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標簽 > 損耗
損耗,一般指損失,受損失或耗費的意思。在信號專業(yè)中指信號電平或強度的減少,通常用分貝表示。也指沒有實際用途的功率耗散。
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編者注:本文的內(nèi)容其實比較簡潔,前面兩個因素結(jié)合ADS仿真原理圖給大家介紹,有興趣的也可以照著做做。很多總線都會給處損耗的要求,所以對于設計工程師而言,...
二極管作為一種重要的半導體器件,在電子電路中扮演著至關重要的角色。然而,在二極管的實際應用中,反向恢復損耗是一個不容忽視的問題。本文將對二極管的反向恢復...
DC/DC評估篇損耗探討-同步整流降壓轉(zhuǎn)換器死區(qū)時間的損耗
上一篇文章中介紹了同步整流降壓轉(zhuǎn)換器的開關節(jié)點產(chǎn)生的開關損耗。本文將探討開關節(jié)產(chǎn)生的死區(qū)時間損耗。死區(qū)時間損耗是指在死區(qū)時間中因低邊開關(MOSFET)...
2023-02-23 標簽:控制電路降壓轉(zhuǎn)換器損耗 3381 0
電纜分為信號電纜和動力電纜。動力電纜是傳輸電能的載體,電網(wǎng)系統(tǒng)也是由一根根的電纜組成。從源頭發(fā)電廠到終端用戶端的用電都是依靠著電纜的傳輸。
開關電源中的MOS管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,金屬-氧化物半導體場效應晶體管...
與大多數(shù)功率半導體相比,IGBT 通常需要更復雜的一組計算來確定芯片溫度。這是因為大多數(shù) IGBT 都采用一體式封裝,同一封裝中同時包含 IGBT 和二...
MOS管的損耗是一個復雜而重要的議題,它涉及到多個因素,包括MOS管本身的物理特性、電路設計、工作條件以及外部環(huán)境等。
今天在網(wǎng)上找到一份芯片的應用指南,上面介紹了比較詳細的射頻基礎知識,我們就這這份指南一起再來復習一下。溫故而知新。這份指南的下載鏈接,我放在了文末留言處...
MOSFET作為主要的開關功率器件之一,被大量應用于模塊電源。了解MOSFET的損耗組成并對其分析,有利于優(yōu)化MOSFET損耗,提高模塊電源的功率;但是...
有哪些環(huán)節(jié)會帶來雷達系統(tǒng)的損耗?
但是,實際雷達常有各種損耗,從而降低了雷達的實際作用距離,需要在雷達方程中引入損耗的修正量Ls,把它加到雷達方程的分母中,用正分貝表示。雷達系統(tǒng)中有很多...
2022-11-08 標簽:損耗雷達系統(tǒng)CFAR 2572 0
在器件設計選擇過程中需要對 MOSFET 的工作過程損耗進行先期計算(所謂先期計算是指在沒能夠測試各工作波形的情況下,利用器件規(guī)格書提供的參數(shù)及工作電路...
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