TPS51362 具有超低靜態(tài)電流的 3V 至 22V、10A 同步降壓轉換器數(shù)據(jù)手冊

TPS51362 是一款集成 FET 的高壓輸入同步轉換器，基于 DCAP-2 控制拓撲，可實現(xiàn)快速瞬態(tài)響應 并支持 POSCAP 和所有 MLCC 輸...

2025-06-28 標簽：電容器MLCC封裝技術 154 0

TPS51363 3V 至 22V、8A 同步降壓轉換器數(shù)據(jù)手冊

TPS51363 是一款集成 FET 的高壓輸入同步轉換器，基于 D-CAP2 控制拓撲，可實現(xiàn)快速瞬態(tài)響應 并支持 POSCAP 和所有 MLCC 輸...

2025-06-28 標簽：電容器MLCC封裝技術 140 0

TPS51367 具有超低靜態(tài)電流的 3V 至 22V、12A 同步降壓轉換器數(shù)據(jù)手冊

TPS51367 是一款集成 FET 的高壓輸入同步轉換器，基于 DCAP-2 控制拓撲，可實現(xiàn)快速瞬態(tài)響應 并支持 POSCAP 和所有 MLCC 輸...

2025-06-28 標簽：電容器封裝技術FET 148 0

一文詳解球柵陣列封裝技術

在集成電路封裝技術的演進歷程中，球柵陣列封裝（Ball Grid Array，BGA）憑借卓越性能與顯著優(yōu)勢脫穎而出，成為當今高集成度芯片的主流封裝形式...

2025-05-21 標簽：集成電路封裝技術BGA 788 0

射頻系統(tǒng)先進封裝技術研究進展

通信、雷達和微波測量等領域電子信息裝備迅速發(fā)展, 對射頻系統(tǒng)提出了微型化、集成化和多樣化等迫切需求。先進封裝技術可以將不同材料、不同工藝和不同功能的器件...

2025-05-21 標簽：封裝技術射頻系統(tǒng)先進封裝 580 0

扇出型晶圓級封裝技術的工藝流程

常規(guī)IC封裝需經過將晶圓與IC封裝基板焊接，再將IC基板焊接至普通PCB的復雜過程。與之不同，WLP基于IC晶圓，借助PCB制造技術，在晶圓上構建類似I...

2025-05-14 標簽：封裝技術工藝流程晶圓級封裝 556 0

一文詳解多芯片封裝技術

多芯片封裝在現(xiàn)代半導體領域至關重要，主要分為平面多芯片封裝和多芯片堆疊封裝。多芯片堆疊封裝又細分為多芯片3D堆疊引線鍵合封裝、3D堆疊引線鍵合和倒裝異質...

2025-05-14 標簽：半導體封裝技術多芯片封裝 589 0

芯片傳統(tǒng)封裝形式介紹

微電子封裝技術每15年左右更新迭代一次。1955年起，晶體管外形（TO）封裝成為主流，主要用于封裝晶體管和小規(guī)模集成電路，引腳數(shù)3 - 12個。1965...

2025-05-13 標簽：集成電路封裝技術晶體管 824 0

封裝工藝中的倒裝封裝技術

業(yè)界普遍認為，倒裝封裝是傳統(tǒng)封裝和先進封裝的分界點。

2025-05-13 標簽：芯片封裝技術BGA 555 0

PFIB技術在半導體領域中的應用

新一代封裝技術中出現(xiàn)了嵌入多個芯片的復雜系統(tǒng)設計。倒裝芯片和銅柱互連、多MEMS-IC系統(tǒng)以及新型傳感器設計等技術的出現(xiàn)，都體現(xiàn)了這一演變趨勢。這種技術...

2025-03-18 標簽：芯片半導體封裝技術 506 0

大功率半導體激光器陣列的封裝技術

半導體激光器陣列的應用已基本覆蓋了整個光電子領域，成為當今光電子科學的重要技術。本文介紹了半導體激光器陣列的發(fā)展及其應用，著重闡述了半導體激光器陣列的封...

2025-03-03 標簽：半導體激光器封裝技術 640 0

淺析半導體激光器的發(fā)展趨勢

文章綜述了現(xiàn)有高功率半導體激光器（包括單發(fā)射腔、巴條、水平陣列和垂直疊陣）的封裝技術，并討論了其發(fā)展趨勢；分析了半導體激光器封裝技術存在的問題和面臨的挑...

2025-02-26 標簽：半導體激光器封裝技術 754 0

納米銅燒結為何完勝納米銀燒結？

在半導體功率模塊封裝領域，互連技術一直是影響模塊性能、可靠性和成本的關鍵因素。近年來，隨著納米技術的快速發(fā)展，納米銀燒結和納米銅燒結技術作為兩種新興的互...

2025-02-24 標簽：半導體封裝技術功率模塊 868 0

什么是3D封裝？3D封裝是如何工作的？

隨著數(shù)字時代流量的爆炸式增長，光纖通信成為高速信息傳輸?shù)年P鍵。光纖通信就像高速公路系統(tǒng)，光模塊是公路上的貨車，信息是貨車上的貨物。貨車（即光模塊）需要不...

2025-02-20 標簽：封裝技術光纖通信光模塊 1571 0

三菱電機高壓SiC模塊封裝技術解析

SiC芯片可以高溫工作，與之對應的連接材料和封裝材料都需要相應的變更。三菱電機高壓SiC模塊支持175℃工作結溫，其封裝技術相對傳統(tǒng)IGBT模塊封裝技術...

2025-02-12 標簽：封裝技術三菱電機SiC 568 0

一文詳解2.5D封裝工藝

2.5D封裝工藝是一種先進的半導體封裝技術，它通過中介層（Interposer）將多個功能芯片在垂直方向上連接起來，從而減小封裝尺寸面積，減少芯片縱向間...

2025-02-08 標簽：芯片半導體封裝技術 2997 0

一種新型RDL PoP扇出晶圓級封裝工藝芯片到晶圓鍵合技術

扇出型晶圓級中介層封裝（ FOWLP）以及封裝堆疊（Package-on-Package, PoP）設計在移動應用中具有許多優(yōu)勢，例如低功耗、短信號路徑...

2025-01-22 標簽：芯片晶圓封裝技術 3196 0

新思科技3DIO平臺助力2.5D/3D封裝技術升級

對高性能計算、下一代服務器和AI加速器的需求迅速增長，增加了處理更大工作負載的需求。這種不斷增加的復雜性帶來了兩個主要挑戰(zhàn)：可制造性和成本。從制造角度來...

2024-12-13 標簽：soc封裝技術新思科技 830 0