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標(biāo)簽 > 寄生二極管
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如何利用N-MOSFET進(jìn)行電源防反接保護(hù)電路設(shè)計(jì)?
眾所周知,我們使用的大部分電子元件都是直流環(huán)境且電源正接下工作的,但是一旦電源出現(xiàn)反接的情況就有可能損壞電子元件,使其不能正常工作。
2023-09-17 標(biāo)簽:MOSFET晶體管場(chǎng)效應(yīng)晶體管 4319 0
早期工藝都是使用單個(gè)反偏二極管作為ESD防護(hù)器件。但是這種設(shè)計(jì)方法只適用于大線寬工藝。隨著工藝的進(jìn)步,現(xiàn)階段的ESD防護(hù)策略已經(jīng)不建議二極管反偏擊穿泄放...
Lg越大,P-WeLL的長度越大,P-WeLL的阱電阻越大,面對(duì)ESD的過沖電壓越高,開啟電阻Ron也隨之增大。同時(shí)載流子的穿透深度越大,其壽命越長,從...
2023-12-04 標(biāo)簽:串聯(lián)電阻二極管ESD 3503 0
二極管,(英語:Diode),電子元件當(dāng)中,一種具有兩個(gè)電極的裝置,只允許電流由單一方向流過,許多的使用是應(yīng)用其整流的功能。而變?nèi)荻O管(Varicap...
今天給大家說一個(gè)很實(shí)用的小技能,用萬用表去檢測(cè)MOS管好壞的方法,這里以N溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)管(N MOS管)為例給大家說一下
2023-11-13 標(biāo)簽:萬用表場(chǎng)效應(yīng)管MOS管 3179 0
MOS管基礎(chǔ)知識(shí)及應(yīng)用電路分析
當(dāng)電路中產(chǎn)生很大的瞬間反向電流時(shí),可以通過這個(gè)二極管導(dǎo)出來,不至于擊穿這個(gè)MOS管,起到保護(hù)MOS管的作用。
使用二級(jí)管,導(dǎo)通時(shí)會(huì)有壓降,會(huì)損失一些電壓。而使用MOS管做隔離,在正向?qū)〞r(shí),在控制極加合適的電壓,可以讓MOS管飽和導(dǎo)通,這樣通過電流時(shí)幾乎不產(chǎn)生壓降。
氮化鎵MOS管(GaN MOSFET)是一種基于氮化鎵材料的金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管。它結(jié)合了氮化鎵的高電子遷移率和MOS管的優(yōu)良特性,具有高速開關(guān)速度...
內(nèi)部電容瞬態(tài)耗散與負(fù)載電容耗散相似,不同之處在于內(nèi)部寄生“片上”電容正在充電和放電。圖3是與兩個(gè)CMOS反相器相關(guān)的寄生節(jié)點(diǎn)電容的示意圖。
我們普通人做菜,一般都是大雜燴,同樣的食材,大廚會(huì)根據(jù)食材本身的特點(diǎn),做出好吃又好看的美味佳肴。同樣道理,我們繪制電路圖時(shí)也要根據(jù)元件特征,繪制出具有美...
引言:MOSFET是金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MetalOxide Semiconductor Field Effect Transistor)的縮...
2023-06-16 標(biāo)簽:MOSFETMOS管場(chǎng)效應(yīng)晶體管 1905 0
1、三個(gè)極怎么判定?2、他們是N溝道還 是P溝道?3、寄生二極管的方向如何判定?
無論是NMOS還是PMOS ,按上圖方向擺正,中間的一腳為D,左邊為G,右邊為S。 或者這么記:?jiǎn)为?dú)的一腳為D,逆時(shí)針轉(zhuǎn)DGS。
不論N溝道還是P溝道MOS管,中間襯底箭頭方向和寄生二極管的箭頭方向總是一致的: 要么都由S指向D,要么都有D指向S。
2023-03-24 標(biāo)簽:場(chǎng)效應(yīng)管MOS管NMOS 966 0
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