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標簽 > 憶阻器
憶阻器全稱記憶電阻器,它是表示磁通與電荷關(guān)系的電路器件。憶阻具有電阻的量綱,但和電阻不同的是,憶阻的阻值是由流經(jīng)它的電荷確定。因此,通過測定憶阻的阻值,便可知道流經(jīng)它的電荷量,從而有記憶電荷的作用。
憶阻器全稱記憶電阻器,它是表示磁通與電荷關(guān)系的電路器件。憶阻具有電阻的量綱,但和電阻不同的是,憶阻的阻值是由流經(jīng)它的電荷確定。因此,通過測定憶阻的阻值,便可知道流經(jīng)它的電荷量,從而有記憶電荷的作用。
簡單說,憶阻器是一種有記憶功能的非線性電阻。通過控制電流的變化可改變其阻值,如果把高阻值定義為“1”,低阻值定義為“0”,則這種電阻就可以實現(xiàn)存儲數(shù)據(jù)的功能。實際上就是一個有記憶功能的非線性電阻器。
典型的半導(dǎo)體電容在pF或nF范圍內(nèi)。許多商業(yè)上可用的LCR表或電容計補償后可以使用適當(dāng)?shù)臏y量技術(shù)來測量這些值,然而,一些應(yīng)用需要在飛秒法(fF)或1e-...
鐵電存儲器(Ferroelectric RAM, FRAM)與憶阻器(Memristor)是兩種不同類型的存儲技術(shù),它們在工作原理、性能特點、應(yīng)用場景以...
知存科技助力AI應(yīng)用落地:WTMDK2101-ZT1評估板實地評測與性能揭秘
隨著當(dāng)今數(shù)據(jù)迅速增長,傳統(tǒng)的馮諾依曼架構(gòu)內(nèi)存墻正在成為計算性能進一步提升的阻礙。新一代的存內(nèi)計算(IMC)和近存計算(NMC)架構(gòu)有望突破這一瓶頸,顯著...
SRAM是目前唯一一種跟先進CMOS工藝完全兼容且能大規(guī)模量產(chǎn)的存儲介質(zhì),這也是支持大算力的關(guān)鍵所在:從單獨存算一體宏單元的角度,SRAM跟先進工藝的兼...
混合NVM/DRAM平臺上的內(nèi)存帶寬調(diào)節(jié)策略
隨著相變存儲器 (PCM)、STT-MRAM、憶阻器和英特爾的 3D-XPoint 等技術(shù)的快速發(fā)展,高速的、可字節(jié)尋址的新興 NVM 的產(chǎn)品逐漸涌現(xiàn)于市場中
什么是存算一體芯片?存算一體芯片的優(yōu)勢和應(yīng)用領(lǐng)域
存算一體片上學(xué)習(xí)在實現(xiàn)更低延遲和更小能耗的同時,能夠有效保護用戶隱私和數(shù)據(jù)。該芯片參照仿生類腦處理方式,可實現(xiàn)不同任務(wù)的快速“片上訓(xùn)練”與“片上識別”,...
業(yè)界很多也都在研究相關(guān)的解決方案,以實現(xiàn)更為有效的數(shù)據(jù)運算和更大的數(shù)據(jù)吞吐量,其中“存算一體”被認為是未來計算芯片的架構(gòu)趨勢。它是把之前集中存儲在外面的...
