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標(biāo)簽 > 封裝技術(shù)
所謂“封裝技術(shù)”是一種將集成電路用絕緣的塑料或陶瓷材料打包的技術(shù)。以CPU為例,實際看到的體積和外觀并不是真正的CPU內(nèi)核的大小和面貌,而是CPU內(nèi)核等元件經(jīng)過封裝后的產(chǎn)品。
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隨著半導(dǎo)體行業(yè)的快速發(fā)展,先進(jìn)封裝技術(shù)成為了提升芯片性能和功能密度的關(guān)鍵。近年來,作為2.5D和3D封裝技術(shù)之間的一種結(jié)合方案,3.5D封裝技術(shù)逐漸走向前臺。
2023 LED顯示熱詞:關(guān)于MIP技術(shù)的新進(jìn)展
該器件是通過巨量轉(zhuǎn)移技術(shù)選擇性地排列好目標(biāo)芯片陣列,利用重布線工藝實現(xiàn)芯片電極引腳放大,最后切割出單像素的分立器件。依托半導(dǎo)體的封裝工藝技術(shù),透明襯底M...
據(jù)傳,業(yè)界公認(rèn)的臺積電獨吞蘋果訂單的關(guān)鍵利器就是CoWoS封裝技術(shù)。這幾年,先進(jìn)封裝技術(shù)不斷涌現(xiàn),目前可以列出的估計有幾十種,讓人眼花繚亂。主流的封裝技...
長電科技針對QFN后道可以采用沖壓或封裝成品切割方式。沖壓分離是在封裝流程的最后把塑封過的封裝體通過沖壓的方式從整條框架上分離出來,而以陣列式排布的封裝...
僅根據(jù)數(shù)據(jù)表中的內(nèi)容為您的設(shè)計選擇IC是不夠的。您將需要選擇正確的包裝,并注意最終系統(tǒng)的制造和組裝需求。以下是出色的教程,著重強調(diào)了總體架構(gòu)設(shè)計考慮因素...
一種新型RDL PoP扇出晶圓級封裝工藝芯片到晶圓鍵合技術(shù)
扇出型晶圓級中介層封裝( FOWLP)以及封裝堆疊(Package-on-Package, PoP)設(shè)計在移動應(yīng)用中具有許多優(yōu)勢,例如低功耗、短信號路徑...
FPGA(現(xiàn)場可編程門陣列)的封裝方式多種多樣,以下列舉了一些常見的封裝技術(shù)。
摘要:近些年,在市場應(yīng)用驅(qū)動下,半導(dǎo)體激光器的輸出功率越來越高,器件產(chǎn)生的熱量也在增加,同時封裝結(jié)構(gòu)要求也更加緊湊,這對半導(dǎo)體激光器的熱管理提出了更高的...
QFN封裝技術(shù)采用無引腳外露的設(shè)計,通過將芯片引腳連接到底部并覆蓋保護層,實現(xiàn)了更小的封裝尺寸和更高的引腳密度。這種緊湊的封裝方式廣泛應(yīng)用于移動設(shè)備、消...
在半導(dǎo)體工藝中,“鍵合”是指將晶圓芯片連接到襯底上。粘接可分為兩種類型,即傳統(tǒng)方法和先進(jìn)方法。傳統(tǒng)的方法包括晶片連接(或晶片連接)和電線連接,而先進(jìn)的方...
半導(dǎo)體封裝技術(shù)是將半導(dǎo)體集成電路芯片用特定的外殼進(jìn)行封裝,以保護芯片、增強導(dǎo)熱性能,并實現(xiàn)芯片內(nèi)部與外部電路的連接和通信。隨著半導(dǎo)體技術(shù)的不斷發(fā)展,封裝...
前一個步驟完成后,需要用金剛石鋸切掉鑄錠的兩端,再將其切割成一定厚度的薄片。錠薄片直徑?jīng)Q定了晶圓的尺寸,更大更薄的晶圓能被分割成更多的可用單元,有助于降...
碳化硅 ( SiC )具有禁帶寬、臨界擊穿場強大、熱導(dǎo)率高、高壓、高溫、高頻等優(yōu)點。應(yīng)用于硅基器件的傳統(tǒng)封裝方式寄生電感參數(shù)較大,難以匹配 SiC 器件...
2023-12-27 標(biāo)簽:電力系統(tǒng)封裝技術(shù)SiC 3109 0
封裝材料大致可分為原材料和輔助材料。原材料是構(gòu)成封裝本身的一部分,直接影響著產(chǎn)品的質(zhì)量和可靠性。而輔助材料則不屬于產(chǎn)品的本身構(gòu)成部分,它們僅在封裝過程中...
射頻芯片和基帶芯片的關(guān)系 發(fā)射電路的結(jié)構(gòu)和工作原理
射頻芯片封裝方面,5G射頻芯片一方面頻率升高導(dǎo)致電路中連接線的對電路性能影響更大,封裝時需要減小信號連接線的長度。
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