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標(biāo)簽 > 拋光

拋光

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拋光是指利用機(jī)械、化學(xué)或電化學(xué)的作用,使工件表面粗糙度降低,以獲得光亮、平整表面的加工方法。是利用拋光工具和磨料顆粒或其他拋光介質(zhì)對(duì)工件表面進(jìn)行的修飾加工。

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拋光技術(shù)

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2025-05-14 標(biāo)簽:機(jī)械拋光 418 0

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晶圓拋光在芯片制造中的作用

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2025-01-24 標(biāo)簽:晶圓芯片制造拋光 816 0

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在化學(xué)腐蝕點(diǎn)處的濃度越高,腐蝕速率越快。在拋光過(guò)程中拋光液持續(xù)流動(dòng),我們假設(shè)在腐蝕點(diǎn)處的濃度可以保持初始時(shí)的濃度,腐蝕率以最快的速度發(fā)生,則拋光液不同的...

2023-06-02 標(biāo)簽:機(jī)械拋光 887 0

半導(dǎo)體拋光與清洗工藝課堂素材分享(3)(一)

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GaAs基激光器的減薄和拋光問(wèn)題

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陶瓷基板研磨拋光的三大好處

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關(guān)于薄膜金剛石的化學(xué)機(jī)械拋光的研究報(bào)告

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摘要 納米晶金剛石(NCD)可以保留單晶金剛石的優(yōu)越楊晶模量(1100GPa),以及在低溫下生長(zhǎng)的能力(450C),這推動(dòng)了NCD薄膜生長(zhǎng)和應(yīng)用的復(fù)興。...

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關(guān)于晶體硅太陽(yáng)能電池單面濕法化學(xué)拋光的方法

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引言 高效太陽(yáng)能電池需要對(duì)硅片的正面和背面進(jìn)行單獨(dú)處理。在現(xiàn)有技術(shù)中,電池的兩面都被紋理化,導(dǎo)致表面相當(dāng)粗糙,這對(duì)背面是不利的。因此,在紋理化后直接引入...

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引言 原子平面的制備是半導(dǎo)體基板上原子尺度操作的必要前提。由于自組裝現(xiàn)象或使用原子探針技術(shù)操縱單個(gè)原子,只有原子平面的表面才能產(chǎn)生可重復(fù)制造納米級(jí)原子結(jié)...

2022-01-10 標(biāo)簽:半導(dǎo)體砷化鎵鈍化 1728 0

《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》III-V族化學(xué)-機(jī)械拋光工藝開(kāi)發(fā)

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書(shū)籍:《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》 文章:III-V族化學(xué)-機(jī)械拋光工藝開(kāi)發(fā) 編號(hào):JFKJ-21-214 作者:炬豐科技 摘要 ? III-V材料與絕緣子...

2023-04-18 標(biāo)簽:拋光半導(dǎo)體工藝 419 0

現(xiàn)代電子工業(yè)的靈魂是什么?

我們經(jīng)常把研磨和拋光放在一起講,因?yàn)榱慵?jīng)過(guò)這兩個(gè)工序的粗糙度已經(jīng)十分小了。首先咱們了解一下它們的區(qū)別。

2020-09-02 標(biāo)簽:電子工業(yè)拋光 1981 0

研磨與拋光的區(qū)別

今天的光電子信息產(chǎn)業(yè)水平,對(duì)作為光電子基片材料的藍(lán)寶石、單晶硅等材料的平行度要求越來(lái)越精密,已經(jīng)達(dá)到了納米級(jí)。這就意味著,拋光工藝也已隨之進(jìn)入納米級(jí)的超...

2019-04-19 標(biāo)簽:電子工業(yè)單晶硅拋光 3.3萬(wàn) 0

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  • 識(shí)別技術(shù)
    識(shí)別技術(shù)
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