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40V,1A 極低VF 肖特基勢(shì)壘整流器-PMEG4010CEH-Q立即下載
2023-02-08 標(biāo)簽:數(shù)據(jù)手冊(cè)安世 328 0
30V,1A 低VF 肖特基勢(shì)壘整流器-PMEG3010EGW-Q立即下載
2023-02-08 標(biāo)簽:數(shù)據(jù)手冊(cè)安世 270 0
40V,0.75A 中功率肖特基勢(shì)壘整流器-BAT165A-Q立即下載
2023-02-08 標(biāo)簽:數(shù)據(jù)手冊(cè)安世 253 0
LFPAK88中的N溝道 40V,1.2mΩ 標(biāo)準(zhǔn)電平 MOSFET-BUK7S1R2-40H立即下載
2023-02-08 標(biāo)簽:數(shù)據(jù)手冊(cè)安世 331 0
帶輸出寄存器的8位移位寄存器-74HC_HCT594_Q100立即下載
2023-02-08 標(biāo)簽:數(shù)據(jù)手冊(cè)安世 529 0
雙4輸入多路復(fù)用器;三態(tài)-74HC_HCT253_Q100立即下載
2023-02-08 標(biāo)簽:數(shù)據(jù)手冊(cè)安世 382 0
50V,100mA NPN/PNP 電阻配備雙晶體管;R1=10kΩ,R2=開(kāi)路-PUMD4-Q立即下載
2023-02-08 標(biāo)簽:數(shù)據(jù)手冊(cè)安世 348 0
超低電容雙向ESD保護(hù)二極管-PESD5V0V1BL-Q立即下載
2023-02-08 標(biāo)簽:數(shù)據(jù)手冊(cè)安世 325 0
采用 TrenchMOS 技術(shù)的 LFPAK56D中的N溝道 40V,9.4mOhm、邏輯電平 MOSFET-PSMN8R0-40HL立即下載
2023-02-08 標(biāo)簽:數(shù)據(jù)手冊(cè)安世 341 0
采用 TrenchMOS 技術(shù)的 LFPAK56D中的N溝道 40V,7.2mOhm、邏輯電平 MOSFET-PSMN6R1-40HL立即下載
2023-02-08 標(biāo)簽:數(shù)據(jù)手冊(cè)安世 329 0
采用 TrenchMOS 技術(shù)的 LFPAK56D中的N溝道 60V,11.5mOhm、邏輯電平 MOSFET-PSMN011-60HL立即下載
2023-02-08 標(biāo)簽:數(shù)據(jù)手冊(cè)安世 338 0
采用 TrenchMOS 技術(shù)的 LFPAK56D中的N溝道 60V,12.5mOhm、邏輯電平 MOSFET-PSMN013-60HL立即下載
2023-02-08 標(biāo)簽:數(shù)據(jù)手冊(cè)安世 272 0
LFPAK56D中的N溝道 60V,12.5mOhm、邏輯電平 MOSFET,使用針對(duì)重復(fù)雪崩增強(qiáng)的 TrenchMOS 技術(shù)-PSMN012-60HL立即下載
2023-02-08 標(biāo)簽:數(shù)據(jù)手冊(cè)安世 370 0
采用 TrenchMOS 技術(shù)的 LFPAK56D中的N溝道 100V,31mOhm、邏輯電平 MOSFET-PSMN033-100HL立即下載
2023-02-08 標(biāo)簽:數(shù)據(jù)手冊(cè)安世 301 0
650V,1A 超快恢復(fù)整流器-PNU65010ER立即下載
2023-02-08 標(biāo)簽:數(shù)據(jù)手冊(cè)安世 510 0
650V,1A 超快恢復(fù)整流器-PNU65010ER-Q立即下載
2023-02-08 標(biāo)簽:數(shù)據(jù)手冊(cè)安世 316 0
650V,1A 超快恢復(fù)整流器-PNU65010EP立即下載
2023-02-08 標(biāo)簽:數(shù)據(jù)手冊(cè)安世 325 0
2023-02-08 標(biāo)簽:數(shù)據(jù)手冊(cè)安世 433 0
2023-02-08 標(biāo)簽:數(shù)據(jù)手冊(cè)安世 334 0
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