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標(biāo)簽 > 快充芯片
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HUSB385在保留強(qiáng)大協(xié)議兼容性和安全機(jī)制的前提下,通過(guò)內(nèi)部集成兩個(gè)低Rdson的N-MOSFET,減少了外部元件數(shù)量,降低了電路板的復(fù)雜度,提升了系...
2025-06-18 標(biāo)簽:MOSFET快充芯片慧能泰半導(dǎo)體 295 0
耐壓值定義了芯片安全工作電壓上限,若輸入電壓超過(guò)該值(如動(dòng)態(tài)波動(dòng)或負(fù)載突變),可能引發(fā)擊穿或永久損壞,直接影響器件可靠性、性能表現(xiàn)及系統(tǒng)適配性。高耐壓芯...
在輕載和空載狀態(tài)下,當(dāng)FB管腳電壓低于VSKIP_IN(典型值 0.4V)時(shí),系統(tǒng)進(jìn)入打嗝模式工作,,停止開(kāi)關(guān)動(dòng)作。當(dāng)FB電壓超過(guò)VSKIP_OUT(典...
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