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晶體硅

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晶體硅技術(shù)

ITO點(diǎn)接觸方案在HBC電池中的應(yīng)用

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一種新型的晶體硅(c-Si)太陽(yáng)能電池設(shè)計(jì),基于雙面異質(zhì)結(jié)背接觸太陽(yáng)能電池(HBC電池),并采用了透明導(dǎo)電氧化物(TCO)。三種雙面HBC電池方案:全面...

2024-11-21 標(biāo)簽:太陽(yáng)能電池ITO晶體硅 491 0

晶體硅為什么可以做半導(dǎo)體材料

晶體硅之所以能夠成為半導(dǎo)體材料的首選,主要得益于其一系列獨(dú)特的物理、化學(xué)和工藝特性。 一、資源豐富與成本效益 首先,硅是地球上第二豐富的元素,廣泛存在于...

2024-09-21 標(biāo)簽:晶體半導(dǎo)體材料晶體硅 2384 0

硅光電池板是由超導(dǎo)材料制成的嗎

硅光電池板不是由超導(dǎo)材料制成的 ,而是由晶體硅材料構(gòu)成的。硅光電池是一種直接把光能轉(zhuǎn)換成電能的半導(dǎo)體器件,其核心部分是一個(gè)大面積的PN結(jié)。當(dāng)PN結(jié)受到光...

2024-09-21 標(biāo)簽:晶體硅超導(dǎo)材料硅光電池 797 0

金剛石的熔沸點(diǎn)高于晶體硅的原因

金剛石和晶體硅都是原子晶體,它們的熔沸點(diǎn)主要取決于原子間的鍵合強(qiáng)度。以下是一些關(guān)鍵因素,這些因素決定了金剛石的熔沸點(diǎn)高于晶體硅: 原子間鍵的類型 :金剛...

2024-08-08 標(biāo)簽:三維晶體硅金剛石 2080 0

金剛石碳化硅晶體硅的熔沸點(diǎn)怎么比較

金剛石、碳化硅和晶體硅都是由碳元素構(gòu)成的晶體材料,它們具有不同的晶體結(jié)構(gòu)和化學(xué)性質(zhì)。 一、晶體結(jié)構(gòu) 金剛石 金剛石是一種具有四面體結(jié)構(gòu)的碳原子晶體。每個(gè)...

2024-08-08 標(biāo)簽:晶體硅金剛石電導(dǎo)率 3692 0

碳化硅和晶體硅誰(shuí)的熔點(diǎn)高

1.碳化硅和晶體硅的熔點(diǎn)比較,碳化硅的熔點(diǎn)更高。 具體來(lái)說(shuō),碳化硅的熔點(diǎn)大于2700℃,并且其沸點(diǎn)高于3500℃。而晶體硅的熔點(diǎn)則為1410℃(也有資料...

2024-08-08 標(biāo)簽:金屬晶體硅碳化硅 3101 0

磷摻雜時(shí)間對(duì)晶體硅太陽(yáng)能電池反射率、接觸電阻、方阻的影響

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晶體硅太陽(yáng)能電池是目前市場(chǎng)主要的太陽(yáng)能電池技術(shù)之一,其中硅片的金屬化在有效收集太陽(yáng)能方面起著至關(guān)重要的作用。硅片和金屬柵線之間的接觸形成和其特性受到PN...

2024-03-29 標(biāo)簽:太陽(yáng)能電池接觸電阻晶體硅 1957 0

細(xì)述幾種高效晶體硅太陽(yáng)能電池技術(shù)

細(xì)述幾種高效晶體硅太陽(yáng)能電池技術(shù)

一般高效單晶硅電池采用化學(xué)腐蝕制絨技術(shù),制得絨面的反射率可達(dá)到10%以下。目前較為先進(jìn)的制絨技術(shù)是反應(yīng)等離子蝕刻技術(shù)(RIE),該技術(shù)的優(yōu)點(diǎn)是和晶硅的晶...

2024-03-19 標(biāo)簽:太陽(yáng)能電池蝕刻晶體硅 2453 0

四代半導(dǎo)體的發(fā)展現(xiàn)狀,氧化鎵新進(jìn)展介紹

半導(dǎo)體內(nèi)部的價(jià)電子通常被共價(jià)鍵束縛,無(wú)法自由移動(dòng),自然也就無(wú)法參與導(dǎo)電。所有價(jià)電子所處的能帶區(qū)域被稱為價(jià)帶,價(jià)電子在受到熱、光、電、磁等方式的激發(fā)時(shí)

2023-03-29 標(biāo)簽:晶體硅氧化鎵 2750 0

BaTiO2波導(dǎo)調(diào)制器的有效折射率與電壓關(guān)系

鐵電波導(dǎo)由硅層和玻璃襯底上的BiTiO3(也稱為BTO)層組成。BiTiO3晶體的取向?yàn)榫w的[011]方向平行于光傳播方向(y方向),[001]方向沿...

