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存儲模組

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存儲是用以保存和記錄原始數(shù)據(jù)?運算步驟及中間結(jié)果等多種信息?模組，是自動識別領(lǐng)域?qū)σ痪S條碼掃描模組和二維條碼描模組的簡稱。

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存儲模組百科

　　存儲是用以保存和記錄原始數(shù)據(jù)?運算步驟及中間結(jié)果等多種信息?模組，是自動識別領(lǐng)域?qū)σ痪S條碼掃描模組和二維條碼描模組的簡稱。模組是進行二次開發(fā)的關(guān)鍵零件之一，具備完整獨立的描功能，可以嵌入到手機，電腦，打印機，流水線等各行各業(yè)的設(shè)備中。在集成電路中，一個沒有實物形式的具有存儲功能的電路也叫存儲器。

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存儲模組知識

分布式存儲服務(wù)器面臨的問題有哪些

分離式存儲系統(tǒng)（disaggregate storage）是新型架構(gòu)的重要組件，作為持久化數(shù)據(jù)的底座，在存儲介質(zhì)的集約化

2023-08-02 標簽：以太網(wǎng) SSD 分布式存儲 1136 0

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存儲模組技術(shù)

分布式存儲服務(wù)器面臨的問題有哪些

分離式存儲系統(tǒng)（disaggregate storage）是新型架構(gòu)的重要組件，作為持久化數(shù)據(jù)的底座，在存儲介質(zhì)的集約化管理基礎(chǔ)上，結(jié)合芯片、介質(zhì)的深度...

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CFMS2024 | 突破存儲模組經(jīng)營魔咒

3月20日，2024中國閃存市場峰會（以下簡稱“CFMS2024”）在深圳成功舉行，本屆CFMS2024以“存儲周期激發(fā)潛能”為主題，匯聚了全球存儲產(chǎn)...

2024-03-26 標簽：存儲模組 521 0

江波龍蔡華波談存儲模組轉(zhuǎn)型，破營收瓶頸

從NAND Flash芯片到尖端固件算法，再到主控芯片，江波龍已實現(xiàn)了較完整的存儲芯片自主設(shè)計能力，為公司在存儲行業(yè)的持續(xù)發(fā)展和創(chuàng)新奠定堅實基礎(chǔ)。

2024-03-22 標簽：存儲卡 Nand flash 江波龍 724 0

CFMS2024 | 突破存儲模組經(jīng)營魔咒

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2024-03-21 標簽：半導(dǎo)體江波龍存儲模組 595 0

DRAM價格將在2024年回升，年內(nèi)或再次漲價

存儲模組業(yè)者表示，目前市場對存儲芯片的需求不足，而價格卻堅挺穩(wěn)定，無論是漲還是跌都十分有限。雖然還無法明確感知市場景氣信號，但各大半導(dǎo)體研發(fā)商的價格策略...

2024-02-19 標簽：DRAM 存儲器存儲模組 1381 0

存儲芯片市場升溫，DRAM價格連續(xù)兩個月上漲

存儲模組大廠威剛發(fā)布2023年財報數(shù)據(jù)，2023年全年合并營收達337億新臺幣，同比下降3.9%。

2024-01-25 標簽：DRAM 存儲芯片 ASML 568 0

三星與美光擬提DRAM價格，以求盈利回暖

部分存儲模組廠已接到三星通知，要求明年年初至少將DRAM價格上調(diào)15%以上，且該通知并未涉及NAND閃存定價，故預(yù)計后者將會持續(xù)上漲。DRAM價格在去年...

2024-01-03 標簽：DRAM NAND 存儲模組 1192 0

AI PC需求加速DDR5滲透率提升

公司保持著在內(nèi)存接口芯片領(lǐng)域的相對領(lǐng)先態(tài)勢。公司牽頭制定DDR5RCD及MDB芯片的國際標準，研發(fā)持續(xù)領(lǐng)先。

2023-12-19 標簽：存儲器 DDR5 存儲模組 838 0

全球知名的SSD主控廠慧榮科技公布 2022 年第四季財報，營收 2 億 76 萬美元，與前一季相比減少 20%，較 2021 年同期減少 24%。

2023-02-15 標簽：SSD 慧榮科技存儲模組 574 0

得一微：卡位消費主流、貼合工業(yè)痛點，全系存儲解決方案擁抱存儲大時代

電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/黃晶晶）在過去的兩年，得一微電子通過融資、并購等舉措，階段性地完成了戰(zhàn)略布局，形成了存儲全系列解決方案，服務(wù)于消費電子、工業(yè)、安全...

2021-09-27 標簽：設(shè)計服務(wù)國產(chǎn)芯片得一微 5665 0

倪黃忠：時創(chuàng)意嵌入式存儲高增長的“獨門秘籍”

電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/黃晶晶）“2020年時創(chuàng)意電子的銷售額達到18億元，今年目標是25億元。其中，智能終端存儲芯片業(yè)務(wù)自去年下半年以來快速增長，目前營...

2021-09-26 標簽：DRAM NAND 時創(chuàng)意 5462 0

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特斯拉線圈又叫泰斯拉線圈，因為這是從“Tesla”這個英文名直接音譯過來的。這是一種分布參數(shù)高頻串聯(lián)諧振變壓器，可以獲得上百萬伏的高頻電壓。
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　Vcc和Vdd是器件的電源端。Vcc是雙極器件的正，Vdd多半是單極器件的正。下標可以理解為NPN晶體管的集電極C，和PMOS or NMOS場效應(yīng)管的漏極D。同樣你可在電路圖中看見Vee和Vss，含義一樣。因為主流芯片結(jié)構(gòu)是硅NPN所以Vcc通常是正。如果用PNP結(jié)構(gòu)Vcc就為負了。建議選用芯片時一定要看清電氣參數(shù)
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