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      標(biāo)簽　>　導(dǎo)通電阻

      導(dǎo)通電阻

      +關(guān)注0人關(guān)注

      　　導(dǎo)通電阻是指二極管導(dǎo)通后兩端電壓與導(dǎo)通電流之比，是二極管的重要參數(shù)。

      文章：151個 瀏覽：20213次 帖子：3個

      導(dǎo)通電阻資訊

      Vishay發(fā)布新款E系列MOSFET器件

      日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出新系列600V和650V n溝道功率MOSFET-...

      2011-10-13 標(biāo)簽：MOSFETVishay導(dǎo)通電阻 1481 0

      英飛凌OptiMOS? 6 100 V系列通過技術(shù)革新，為高開關(guān)頻率應(yīng)用樹立全新行業(yè)標(biāo)桿

      OptiMOS 6 100 V 系列 MOSFET采用新穎的設(shè)計理念， 具有更低的導(dǎo)通電阻和同類產(chǎn)品中更佳的優(yōu)值系數(shù) （FOM）。

      2021-12-03 標(biāo)簽：英飛凌導(dǎo)通電阻 1457 0

      士蘭微電子車規(guī)級MOS產(chǎn)品獲CIAS2024年度“最具市場力產(chǎn)品獎”

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      2024年4月23-24日，CIAS2024功率半導(dǎo)體新能源創(chuàng)新發(fā)展大會暨 CIAShow功率半導(dǎo)體、裝備與材料創(chuàng)新展在蘇州獅山國際會議中心舉辦，士蘭微...

      2024-04-26 標(biāo)簽：士蘭微電子導(dǎo)通電阻IGBT 1418 0

      Vishay新款N溝道TrenchFET功率MOSFET再度刷新導(dǎo)通電阻的最低記錄

      Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布，推出新款8V N溝道TrenchFET?功率MOSFET--...

      2012-06-28 標(biāo)簽：Vishay導(dǎo)通電阻功率MOSFET 1372 0

      Vishay推出集成式40 V MOSFET半橋功率級，RDS(ON)和FOM達到業(yè)界出色水平，提高功率密度和效率

      節(jié)省空間的器件采用小型PowerPAIR? 3x3S封裝，最大RDS（ON）導(dǎo)通電阻降至8.05 m，Qg為6.5 nC

      2020-11-04 標(biāo)簽：MOSFETVishay導(dǎo)通電阻 1363 0

      ROHM新增5款100V耐壓雙MOSFET，實現(xiàn)業(yè)界超低導(dǎo)通電阻

      ROHM新增5款100V耐壓雙MOSFET，實現(xiàn)業(yè)界超低導(dǎo)通電阻

      全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM(總部位于日本京都市)面向通信基站和工業(yè)設(shè)備等的風(fēng)扇電機驅(qū)動應(yīng) 用，開發(fā)出將兩枚100V耐壓MOSFET* 1一體化封裝的雙...

      2023-08-11 標(biāo)簽：MOSFET導(dǎo)通電阻Rohm 1337 0

      東芝推出新款采用PWM控制的雙H橋直流有刷電機驅(qū)動IC，推薦應(yīng)用為移動設(shè)備和家用電器

      東芝的新一代DMOS工藝讓TC78H660FNG能夠在最大額定值為18V／2.0A［1］時實現(xiàn)低至0.48Ω的導(dǎo)通電阻，較東芝的現(xiàn)有產(chǎn)品發(fā)熱更低。

      2020-10-22 標(biāo)簽：東芝導(dǎo)通電阻驅(qū)動IC 1323 0

      Vishay發(fā)布業(yè)內(nèi)導(dǎo)通電阻最低的超小尺寸20V芯片級MOSFET

      MICRO FOOT器件具有20V MOSFET中最低的RDS(ON)，外形尺寸為1mm2或小于0.7mm2，開啟電壓低至1.2V

      2015-06-19 標(biāo)簽：Vishay封裝導(dǎo)通電阻 1297 0

      EN系列：保持低導(dǎo)通電阻與開關(guān)速度，改善噪聲性能

      EN系列：保持低導(dǎo)通電阻與開關(guān)速度，改善噪聲性能

      超級結(jié)MOSFET是與平面MOSFET相比，導(dǎo)通電阻和柵極電荷（Qg）顯著降低的MOSFET。ROHM的600V超級結(jié)MOSFET具有高速、低噪聲、高效...

