存儲技術(shù)知識

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  平頭哥鎮(zhèn)岳510芯片的QoS技術(shù)解析

  針對上述需求，平頭哥存儲技術(shù)團(tuán)隊(duì)?wèi){借深度軟硬件協(xié)同設(shè)計(jì)，通過IOPS一致性、帶寬分配、時(shí)延控制三個(gè)核心技術(shù)構(gòu)建了全場景的

  2025-04-29 標(biāo)簽： 芯片 存儲技術(shù) SSD 777 0

• 存儲技術(shù)探秘 NAND Flash vs NOR Flash：藏在芯片里的"門道之爭"

  門電路玄機(jī) NOR Flash：Intel 1988 年革命性突破，終結(jié) EPROM/EEPROM 壟斷時(shí)代 NAND

  2025-03-18 標(biāo)簽： 芯片 NAND 存儲技術(shù) 262 0

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  NAND閃存的工作原理和結(jié)構(gòu)特點(diǎn)

  NAND閃存是一種非易失性存儲技術(shù)，廣泛用于固態(tài)硬盤、USB閃存盤和手機(jī)存儲中，具有高速讀寫和耐用性強(qiáng)的特點(diǎn)。

  2025-03-12 標(biāo)簽： 閃存 NAND 存儲器 988 0

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  一文搞懂先進(jìn)存儲技術(shù)

  高性能計(jì)算(High Performance Computing, HPC)以超高的計(jì)算性能廣泛應(yīng)用于國民經(jīng)濟(jì)的各個(gè)領(lǐng)域

  2025-02-26 標(biāo)簽： 處理器 存儲技術(shù) 計(jì)算機(jī) 715 0

• 閃速存儲器屬于RAM還是ROM，閃速存儲器一般用來做什么的

  在數(shù)字存儲技術(shù)的快速發(fā)展中，閃速存儲器（Flash Memory）以其獨(dú)特的性能和廣泛的應(yīng)用領(lǐng)域，成為了連接隨機(jī)存取存儲

  2025-01-29 標(biāo)簽： 存儲技術(shù) 閃速存儲器 只讀存儲器 618 0

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  詳解高耐久性氧化鉿基鐵電存儲器

  隨著AI技術(shù)的快速發(fā)展，特別是大規(guī)模語言模型（如ChatGPT和Sora）的出現(xiàn)，對數(shù)據(jù)處理能力和存儲技術(shù)提出了全新的需

  2025-01-23 標(biāo)簽： 存儲器 存儲技術(shù) 鐵電 889 0

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  平頭哥鎮(zhèn)岳510如何提升SSD響應(yīng)速度

  數(shù)字經(jīng)濟(jì)時(shí)代，隨著數(shù)據(jù)中心規(guī)模的不斷擴(kuò)大和數(shù)據(jù)量的爆發(fā)式增長，存儲技術(shù)的重要性日益顯著，?直接關(guān)系到數(shù)據(jù)中心的運(yùn)行性能、

  2025-01-21 標(biāo)簽： 存儲技術(shù) SSD 固態(tài)硬盤 551 0

• 法拉電容與電池的比較

  在現(xiàn)代能源存儲技術(shù)中，法拉電容和電池是兩種常見的儲能解決方案。它們各自在不同的應(yīng)用場景中發(fā)揮著重要作用。 1. 工作原理

  2025-01-19 標(biāo)簽： 存儲技術(shù) 電荷 法拉電容 627 0

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  引領(lǐng)國產(chǎn)存儲技術(shù)突破，得瑞領(lǐng)新斬獲“領(lǐng)雁行動”最高榮譽(yù)

  近日，得瑞領(lǐng)新在“重點(diǎn)領(lǐng)域領(lǐng)先科學(xué)技術(shù)成果與標(biāo)準(zhǔn)化領(lǐng)雁行動”中榮膺TOP1，彰顯了其技術(shù)實(shí)力與行業(yè)影響力。未來，得瑞將以

  2025-01-16 標(biāo)簽： 存儲技術(shù) 278 0

• 2025 CES：江波龍兩大品牌閃耀登場，展現(xiàn)存儲技術(shù)新未來

  近日，全球消費(fèi)電子的盛宴——CES(國際消費(fèi)電子展)在美國拉斯維加斯盛大開幕。本屆展會的主題定為“Dive In”，寓意

  2025-01-09 標(biāo)簽： 存儲技術(shù) 人工智能 江波龍 355 0

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