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標(biāo)簽 > 寄生二極管
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MOS管的話題雖說是老生常談,但這份資料幾年前就有人給我分享過,這是網(wǎng)上評(píng)價(jià)非常高的一篇關(guān)于MOS管電路工作原理的講解,從管腳的識(shí)別,到極性的分辨,再到...
使用二級(jí)管,導(dǎo)通時(shí)會(huì)有壓降,會(huì)損失一些電壓。而使用MOS管做隔離,在正向?qū)〞r(shí),在控制極加合適的電壓,可以讓MOS管飽和導(dǎo)通,這樣通過電流時(shí)幾乎不產(chǎn)生壓降。
場效應(yīng)管怎么區(qū)分n溝道p溝道(MOS管導(dǎo)通條件)
按材料分可分為結(jié)型管和絕緣柵型管,絕緣柵型又分為耗盡型和增強(qiáng)型,一般主板上大多是絕緣柵型管簡稱MOS管,并且大多采用增強(qiáng)型的N溝道,其次是增強(qiáng)型的P溝道...
2024-03-06 標(biāo)簽:場效應(yīng)管MOS管開關(guān)器件 8675 0
氮化鎵MOS管(GaN MOSFET)是一種基于氮化鎵材料的金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管。它結(jié)合了氮化鎵的高電子遷移率和MOS管的優(yōu)良特性,具有高速開關(guān)速度...
這里,我們只關(guān)注IGBT芯片自身的短路,不考慮合封器件中并聯(lián)的二極管或者是RC-IGBT的寄生二極管。
2023-12-05 標(biāo)簽:IGBT漏電流驅(qū)動(dòng)電阻 1.0萬 0
早期工藝都是使用單個(gè)反偏二極管作為ESD防護(hù)器件。但是這種設(shè)計(jì)方法只適用于大線寬工藝。隨著工藝的進(jìn)步,現(xiàn)階段的ESD防護(hù)策略已經(jīng)不建議二極管反偏擊穿泄放...
Lg越大,P-WeLL的長度越大,P-WeLL的阱電阻越大,面對(duì)ESD的過沖電壓越高,開啟電阻Ron也隨之增大。同時(shí)載流子的穿透深度越大,其壽命越長,從...
2023-12-04 標(biāo)簽:串聯(lián)電阻二極管ESD 3202 0
今天給大家說一個(gè)很實(shí)用的小技能,用萬用表去檢測MOS管好壞的方法,這里以N溝道增強(qiáng)型場效應(yīng)管(N MOS管)為例給大家說一下
2023-11-13 標(biāo)簽:萬用表場效應(yīng)管MOS管 2808 0
在測試BUCK的開關(guān)波形時(shí),經(jīng)??吹讲煌酒ㄐ尾灰粯?比如有的上管導(dǎo)通前有下沖,導(dǎo)通后有過沖,斷開后有下沖,有的除了有過沖外,還有振蕩的情況,比如下圖...
如何利用N-MOSFET進(jìn)行電源防反接保護(hù)電路設(shè)計(jì)?
眾所周知,我們使用的大部分電子元件都是直流環(huán)境且電源正接下工作的,但是一旦電源出現(xiàn)反接的情況就有可能損壞電子元件,使其不能正常工作。
2023-09-17 標(biāo)簽:MOSFET晶體管場效應(yīng)晶體管 3708 0
二極管,(英語:Diode),電子元件當(dāng)中,一種具有兩個(gè)電極的裝置,只允許電流由單一方向流過,許多的使用是應(yīng)用其整流的功能。而變?nèi)荻O管(Varicap...
引言:MOSFET是金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MetalOxide Semiconductor Field Effect Transistor)的縮...
2023-06-16 標(biāo)簽:MOSFETMOS管場效應(yīng)晶體管 1690 0
無源器件在電路中一直扮演著很重要的角色,同樣在ESD設(shè)計(jì)中也需要應(yīng)用無源器件,亦或是無源器件也同樣要承受ESD沖擊。
2023-06-12 標(biāo)簽:串聯(lián)電阻SEMNMOS管 6754 0
MOS管基礎(chǔ)知識(shí)及應(yīng)用電路分析
當(dāng)電路中產(chǎn)生很大的瞬間反向電流時(shí),可以通過這個(gè)二極管導(dǎo)出來,不至于擊穿這個(gè)MOS管,起到保護(hù)MOS管的作用。
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