      2023-02-10 標(biāo)簽：開關(guān)MOSFET導(dǎo)通電阻 1258 0

      昕感科技推出超低導(dǎo)通電阻的SiC MOSFET器件

      近日，昕感科技在新能源領(lǐng)域取得重大突破，推出了一款具有業(yè)界領(lǐng)先超低導(dǎo)通電阻的SiC MOSFET器件新產(chǎn)品（N2M120007PP0）。該產(chǎn)品的導(dǎo)通電阻...

      2024-01-04 標(biāo)簽：MOSFET導(dǎo)通電阻SiC 1225 0

      導(dǎo)通電阻和Qg更低，有助于實現(xiàn)更低功耗

      導(dǎo)通電阻和Qg更低，有助于實現(xiàn)更低功耗

      ROHM在以業(yè)界最快的trr（反向恢復(fù)時間）著稱的PrestoMOS產(chǎn)品陣容中又新增了“R60xxMNx系列”產(chǎn)品。

      2023-02-10 標(biāo)簽：MOSFET導(dǎo)通電阻功耗 1204 0

      Vishay推出多功能新型30 V N溝道TrenchFET第五代功率MOSFET

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      Vishay 推出多功能新型 30 V N 溝道 TrenchFET 第五代功率 MOSFET，進一步提高工業(yè)、計算機、消費電子和通信應(yīng)用的功率密度，增...

      2024-02-22 標(biāo)簽：轉(zhuǎn)換器MOSFETVishay 1165 1

      SiC市場供需之變與未來趨勢

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      從行業(yè)趨勢看，SiC上車是大勢所趨。盡管特斯拉曾在2023年3月的投資者大會上表示，將減少75%的SiC用量，一度引發(fā)SiC未來發(fā)展前景不明的猜測，但后...

      2024-01-24 標(biāo)簽：MOSFET逆變器導(dǎo)通電阻 1144 0

      Vishay推出具備優(yōu)異導(dǎo)通性能且經(jīng)過AEC-Q101認證的100V汽車級P溝道MOSFET

      業(yè)內(nèi)首款采用鷗翼引線結(jié)構(gòu)5 mm x 6 mm 緊湊型PowerPAK? SO-8L封裝器件，導(dǎo)通電阻僅為30 mΩ。

      2021-01-11 標(biāo)簽：MOSFETled照明Vishay 1138 0

      瞻芯電子開發(fā)的3款第二代650V SiC MOSFET通過了車規(guī)級可靠性認證

      瞻芯電子開發(fā)的3款第二代650V SiC MOSFET通過了車規(guī)級可靠性認證

      3月8日，瞻芯電子開發(fā)的3款第二代650V SiC MOSFET產(chǎn)品通過了嚴格的車規(guī)級可靠性認證（AEC-Q101 Qualified）。

      2024-03-11 標(biāo)簽：MOSFET導(dǎo)通電阻SiC 1137 0

      Vishay Siliconix采用P溝道TrenchFET Gen III技術(shù)的12V和30V MOSFET具有業(yè)界最低導(dǎo)通電阻

      Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布，推出新款采用熱增強型2mm x 2mm PowerPAK? ...

      2012-10-09 標(biāo)簽：MOSFETVishay導(dǎo)通電阻 1120 0

      Vishay推出業(yè)內(nèi)最低導(dǎo)通電阻的-30 V P溝道MOSFET，可提高能效和功率密度

      日前發(fā)布的MOSFET導(dǎo)通電阻比市場上排名第二的產(chǎn)品低43%，降低壓降并減小傳導(dǎo)損耗，從而實現(xiàn)更高功率密度。

      2020-08-17 標(biāo)簽：MOSFETVishay導(dǎo)通電阻 1082 0

      Nexperia推出的超微型MOSFET占位面積減小36%，且具備低導(dǎo)通電阻RDS(on)

      PMH系列MOSFET采用了DFN0606封裝，占位面積僅為0.62 x 0.62 mm，與前一代DFN1006器件相比，節(jié)省了超過36%的空間。

      2020-04-23 標(biāo)簽：MOSFET導(dǎo)通電阻Nexperia 1069 0

      Vishay推出600V EF系列快速體二極管MOSFET，導(dǎo)通電阻比其前代器件低29%

      Vishay提供豐富的MOSFET技術(shù)支持各級功率轉(zhuǎn)換，涵蓋高壓輸入到低壓輸出的各種最新高科技系統(tǒng)。

      2020-12-24 標(biāo)簽：二極管MOSFETVishay 1044 0

      Vishay的新一代TrenchFET MOSFET再度刷新業(yè)內(nèi)導(dǎo)通電阻最低記錄

      Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出其新一代TrenchFET? Gen IV系列30V n溝道功率MOSFET器件---...

      2012-05-08 標(biāo)簽：MOSFETVishay導(dǎo)通電阻 942 0

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