說數(shù)據(jù)的復(fù)制和存儲(chǔ)數(shù)據(jù),如果我們把這部分的CPU資源拿出來,讓CPU去處理其他的復(fù)雜計(jì)...
在過去幾十年內(nèi),易失性存儲(chǔ)器沒有特別大的變化,主要分為DRAM(動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)和SRAM(靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)。它在任何時(shí)候都可以讀寫,RAM通常...
一文搞懂各種RAM、ROM存儲(chǔ)的異同點(diǎn)
半導(dǎo)體存儲(chǔ)器是指通過對(duì)半導(dǎo)體電路加以電氣控制,使其具備數(shù)據(jù)存儲(chǔ)保持功能的半導(dǎo)體電路裝置。與磁盤和光盤裝置等相比,具有數(shù)據(jù)讀寫快、存儲(chǔ)密度高、耗電量少、耐...
基于垂直架構(gòu)的新型二維半導(dǎo)體/鐵電多值存儲(chǔ)器
二維層狀半導(dǎo)體材料得益于原子級(jí)薄的厚度,其受到靜電場(chǎng)屏蔽效應(yīng)大大減弱,利用門電壓可以對(duì)其電學(xué)性能進(jìn)行有效調(diào)控。利用二維層狀半導(dǎo)體材料構(gòu)建的多端憶阻晶體管...
如下所示,CPU的MMC卡大小為128K,下載的程序大小超過128K,報(bào)錯(cuò)如下。
三星電子因?yàn)榫A代工廠規(guī)模小,所以租下了龐大的DRAM廠的一部分來練習(xí)EUV曝光30萬到40萬張,但似乎還不夠,7nm和5nm的良率也很低。更糟糕的是,...
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