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標(biāo)簽 > 封裝
封裝,Package,是把集成電路裝配為芯片最終產(chǎn)品的過程,簡單地說,就是把Foundry生產(chǎn)出來的集成電路裸片(Die)放在一塊起到承載作用的基板上,把管腳引出來,然后固定包裝成為一個(gè)整體。作為動(dòng)詞,“封裝”強(qiáng)調(diào)的是安放、固定、密封、引線的過程和動(dòng)作;
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函數(shù)宏,即包含多條語句的宏定義,其通常為某一被頻繁調(diào)用的功能的語句封裝,且不想通過函數(shù)方式封裝來降低額外的彈棧壓棧開銷。
具有集400mV基準(zhǔn)的雙微功率比較器簡化了監(jiān)控器和控制功能
LT6700雙比較器囊括了用于在空間因素至關(guān)重要的設(shè)計(jì)中減少元件數(shù)量的諸多特點(diǎn),包括一個(gè)取自經(jīng)修整的片上400mV帶隙的基準(zhǔn)和內(nèi)部遲滯機(jī)制。LT6700...
您可能已經(jīng)聽說過LFPAK為設(shè)計(jì)師帶來的好處,其設(shè)計(jì)和結(jié)構(gòu)經(jīng)過優(yōu)化,可提供最佳的熱和電氣性能,成本和可靠性。它現(xiàn)在被公認(rèn)為事實(shí)上的標(biāo)準(zhǔn)功率SO8封裝,這...
2023-02-13 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車封裝自動(dòng)駕駛 1776 0
晶體二極管簡稱二極管,是在本征半導(dǎo)體基片上利用摻雜生成一個(gè)P區(qū)和一個(gè)N區(qū),并在P區(qū)和N區(qū)安上電極引線,再用外殼(管殼)封裝加固后構(gòu)成的。
BD4xxMx系列:豐富的封裝變化是LDO穩(wěn)壓器作為一個(gè)系列的通用性關(guān)鍵
D4xxMx系列和BDxxC0A系列是面向車載新開發(fā)的LDO穩(wěn)壓器系列。除了通用性高之外,全部43種機(jī)型通過輸出電壓和封裝等豐富的變化,適應(yīng)各種車載應(yīng)用...
電子元器件有著不同的封裝類型,不同類的元器件外形雖然差不多,但內(nèi)部結(jié)構(gòu)及用途卻大不同,譬如TO220封裝的元件可能是三極管、可控硅、場效應(yīng)管甚至是雙二極管。
集成電路封測是集成電路產(chǎn)品制造的后道工序,包含封裝與測試兩個(gè)主要環(huán)節(jié)。集成電路封裝是指將集成電路與引腳相連接以達(dá)到連接電信號的目的,并使用塑料、金屬、陶...
芯片堆疊技術(shù)在系統(tǒng)級封裝SiP中的應(yīng)用存?
為什么芯片可以進(jìn)行堆疊呢?這里面我們講的主要是未經(jīng)過封裝的裸芯片。曾經(jīng)有用戶問我,封裝好的芯片可不可以進(jìn)行堆疊呢?一般來說是不可以的,因?yàn)榉庋b好的芯片引...
物理結(jié)構(gòu):所有芯片和無源器件均安裝在基板平面,芯片和無源器件和 XY 平面直接接觸,基板上的布線和過孔均位于 XY 平面下方;電氣連接:均需要通過基板(...
封裝熱分析計(jì)算器 (PTA) 是為 HP 50g 計(jì)算器編寫的程序,有助于分析 IC 封裝熱。使用數(shù)據(jù)表參數(shù),從芯片(結(jié)點(diǎn))、外殼到環(huán)境跟蹤熱量和耗散。...
為何我們的封裝邏輯器件始終符合您的生產(chǎn)戰(zhàn)略
作為專門提供分立器件的全球供應(yīng)商,安世半導(dǎo)體一直致力于推動(dòng)當(dāng)今各類邏輯封裝器件的發(fā)展。我們的創(chuàng)新過程由設(shè)計(jì)師領(lǐng)導(dǎo),專注于打造節(jié)能而緊湊的系統(tǒng)。隨著器件一...
帶有可濕性側(cè)面的無引腳DFN封裝助力于實(shí)現(xiàn)PCB焊點(diǎn)的AOI
對于所有設(shè)計(jì)人員而言,如何在更為緊湊的空間內(nèi)增添更多功能一直以來都是一個(gè)非常大的的挑戰(zhàn)。而這一挑戰(zhàn)也促使大多數(shù)行業(yè)越來越多地采用小型化的無引腳封裝,此類...
DFN封裝在發(fā)動(dòng)機(jī)倉環(huán)境下有很好的散熱性能
每個(gè)電子應(yīng)用電路系統(tǒng)都面臨著其獨(dú)特的挑戰(zhàn)。大至汽車和工業(yè)應(yīng)用,小至可穿戴設(shè)備,如何解決熱特性問題都變得越來越重要。隨著我們在越來越小的空間中集成越來越多...
2023-02-10 標(biāo)簽:發(fā)動(dòng)機(jī)封裝DFN 2058 0
Si二極管用的散熱性能出色的小型封裝“PMDE”評估-PMDE封裝的實(shí)機(jī)評估
關(guān)鍵要點(diǎn):在此次比較評估中,盡管 PMDE封裝的尺寸更小,但其封裝溫度Tc和效率卻達(dá)到了與PMDU同等的水平。如果效率同等,則可以推斷Tj也同等,這表明...
Si二極管用的散熱性能出色的小型封裝“PMDE”評估-PMDE封裝的散熱性能 (仿真)
關(guān)鍵要點(diǎn):在PCB實(shí)際安裝狀態(tài)下,隨著銅箔面積的增加,熱量變得更容易擴(kuò)散,因而能夠提高散熱性能。如果銅箔面積過小,PMDE的Rth(j-a)會比PMDU...
Si二極管用的散熱性能出色的小型封裝“PMDE”評估-PMDE封裝的外形和內(nèi)部結(jié)構(gòu)
PMDE與PMDU封裝:外形比較 下面是PMDE和PMDU的外形比較圖。新封裝PMDE與傳統(tǒng)的PMDU封裝相比,安裝面積削減了約40%,盡管如此,通過將...
實(shí)現(xiàn)大電流化的技術(shù)要點(diǎn)
轉(zhuǎn)換器,開發(fā)出1200V耐壓的400A/600A的全SiC功率模塊“BSM400D12P3G002”和“BSM600D12P3G001”。
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