憶阻器

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憶阻器全稱記憶電阻器，它是表示磁通與電荷關(guān)系的電路器件。憶阻具有電阻的量綱，但和電阻不同的是，憶阻的阻值是由流經(jīng)它的電荷確定。因此，通過測定憶阻的阻值，便可知道流經(jīng)它的電荷量，從而有記憶電荷的作用。

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憶阻器技術(shù)

典型的半導(dǎo)體電容在pF或nF范圍內(nèi)。許多商業(yè)上可用的LCR表或電容計(jì)補(bǔ)償后可以使用適當(dāng)?shù)臏y量技術(shù)來測量這些值，然而，一些應(yīng)用需要在飛秒法（fF）或1e-...

2025-03-13 標(biāo)簽：半導(dǎo)體電容憶阻器 1.7萬 0

憶阻器存算一體技術(shù)深度解析

AI領(lǐng)域正在經(jīng)歷一場顛覆性的變革！DeepSeek，一款近期火爆全球的開源AI大模型，正與GPT-4、Sora等模型一起，掀起一場前所未有的算力競賽。隨...

2025-02-13 標(biāo)簽：憶阻器存算一體 DeepSeek 754 0

鐵電存儲(chǔ)器和憶阻器的區(qū)別

鐵電存儲(chǔ)器（Ferroelectric RAM, FRAM）與憶阻器（Memristor）是兩種不同類型的存儲(chǔ)技術(shù)，它們在工作原理、性能特點(diǎn)、應(yīng)用場景以...

2024-09-29 標(biāo)簽：存儲(chǔ)技術(shù)憶阻器鐵電存儲(chǔ)器 1447 0

知存科技助力AI應(yīng)用落地：WTMDK2101-ZT1評估板實(shí)地評測與性能揭秘

隨著當(dāng)今數(shù)據(jù)迅速增長，傳統(tǒng)的馮諾依曼架構(gòu)內(nèi)存墻正在成為計(jì)算性能進(jìn)一步提升的阻礙。新一代的存內(nèi)計(jì)算（IMC）和近存計(jì)算（NMC）架構(gòu)有望突破這一瓶頸，顯著...

2024-05-16 標(biāo)簽：DRAM AI 憶阻器 2596 0

不同的存算一體有什么區(qū)別？

SRAM是目前唯一一種跟先進(jìn)CMOS工藝完全兼容且能大規(guī)模量產(chǎn)的存儲(chǔ)介質(zhì)，這也是支持大算力的關(guān)鍵所在：從單獨(dú)存算一體宏單元的角度，SRAM跟先進(jìn)工藝的兼...

2023-11-19 標(biāo)簽：sram AI 憶阻器 1699 0

混合NVM/DRAM平臺(tái)上的內(nèi)存帶寬調(diào)節(jié)策略

隨著相變存儲(chǔ)器 (PCM)、STT-MRAM、憶阻器和英特爾的 3D-XPoint 等技術(shù)的快速發(fā)展，高速的、可字節(jié)尋址的新興 NVM 的產(chǎn)品逐漸涌現(xiàn)于市場中

2023-11-14 標(biāo)簽：PCM DRAM 存儲(chǔ)器 1935 0

什么是存算一體芯片？存算一體芯片的優(yōu)勢和應(yīng)用領(lǐng)域

存算一體片上學(xué)習(xí)在實(shí)現(xiàn)更低延遲和更小能耗的同時(shí)，能夠有效保護(hù)用戶隱私和數(shù)據(jù)。該芯片參照仿生類腦處理方式，可實(shí)現(xiàn)不同任務(wù)的快速“片上訓(xùn)練”與“片上識(shí)別”，...

2023-10-23 標(biāo)簽：芯片閃存 FlaSh 6437 0

全球首顆清華憶阻器存算一體芯片究竟是個(gè)啥？

業(yè)界很多也都在研究相關(guān)的解決方案，以實(shí)現(xiàn)更為有效的數(shù)據(jù)運(yùn)算和更大的數(shù)據(jù)吞吐量，其中“存算一體”被認(rèn)為是未來計(jì)算芯片的架構(gòu)趨勢。它是把之前集中存儲(chǔ)在外面的...

2023-10-22 標(biāo)簽：芯片人工智能憶阻器 1158 0

算力不足和能效過低，有什么方法提高AI芯片的算力呢？

隨著ChatGPT強(qiáng)勢來襲，AI人工智能應(yīng)用層出不窮。智能化時(shí)代，數(shù)據(jù)量指數(shù)型增長，摩爾定律已經(jīng)不能滿足當(dāng)前的數(shù)據(jù)處理需求，元器件的物理尺寸已經(jīng)接近極限。

2023-10-22 標(biāo)簽：場效應(yīng)晶體管人工智能憶阻器 4820 0

憶阻器單元基礎(chǔ)研究和性能研究測試方案

憶阻器英文名為memristor, 用符號M表示，與電阻R，電容C，電感L構(gòu)成四種基本無源電路器件，它是連接磁通量與電荷之間關(guān)系的紐帶，其同時(shí)具備電阻和...