隨著ChatGPT強勢來襲,AI人工智能應(yīng)用層出不窮。智能化時代,數(shù)據(jù)量指數(shù)型增長,摩爾定律已經(jīng)不能滿足當(dāng)前的數(shù)據(jù)處理需求,元器件的物理尺寸已經(jīng)接近極限。
2023-10-22 標簽:場效應(yīng)晶體管人工智能憶阻器 4586 0
憶阻器誘導(dǎo)的超混沌、多渦旋和極端多穩(wěn)態(tài)小數(shù)階HNN:鏡像加密和FPGA實現(xiàn)立即下載
類別:模擬數(shù)字論文 2024-06-03 標簽:FPGA加密憶阻器
基于憶阻器的神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu)分析立即下載
類別:網(wǎng)絡(luò)協(xié)議論文 2018-01-31 標簽:神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)憶阻器
類別:模擬數(shù)字論文 2018-01-20 標簽:憶阻器電磁理論
類別:模擬數(shù)字論文 2017-01-08 標簽:憶阻器
? 一種名為“自旋憶阻器”的新型神經(jīng)形態(tài)元件模仿人類大腦的節(jié)能運作,將AI應(yīng)用程序的功耗降低到傳統(tǒng)設(shè)備的1/100。TDK與法國研究機構(gòu)CEA合作開發(fā)了...
2024-12-07 標簽:憶阻器自旋電子學(xué) 449 0
在現(xiàn)代電子技術(shù)的發(fā)展中,憶阻器作為一種新型的非線性元件,因其在存儲器、神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)和模擬計算等領(lǐng)域的廣泛應(yīng)用而備受關(guān)注。為了有效地測試和評估憶阻器的性能,吉...
TDK成功研發(fā)出用于神經(jīng)形態(tài)設(shè)備的自旋憶阻器
TDK公司宣布其已成功研發(fā)出一款超低能耗的神經(jīng)形態(tài)元件--自旋憶阻器。通過模擬人腦高效節(jié)能的運行模式,該元件可將人工智能(AI)應(yīng)用的能耗降至傳統(tǒng)設(shè)備的...
電子發(fā)燒友網(wǎng)報道(文/李寧遠)人工智能、機器學(xué)習(xí)、大數(shù)據(jù)是現(xiàn)在蓬勃發(fā)展的領(lǐng)域,這些技術(shù)的飛速發(fā)展拉動了對高性能計算和存儲的需求。在這些背景下,憶阻器獨特...
2024-04-30 標簽:憶阻器 4285 0
當(dāng)組織成縱橫陣列時,這種憶阻電路通過以大規(guī)模并行方式使用物理定律進行模擬計算,從而大大加速矩陣運算,這是神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)中最常用但非常耗電的計算。
2024-04-03 標簽:電阻器神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)憶阻器 958 0
什么電路具有記憶功能 時序電路是不含有記憶功能的器件對嗎 什么電路具有記憶功能? 電路的記憶功能是指其能夠存儲和保持之前輸入的信息并在需要時進行檢索和使...
北京大學(xué)首次硬件實現(xiàn)電容耦合的VO2相變振蕩動力學(xué)計算系統(tǒng)
北京大學(xué)集成電路學(xué)院楊玉超教授課題組首次硬件實現(xiàn)了電容耦合的VO2相變振蕩動力學(xué)計算系統(tǒng)。
基于VO2憶阻器的無線物聯(lián)網(wǎng)混合系統(tǒng)
針對此問題,北京大學(xué)集成電路學(xué)院/集成電路高精尖創(chuàng)新中心的楊玉超教授團隊首次提出以VO2 憶阻器為主體的高一致性、可校準的頻率振蕩器,在此基礎(chǔ)上構(gòu)建了8...
12月22日,中國新經(jīng)濟科技產(chǎn)業(yè)媒體朋湖網(wǎng)發(fā)布了“2023年度科技產(chǎn)業(yè)系列榜單”,億鑄科技登榜2023硬科技新銳之星TOP20。
清華大學(xué)研究小組開發(fā)出了創(chuàng)新性的超分子憶阻器納米RRAM
其中,電阻式隨機存取存儲器(RRAM)依靠改變電阻水平來存儲數(shù)據(jù)。最近發(fā)表在《Angewandte Chemie》雜志上的一項研究詳細介紹了清華大學(xué)李原...
2023-12-06 標簽:存儲器憶阻器存儲數(shù)據(jù) 1207 0
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