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標(biāo)簽 > 開(kāi)關(guān)
開(kāi)關(guān)的詞語(yǔ)解釋為開(kāi)啟和關(guān)閉。它還是指一個(gè)可以使電路開(kāi)路、使電流中斷或使其流到其他電路的電子元件。
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高性能半導(dǎo)體電源開(kāi)關(guān)IPD的特點(diǎn)
何謂IPD? IPD是 Intelligent P ower D evice 的縮寫(xiě),是指內(nèi)置保護(hù)電路,可吸收感性負(fù)載等的能量的高性能半導(dǎo)體電源開(kāi)關(guān)。 ...
2023-07-05 標(biāo)簽:開(kāi)關(guān)半導(dǎo)體IPD 1716 0
1 Buck 變換器的功率器件設(shè)計(jì)公式 (1):Buck 變換器的電路圖: (2):Buck 變換器的主要穩(wěn)態(tài)規(guī)格: (3):功率器件的穩(wěn)態(tài)應(yīng)力: --...
2023-06-26 標(biāo)簽:開(kāi)關(guān)變換器功率器件 1309 0
小小開(kāi)關(guān)竟能構(gòu)造出功能強(qiáng)大的CPU
幾乎每天都會(huì)開(kāi)燈關(guān)燈,但這簡(jiǎn)單的開(kāi)關(guān)卻是組成CPU的基本單元。
2023-06-25 標(biāo)簽:開(kāi)關(guān)cpu二進(jìn)制 515 0
使用開(kāi)爾文連接提高SiC FET的開(kāi)關(guān)效率
碳化硅 (SiC) 等寬帶隙器件可實(shí)現(xiàn)能夠保持高功率密度的晶體管,但需要使用低熱阻封裝,比如 TO-247。然而,此類(lèi)封裝的連接往往會(huì)導(dǎo)致較高的電感。閱...
2023-06-12 標(biāo)簽:開(kāi)關(guān)FETSiC 1262 0
變頻器控制啟動(dòng)、停止、正/反轉(zhuǎn)電路圖
變頻器的控制,不外是啟動(dòng),停止,正轉(zhuǎn),反轉(zhuǎn),調(diào)速這幾樣基本的邏輯,這些邏輯基本上要求是電平狀態(tài)有效,而不是上升邊緣有效,所以使用按鈕開(kāi)關(guān)控制變頻器的時(shí)候...
2023-06-08 標(biāo)簽:開(kāi)關(guān)變頻器正反轉(zhuǎn) 4742 0
日常生活和工作中經(jīng)常用到的開(kāi)關(guān)控制接線圖,建議收藏起來(lái),日后有用。
2023-06-08 標(biāo)簽:開(kāi)關(guān)原理圖接線 1.7萬(wàn) 0
接近開(kāi)關(guān)在航空、航天技術(shù)以及工業(yè)生產(chǎn)中都有廣泛的應(yīng)用。在日常生活中,如賓館、飯店、車(chē)庫(kù)的自動(dòng)門(mén),自動(dòng)熱風(fēng)機(jī)上都有應(yīng)用。在安全防盜方面,如資料檔案、財(cái)會(huì)、...
2023-06-06 標(biāo)簽:開(kāi)關(guān)接近開(kāi)關(guān) 5075 0
摘要:前兩天同學(xué)做了一個(gè)電路,功能就是用MOS管來(lái)控制一個(gè)電源的開(kāi)關(guān),但是做出來(lái)后發(fā)現(xiàn)不能用控制MOS管的開(kāi)關(guān),MOS管一直處于導(dǎo)通狀態(tài)。一起來(lái)看看到底...
2023-06-06 標(biāo)簽:電源開(kāi)關(guān)原理圖 4819 0
如果在漏極-源極間外加超出器件額定VDSS的電涌電壓,而且達(dá)到擊穿電壓V(BR)DSS (根據(jù)擊穿電流其值不同),并超出一定的能量后就發(fā)生破壞的現(xiàn)象。
2023-06-05 標(biāo)簽:開(kāi)關(guān)二極管MOSFET 592 0
變頻器的控制,不外乎啟動(dòng),停止,正轉(zhuǎn),反轉(zhuǎn),調(diào)速這幾樣基本的邏輯,這些邏輯基本上要求是電平狀態(tài)有效,而不是上升邊緣有效,所以使用按鈕開(kāi)關(guān)控制變頻器的時(shí)候...