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分別說(shuō)說(shuō)VMOSFET的VVMOS和VDMOS兩種結(jié)構(gòu)

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MOS器件雖然漏極電流可以達(dá)到數(shù)安培,漏源電壓可以達(dá)到100V以上,但是由于漏源電阻大、頻率特性差、硅片面積利用率低等缺點(diǎn),使得MOSFET在功率上有很...

2022-11-03 標(biāo)簽:MOSFETMOS管晶體硅 9197 0

關(guān)于晶體硅太陽(yáng)能電池單面濕法化學(xué)拋光的方法

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引言 高效太陽(yáng)能電池需要對(duì)硅片的正面和背面進(jìn)行單獨(dú)處理。在現(xiàn)有技術(shù)中,電池的兩面都被紋理化,導(dǎo)致表面相當(dāng)粗糙,這對(duì)背面是不利的。因此,在紋理化后直接引入...

2022-01-12 標(biāo)簽:太陽(yáng)能電池太陽(yáng)能半導(dǎo)體 3101 0

先進(jìn)清洗技術(shù)提高晶體硅太陽(yáng)能電池效率

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引言 晶體硅光伏效率和場(chǎng)退化領(lǐng)域的技術(shù)差距/需求已經(jīng)被確定。效率低下和快速退化的原因可能有共同的根源。極少量的污染會(huì)導(dǎo)致光伏效率低下,并且在現(xiàn)場(chǎng)安裝后暴...

2022-01-10 標(biāo)簽:太陽(yáng)能電池太陽(yáng)能半導(dǎo)體 1637 0

四種薄膜太陽(yáng)能電池的詳細(xì)資料介紹

雖然太陽(yáng)能電池在生活中十分常見(jiàn),如美團(tuán)單車上的太陽(yáng)能電池、路燈太陽(yáng)能電池,但是大家對(duì)太陽(yáng)能電池真的了解嗎?在本文中,為增進(jìn)大家對(duì)太陽(yáng)能電池的認(rèn)識(shí),小編將...

2020-11-28 標(biāo)簽:太陽(yáng)能電池半導(dǎo)體晶體硅 1.4萬(wàn) 0

晶體硅太陽(yáng)能電池在未來(lái)一段時(shí)期內(nèi)仍將占據(jù)主導(dǎo)地位

太陽(yáng)能電池轉(zhuǎn)換效率受到光吸收、載流子輸運(yùn)、載流子收集的限制。對(duì)于單晶硅硅太陽(yáng)能電池,由于上光子帶隙的多余能量透射給下帶隙的光子,其轉(zhuǎn)換效率的理論最高值是...

2019-03-29 標(biāo)簽:太陽(yáng)能電池晶體硅 9217 0

單晶硅、多晶硅和非晶等幾種硅基太陽(yáng)能電池的介紹

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根據(jù)硅片厚度的不同,可分為晶體硅太陽(yáng)能電池和薄膜硅太陽(yáng)能電池兩大類。本文主要論述以下幾種硅基太陽(yáng)能電池的基本原理:?jiǎn)尉Ч杼?yáng)能電池,多晶硅太陽(yáng)能電池,多...

2017-05-09 標(biāo)簽:太陽(yáng)能電池晶體硅 2.5萬(wàn) 0

【深入淺出】晶體硅電池發(fā)電原理

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天天討論光伏發(fā)電,你知道太陽(yáng)能電池發(fā)電的原理嗎?本文分別用文字形式,介紹了晶硅太陽(yáng)能電池的發(fā)電原理。屬于科普級(jí)別,非常通俗易懂。

2016-11-28 標(biāo)簽:半導(dǎo)體晶體硅電池 3941 0

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視頻放大器 功率放大器 頻率轉(zhuǎn)換器 揚(yáng)聲器放大器 音頻轉(zhuǎn)換器 音頻開(kāi)關(guān) 音頻接口 音頻編解碼器
模數(shù)轉(zhuǎn)換器 數(shù)模轉(zhuǎn)換器 數(shù)字電位器 觸摸屏控制器 AFE ADC DAC 電源管理
線性穩(wěn)壓器 LDO 開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器 DC/DC 降壓轉(zhuǎn)換器 電源模塊 MOSFET IGBT
振蕩器 諧振器 濾波器 電容器 電感器 電阻器 二極管 晶體管
變送器 傳感器 解析器 編碼器 陀螺儀 加速計(jì) 溫度傳感器 壓力傳感器
電機(jī)驅(qū)動(dòng)器 步進(jìn)驅(qū)動(dòng)器 TWS BLDC 無(wú)刷直流驅(qū)動(dòng)器 濕度傳感器 光學(xué)傳感器 圖像傳感器
數(shù)字隔離器 ESD 保護(hù) 收發(fā)器 橋接器 多路復(fù)用器 氮化鎵 PFC 數(shù)字電源
開(kāi)關(guān)電源 步進(jìn)電機(jī) 無(wú)線充電 LabVIEW EMC PLC OLED 單片機(jī)
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