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標(biāo)簽 > 斬波器
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現(xiàn)代工業(yè)以及日常生活中離不開各種各樣的高性能材料,這些材料優(yōu)異的性質(zhì)取決于其微觀結(jié)構(gòu)或者動力學(xué)行為。
高壓大電流DMOS外延區(qū)電阻率設(shè)計(jì)
功率MOS場效應(yīng)晶體管電參數(shù)指標(biāo)中規(guī)定的電參數(shù)一般分為三大類:直流參數(shù)、交流參數(shù)和極限參數(shù)。
2023-07-07 標(biāo)簽:開關(guān)電源斬波器逆變器 1411 0
中子譜儀利用中子與原子核的作用來進(jìn)行物質(zhì)微觀結(jié)構(gòu)和動力學(xué)的研究。如果把散裂中子源比做超級顯微鏡,每臺中子譜儀都是一個(gè)“顯微鏡”。
零漂移放大器采用獨(dú)特的自校正技術(shù),可提供適用于通用和精密應(yīng)用的超低輸入失調(diào)電壓(Vos)和接近零的隨時(shí)間和溫度輸入失調(diào)電壓漂移(dVos/dT)。TI的...
斬波放大器與直流放大器在多個(gè)方面存在顯著的區(qū)別,這些區(qū)別主要體現(xiàn)在它們的工作原理、結(jié)構(gòu)特點(diǎn)、性能表現(xiàn)以及應(yīng)用領(lǐng)域上。
斬波器的定頻調(diào)寬工作方式是一種電力電子控制技術(shù),用于調(diào)節(jié)輸出電壓或電流。
功率MOS場效應(yīng)晶體管設(shè)計(jì)過程
功率MOS場效應(yīng)晶體管電參數(shù)指標(biāo)中規(guī)定的電參數(shù)一般分為三大類:直流參數(shù)、交流參數(shù)和極限參數(shù)。
2023-07-05 標(biāo)簽:開關(guān)電源斬波器MOS管 864 0
斬波放大器與開關(guān)電源在原理、結(jié)構(gòu)、功能和應(yīng)用等方面存在顯著的區(qū)別。
2024-08-08 標(biāo)簽:開關(guān)電源斬波器斬波放大器 832 0
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