2023-07-12 標(biāo)簽：存儲(chǔ)憶阻器 868 0

AI芯片新選擇，憶阻器的作用

CMOS 晶體管有助于控制二維憶阻器上的電流。這有助于實(shí)現(xiàn)憶阻器約 500 萬次開關(guān)周期的耐用性，與現(xiàn)有的電阻式 RAM和相變存儲(chǔ)器大致相當(dāng)。如果沒有 ...

2023-04-11 標(biāo)簽：CMOS 晶圓神經(jīng)網(wǎng)絡(luò) 1497 0

憶阻器的應(yīng)用前景

隨著信息社會(huì)的發(fā)展，人類社會(huì)產(chǎn)生的信息總量開始呈爆炸式增長，這給數(shù)據(jù)傳輸、存儲(chǔ)、分析和安全帶來了各種挑戰(zhàn)。存算一體化技術(shù)被提出用來解決大量運(yùn)算問題，而在...

2023-02-17 標(biāo)簽：電容存儲(chǔ)憶阻器 5906 0

基于柔性聚酰亞胺憶阻器的多合一壓縮和加密引擎

CS安全問題越來越被重視。CS是利用特定信號的結(jié)構(gòu)，通過隨機(jī)編碼過程在模擬和數(shù)字領(lǐng)域的物理界面上同時(shí)進(jìn)行數(shù)據(jù)壓縮和采集，允許以亞奈奎斯特速率進(jìn)行采集

2023-02-06 標(biāo)簽：傳感器憶阻器電脈沖 1492 0

基于憶阻器存算一體芯片研究進(jìn)展、總結(jié)與展望

未來集成電路將通過計(jì)算范式、芯片架構(gòu)和集成方法等創(chuàng)新，突破高算力發(fā)展瓶頸。具體創(chuàng)新方法為：Chiplet異質(zhì)集成提高晶體管數(shù)量、存算一體技術(shù)提高每單位器...

2022-12-23 標(biāo)簽：集成電路人工智能憶阻器 2989 0

基于垂直架構(gòu)的新型二維半導(dǎo)體/鐵電多值存儲(chǔ)器

二維層狀半導(dǎo)體材料得益于原子級薄的厚度，其受到靜電場屏蔽效應(yīng)大大減弱，利用門電壓可以對其電學(xué)性能進(jìn)行有效調(diào)控。利用二維層狀半導(dǎo)體材料構(gòu)建的多端憶阻晶體管...

2022-11-28 標(biāo)簽：MOSFET 半導(dǎo)體存儲(chǔ)器 831 0

憶阻器簡介及測試方案

2022-10-20 標(biāo)簽：存儲(chǔ)單元憶阻器阻變存儲(chǔ)器 1.1萬 0

基于憶耦器實(shí)現(xiàn)非易失性邏輯門NOR

憶耦器是一種基于非線性磁電耦合效應(yīng)的記憶元件，源于第四種基本電路元件電耦器（transtor）。憶耦器的基本特征是其表現(xiàn)出非線性電荷-磁通回滯曲線。

2022-06-10 標(biāo)簽：DRAM 摩爾定律憶阻器 6000 0

一些電路的動(dòng)圖演示分享

第一個(gè)運(yùn)算放大器是積分器。分壓器將+輸入置于控制電壓的一半。運(yùn)算放大器試圖使其輸入保持相同的電壓，這要求100k兩端流過電流，以確保其壓降為控制電壓的一半。

2022-03-28 標(biāo)簽：電路壓控振蕩器憶阻器 2934 0

支持憶阻器/神經(jīng)元的前沿研究，泰克測試系統(tǒng)提供定制開發(fā)和系統(tǒng)集成

憶阻器代表著電荷與磁通量之間的關(guān)系。憶阻器的電阻會(huì)隨著通過的電流量而發(fā)生變化，就算電路斷電、電流停止，其電阻值仍然會(huì)被保留，直到有反向電流通過才會(huì)返回原狀。

2022-11-05 標(biāo)簽：泰克神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)憶阻器 2364 0

憶阻器應(yīng)用

憶阻器的存儲(chǔ)與計(jì)算“融合”的模式，避免了傳統(tǒng)架構(gòu)中每步都需要將計(jì)算結(jié)果通過總線傳輸?shù)絻?nèi)存或外存之中進(jìn)行存儲(chǔ)，從而有效地減小數(shù)據(jù)頻繁存取和傳輸?shù)呢?fù)荷，降低...

2018-10-21 標(biāo)簽：憶阻器 1.3萬 0

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Verilog HDL是一種硬件描述語言（HDL:Hardware Description Language），以文本形式來描述數(shù)字系統(tǒng)硬件的結(jié)構(gòu)和行為的語言，用它可以表示邏輯電路圖、邏輯表達(dá)式，還可以表示數(shù)字邏輯系統(tǒng)所完成的邏輯功能。
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