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標簽 > 憶阻器
憶阻器全稱記憶電阻器，它是表示磁通與電荷關(guān)系的電路器件。憶阻具有電阻的量綱，但和電阻不同的是，憶阻的阻值是由流經(jīng)它的電荷確定。因此，通過測定憶阻的阻值，便可知道流經(jīng)它的電荷量，從而有記憶電荷的作用。
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典型的半導體電容在pF或nF范圍內(nèi)。許多商業(yè)上可用的LCR表或電容計補償后可以使用適當?shù)臏y量技術(shù)來測量這些值，然而，一些應(yīng)用需要在飛秒法（fF）或1e-...
AI領(lǐng)域正在經(jīng)歷一場顛覆性的變革！DeepSeek，一款近期火爆全球的開源AI大模型，正與GPT-4、Sora等模型一起，掀起一場前所未有的算力競賽。隨...
鐵電存儲器（Ferroelectric RAM, FRAM）與憶阻器（Memristor）是兩種不同類型的存儲技術(shù)，它們在工作原理、性能特點、應(yīng)用場景以...
知存科技助力AI應(yīng)用落地：WTMDK2101-ZT1評估板實地評測與性能揭秘
隨著當今數(shù)據(jù)迅速增長，傳統(tǒng)的馮諾依曼架構(gòu)內(nèi)存墻正在成為計算性能進一步提升的阻礙。新一代的存內(nèi)計算（IMC）和近存計算（NMC）架構(gòu)有望突破這一瓶頸，顯著...
SRAM是目前唯一一種跟先進CMOS工藝完全兼容且能大規(guī)模量產(chǎn)的存儲介質(zhì)，這也是支持大算力的關(guān)鍵所在：從單獨存算一體宏單元的角度，SRAM跟先進工藝的兼...
混合NVM/DRAM平臺上的內(nèi)存帶寬調(diào)節(jié)策略
隨著相變存儲器 (PCM)、STT-MRAM、憶阻器和英特爾的 3D-XPoint 等技術(shù)的快速發(fā)展，高速的、可字節(jié)尋址的新興 NVM 的產(chǎn)品逐漸涌現(xiàn)于市場中
什么是存算一體芯片？存算一體芯片的優(yōu)勢和應(yīng)用領(lǐng)域
存算一體片上學習在實現(xiàn)更低延遲和更小能耗的同時，能夠有效保護用戶隱私和數(shù)據(jù)。該芯片參照仿生類腦處理方式，可實現(xiàn)不同任務(wù)的快速“片上訓練”與“片上識別”，...
業(yè)界很多也都在研究相關(guān)的解決方案，以實現(xiàn)更為有效的數(shù)據(jù)運算和更大的數(shù)據(jù)吞吐量，其中“存算一體”被認為是未來計算芯片的架構(gòu)趨勢。它是把之前集中存儲在外面的...
隨著ChatGPT強勢來襲，AI人工智能應(yīng)用層出不窮。智能化時代，數(shù)據(jù)量指數(shù)型增長，摩爾定律已經(jīng)不能滿足當前的數(shù)據(jù)處理需求，元器件的物理尺寸已經(jīng)接近極限。
2023-10-22 標簽：場效應(yīng)晶體管人工智能憶阻器 4591 0
憶阻器英文名為memristor, 用符號M表示，與電阻R，電容C，電感L構(gòu)成四種基本無源電路器件，它是連接磁通量與電荷之間關(guān)系的紐帶，其同時具備電阻和...
CMOS 晶體管有助于控制二維憶阻器上的電流。這有助于實現(xiàn)憶阻器約 500 萬次開關(guān)周期的耐用性，與現(xiàn)有的電阻式 RAM和相變存儲器大致相當。如果沒有 ...
2023-04-11 標簽：CMOS晶圓神經(jīng)網(wǎng)絡(luò) 1411 0
隨著信息社會的發(fā)展，人類社會產(chǎn)生的信息總量開始呈爆炸式增長，這給數(shù)據(jù)傳輸、存儲、分析和安全帶來了各種挑戰(zhàn)。存算一體化技術(shù)被提出用來解決大量運算問題，而在...
CS安全問題越來越被重視。CS是利用特定信號的結(jié)構(gòu)，通過隨機編碼過程在模擬和數(shù)字領(lǐng)域的物理界面上同時進行數(shù)據(jù)壓縮和采集，允許以亞奈奎斯特速率進行采集
未來集成電路將通過計算范式、芯片架構(gòu)和集成方法等創(chuàng)新，突破高算力發(fā)展瓶頸。具體創(chuàng)新方法為：Chiplet異質(zhì)集成提高晶體管數(shù)量、存算一體技術(shù)提高每單位器...
二維層狀半導體材料得益于原子級薄的厚度，其受到靜電場屏蔽效應(yīng)大大減弱，利用門電壓可以對其電學性能進行有效調(diào)控。利用二維層狀半導體材料構(gòu)建的多端憶阻晶體管...
憶阻器英文名為memristor, 用符號M表示，與電阻R，電容C，電感L構(gòu)成四種基本無源電路器件，它是連接磁通量與電荷之間關(guān)系的紐帶，其同時具備電阻和...
憶耦器是一種基于非線性磁電耦合效應(yīng)的記憶元件，源于第四種基本電路元件電耦器（transtor）。憶耦器的基本特征是其表現(xiàn)出非線性電荷-磁通回滯曲線。
第一個運算放大器是積分器。分壓器將+輸入置于控制電壓的一半。運算放大器試圖使其輸入保持相同的電壓，這要求100k兩端流過電流，以確保其壓降為控制電壓的一半。
支持憶阻器/神經(jīng)元的前沿研究，泰克測試系統(tǒng)提供定制開發(fā)和系統(tǒng)集成
憶阻器代表著電荷與磁通量之間的關(guān)系。憶阻器的電阻會隨著通過的電流量而發(fā)生變化，就算電路斷電、電流停止，其電阻值仍然會被保留，直到有反向電流通過才會返回原狀。
2022-11-05 標簽：泰克神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)憶阻器 2323 0
憶阻器的存儲與計算“融合”的模式，避免了傳統(tǒng)架構(gòu)中每步都需要將計算結(jié)果通過總線傳輸?shù)絻?nèi)存或外存之中進行存儲，從而有效地減小數(shù)據(jù)頻繁存取和傳輸?shù)呢摵?，降?..
2018-10-21 標簽：憶阻器 1.3萬 0
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