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封裝技術(shù)

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所謂“封裝技術(shù)”是一種將集成電路用絕緣的塑料或陶瓷材料打包的技術(shù)。以CPU為例，實(shí)際看到的體積和外觀并不是真正的CPU內(nèi)核的大小和面貌，而是CPU內(nèi)核等元件經(jīng)過(guò)封裝后的產(chǎn)品。

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封裝技術(shù)技術(shù)

PFIB技術(shù)在半導(dǎo)體領(lǐng)域中的應(yīng)用

新一代封裝技術(shù)中出現(xiàn)了嵌入多個(gè)芯片的復(fù)雜系統(tǒng)設(shè)計(jì)。倒裝芯片和銅柱互連、多MEMS-IC系統(tǒng)以及新型傳感器設(shè)計(jì)等技術(shù)的出現(xiàn)，都體現(xiàn)了這一演變趨勢(shì)。這種技術(shù)...

2025-03-18 標(biāo)簽：芯片半導(dǎo)體封裝技術(shù) 270 0

全面剖析倒裝芯片封裝技術(shù)的內(nèi)在機(jī)制、特性優(yōu)勢(shì)、面臨的挑戰(zhàn)及未來(lái)走向

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2025-03-14 標(biāo)簽：封裝技術(shù)倒裝芯片封裝工藝 391 0

大功率半導(dǎo)體激光器陣列的封裝技術(shù)

半導(dǎo)體激光器陣列的應(yīng)用已基本覆蓋了整個(gè)光電子領(lǐng)域，成為當(dāng)今光電子科學(xué)的重要技術(shù)。本文介紹了半導(dǎo)體激光器陣列的發(fā)展及其應(yīng)用，著重闡述了半導(dǎo)體激光器陣列的封...

2025-03-03 標(biāo)簽：半導(dǎo)體激光器封裝技術(shù) 452 0

淺析半導(dǎo)體激光器的發(fā)展趨勢(shì)

文章綜述了現(xiàn)有高功率半導(dǎo)體激光器（包括單發(fā)射腔、巴條、水平陣列和垂直疊陣）的封裝技術(shù)，并討論了其發(fā)展趨勢(shì)；分析了半導(dǎo)體激光器封裝技術(shù)存在的問(wèn)題和面臨的挑...

2025-02-26 標(biāo)簽：半導(dǎo)體激光器封裝技術(shù) 550 0

納米銅燒結(jié)為何完勝納米銀燒結(jié)？

在半導(dǎo)體功率模塊封裝領(lǐng)域，互連技術(shù)一直是影響模塊性能、可靠性和成本的關(guān)鍵因素。近年來(lái)，隨著納米技術(shù)的快速發(fā)展，納米銀燒結(jié)和納米銅燒結(jié)技術(shù)作為兩種新興的互...

2025-02-24 標(biāo)簽：半導(dǎo)體封裝技術(shù)功率模塊 622 0

什么是3D封裝？3D封裝是如何工作的？

隨著數(shù)字時(shí)代流量的爆炸式增長(zhǎng)，光纖通信成為高速信息傳輸?shù)年P(guān)鍵。光纖通信就像高速公路系統(tǒng)，光模塊是公路上的貨車，信息是貨車上的貨物。貨車（即光模塊）需要不...

2025-02-20 標(biāo)簽：封裝技術(shù)光纖通信光模塊 1104 0

三菱電機(jī)高壓SiC模塊封裝技術(shù)解析

SiC芯片可以高溫工作，與之對(duì)應(yīng)的連接材料和封裝材料都需要相應(yīng)的變更。三菱電機(jī)高壓SiC模塊支持175℃工作結(jié)溫，其封裝技術(shù)相對(duì)傳統(tǒng)IGBT模塊封裝技術(shù)...

2025-02-12 標(biāo)簽：封裝技術(shù)三菱電機(jī)SiC 398 0

一文詳解2.5D封裝工藝

2.5D封裝工藝是一種先進(jìn)的半導(dǎo)體封裝技術(shù)，它通過(guò)中介層（Interposer）將多個(gè)功能芯片在垂直方向上連接起來(lái)，從而減小封裝尺寸面積，減少芯片縱向間...