2023-06-03 標(biāo)簽:開(kāi)關(guān)變頻器正反轉(zhuǎn) 4899 0
由輸入信號(hào)幅值控制的開(kāi)關(guān)用作輸入信號(hào)電平指示器、輸入信號(hào)電平分析器、電源電壓指示器等。這種開(kāi)關(guān)通常作為一系列比較器或雙極性或場(chǎng)效應(yīng)晶體管與輸入電阻分壓器...
2023-05-31 標(biāo)簽:開(kāi)關(guān)控制幅值 1653 0
雖然開(kāi)關(guān)是很簡(jiǎn)單的部件,但它們的分類(lèi)方式可能有些難以理解。所有的開(kāi)關(guān)都有一定數(shù)量的刀和擲,可以用以下格式表示:
2023-05-31 標(biāo)簽:開(kāi)關(guān)電路 1333 0
帶離心開(kāi)關(guān)的單相交流電機(jī)電容的接法
帶離心開(kāi)關(guān)的單相交流電機(jī)分為兩種,一種是只帶有啟動(dòng)電容的電機(jī),另一種是既有啟動(dòng)電容又帶運(yùn)行電容的電機(jī),也就是雙電容電機(jī),下面介紹只帶啟動(dòng)電容電機(jī)電容的接...
2023-05-31 標(biāo)簽:開(kāi)關(guān)交流電機(jī)啟動(dòng)電容 5725 0
二極管的單向?qū)щ娦允蛊湓谡?、限幅、鉗位、開(kāi)關(guān)、檢波和續(xù)流等電路中有著廣泛的應(yīng)用。為了讓小伙伴們更好的理解和掌握二極管的工作原理,我們將在后續(xù)推出系列專(zhuān)...
2023-05-26 標(biāo)簽:開(kāi)關(guān)二極管整流電路 4535 0
PCI Express Gen 4驗(yàn)證挑戰(zhàn)和解決方案
隨著 16 GT/s 帶寬的增加,PCIe Gen 4 提出了有效利用帶寬以充分利用的新挑戰(zhàn)。第 4 代延遲沒(méi)有改變,并且引入了兩個(gè)關(guān)鍵功能來(lái)有效處理延...
2023-05-26 標(biāo)簽:開(kāi)關(guān)PCIe橋接器 1393 0
深度剖析射頻開(kāi)關(guān)(RF switch)基礎(chǔ)知識(shí)
本文將解釋基本的 RF 開(kāi)關(guān)規(guī)格,例如插入損耗、VSWR、特性阻抗和上升時(shí)間。 隨著最近用于測(cè)試系統(tǒng)開(kāi)發(fā)的射頻開(kāi)關(guān)產(chǎn)品的可用性激增,為您的應(yīng)用選擇...
2023-05-23 標(biāo)簽:開(kāi)關(guān)帶寬拓?fù)?/a> 3735 0
開(kāi)關(guān)是射頻通路中的常用器件。只要涉及到通路切換,都需要用到它。常見(jiàn)的射頻開(kāi)關(guān)有電子開(kāi)關(guān),機(jī)械開(kāi)關(guān),PIN管開(kāi)關(guān)。今天主要講講電子開(kāi)關(guān)。
2023-05-23 標(biāo)簽:開(kāi)關(guān)射頻電子開(kāi)關(guān) 3087 0
引擎蓋下:接觸器實(shí)現(xiàn)電動(dòng)汽車(chē)安全
在電動(dòng)汽車(chē)(EV)動(dòng)力總成中討論更激烈的部件旁邊是機(jī)電開(kāi)關(guān),稱(chēng)為接觸器。盡管它們?cè)谝嫔w下平淡無(wú)奇,但它們是保持電動(dòng)汽車(chē)平穩(wěn)運(yùn)行的功能和安全要素的一部分...
2023-05-19 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車(chē)開(kāi)關(guān)接觸器 1918 0
晶體管是一種半導(dǎo)體器件,由三個(gè)摻雜不同的半導(dǎo)體材料組成,通常是n型半導(dǎo)體、p型半導(dǎo)體和n型半導(dǎo)體。晶體管具有體積小、重量輕、功耗低、可靠性高等優(yōu)點(diǎn),...
2023-05-17 標(biāo)簽:放大器開(kāi)關(guān)半導(dǎo)體 1.4萬(wàn) 0
我們?cè)谡務(wù)撾娫垂芾砥骷臅r(shí)候,第一個(gè)重要的議題是能效管理。系統(tǒng)的電能消耗是單位時(shí)間內(nèi)能源消耗和時(shí)間的乘積,因此降低不必要器件的供電時(shí)間和單一器件/模塊的...
2023-05-17 標(biāo)簽:開(kāi)關(guān)驅(qū)動(dòng)器電源管理 963 0
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