2025-02-08 標(biāo)簽：芯片半導(dǎo)體封裝技術(shù) 2185 0

一種新型RDL PoP扇出晶圓級(jí)封裝工藝芯片到晶圓鍵合技術(shù)

扇出型晶圓級(jí)中介層封裝（ FOWLP）以及封裝堆疊（Package-on-Package, PoP）設(shè)計(jì)在移動(dòng)應(yīng)用中具有許多優(yōu)勢(shì)，例如低功耗、短信號(hào)路徑...

2025-01-22 標(biāo)簽：芯片晶圓封裝技術(shù) 2939 0

新思科技3DIO平臺(tái)助力2.5D/3D封裝技術(shù)升級(jí)

對(duì)高性能計(jì)算、下一代服務(wù)器和AI加速器的需求迅速增長(zhǎng)，增加了處理更大工作負(fù)載的需求。這種不斷增加的復(fù)雜性帶來(lái)了兩個(gè)主要挑戰(zhàn)：可制造性和成本。從制造角度來(lái)...

2024-12-13 標(biāo)簽：soc 封裝技術(shù)新思科技 625 0

安森美封裝技術(shù)進(jìn)階，解鎖SiC性能上限

隨著全球?qū)稍偕茉春颓鍧嶋娏ο到y(tǒng)的需求不斷增長(zhǎng)，光儲(chǔ)充一體化市場(chǎng)為實(shí)現(xiàn)能源的高效利用和優(yōu)化配置提供了創(chuàng)新解決方案。在此趨勢(shì)引領(lǐng)下，碳化硅（SiC）產(chǎn)業(yè)...

2024-11-14 標(biāo)簽：充電器安森美封裝技術(shù) 493 0

一文理解2.5D和3D封裝技術(shù)

隨著半導(dǎo)體行業(yè)的快速發(fā)展，先進(jìn)封裝技術(shù)成為了提升芯片性能和功能密度的關(guān)鍵。近年來(lái)，作為2.5D和3D封裝技術(shù)之間的一種結(jié)合方案，3.5D封裝技術(shù)逐漸走向前臺(tái)。

2024-11-11 標(biāo)簽：半導(dǎo)體封裝技術(shù)3D封裝 3020 0

半導(dǎo)體封裝技術(shù)的發(fā)展階段和相關(guān)設(shè)備

本文介紹了半導(dǎo)體工藝及設(shè)備中的封裝工藝和設(shè)備。

2024-11-05 標(biāo)簽：半導(dǎo)體封裝技術(shù)封裝工藝 1042 0

先進(jìn)封裝的技術(shù)趨勢(shì)

半導(dǎo)體封裝已從傳統(tǒng)的 1D PCB 設(shè)計(jì)發(fā)展到晶圓級(jí)的尖端 3D 混合鍵合。這一進(jìn)步允許互連間距在個(gè)位數(shù)微米范圍內(nèi)，帶寬高達(dá) 1000 GB/s，同時(shí)保...

2024-11-05 標(biāo)簽：半導(dǎo)體封裝技術(shù)3D封裝 587 0

MFIT多保真度熱建模框架的組成部分

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先進(jìn)封裝技術(shù)的類型簡(jiǎn)述

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半導(dǎo)體封裝技術(shù)的類型和區(qū)別

半導(dǎo)體封裝技術(shù)是將半導(dǎo)體集成電路芯片用特定的外殼進(jìn)行封裝，以保護(hù)芯片、增強(qiáng)導(dǎo)熱性能，并實(shí)現(xiàn)芯片內(nèi)部與外部電路的連接和通信。隨著半導(dǎo)體技術(shù)的不斷發(fā)展，封裝...

2024-10-18 標(biāo)簽：芯片半導(dǎo)體封裝技術(shù) 2626 0

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2024-10-16 標(biāo)簽：電容器半導(dǎo)體封裝技術(shù) 1142 0

SiC MOSFET模塊封裝技術(shù)及驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)

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2024-10-16 標(biāo)簽：MOSFET 半導(dǎo)體封裝技術(shù) 4152 0

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