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標(biāo)簽 > 晶體硅
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ITO點(diǎn)接觸方案在HBC電池中的應(yīng)用
一種新型的晶體硅(c-Si)太陽(yáng)能電池設(shè)計(jì),基于雙面異質(zhì)結(jié)背接觸太陽(yáng)能電池(HBC電池),并采用了透明導(dǎo)電氧化物(TCO)。三種雙面HBC電池方案:全面...
2024-11-21 標(biāo)簽:太陽(yáng)能電池ITO晶體硅 491 0
晶體硅之所以能夠成為半導(dǎo)體材料的首選,主要得益于其一系列獨(dú)特的物理、化學(xué)和工藝特性。 一、資源豐富與成本效益 首先,硅是地球上第二豐富的元素,廣泛存在于...
2024-09-21 標(biāo)簽:晶體半導(dǎo)體材料晶體硅 2384 0
硅光電池板不是由超導(dǎo)材料制成的 ,而是由晶體硅材料構(gòu)成的。硅光電池是一種直接把光能轉(zhuǎn)換成電能的半導(dǎo)體器件,其核心部分是一個(gè)大面積的PN結(jié)。當(dāng)PN結(jié)受到光...
金剛石和晶體硅都是原子晶體,它們的熔沸點(diǎn)主要取決于原子間的鍵合強(qiáng)度。以下是一些關(guān)鍵因素,這些因素決定了金剛石的熔沸點(diǎn)高于晶體硅: 原子間鍵的類型 :金剛...
金剛石、碳化硅和晶體硅都是由碳元素構(gòu)成的晶體材料,它們具有不同的晶體結(jié)構(gòu)和化學(xué)性質(zhì)。 一、晶體結(jié)構(gòu) 金剛石 金剛石是一種具有四面體結(jié)構(gòu)的碳原子晶體。每個(gè)...
1.碳化硅和晶體硅的熔點(diǎn)比較,碳化硅的熔點(diǎn)更高。 具體來(lái)說(shuō),碳化硅的熔點(diǎn)大于2700℃,并且其沸點(diǎn)高于3500℃。而晶體硅的熔點(diǎn)則為1410℃(也有資料...
磷摻雜時(shí)間對(duì)晶體硅太陽(yáng)能電池反射率、接觸電阻、方阻的影響
晶體硅太陽(yáng)能電池是目前市場(chǎng)主要的太陽(yáng)能電池技術(shù)之一,其中硅片的金屬化在有效收集太陽(yáng)能方面起著至關(guān)重要的作用。硅片和金屬柵線之間的接觸形成和其特性受到PN...
2024-03-29 標(biāo)簽:太陽(yáng)能電池接觸電阻晶體硅 1957 0
細(xì)述幾種高效晶體硅太陽(yáng)能電池技術(shù)
一般高效單晶硅電池采用化學(xué)腐蝕制絨技術(shù),制得絨面的反射率可達(dá)到10%以下。目前較為先進(jìn)的制絨技術(shù)是反應(yīng)等離子蝕刻技術(shù)(RIE),該技術(shù)的優(yōu)點(diǎn)是和晶硅的晶...
2024-03-19 標(biāo)簽:太陽(yáng)能電池蝕刻晶體硅 2453 0
四代半導(dǎo)體的發(fā)展現(xiàn)狀,氧化鎵新進(jìn)展介紹
半導(dǎo)體內(nèi)部的價(jià)電子通常被共價(jià)鍵束縛,無(wú)法自由移動(dòng),自然也就無(wú)法參與導(dǎo)電。所有價(jià)電子所處的能帶區(qū)域被稱為價(jià)帶,價(jià)電子在受到熱、光、電、磁等方式的激發(fā)時(shí)
HJT電池的結(jié)構(gòu)和工藝與常規(guī)硅基太陽(yáng)電池的區(qū)別
2023-02-21 標(biāo)簽:太陽(yáng)能電池晶體硅 1.7萬(wàn) 0
BaTiO2波導(dǎo)調(diào)制器的有效折射率與電壓關(guān)系
鐵電波導(dǎo)由硅層和玻璃襯底上的BiTiO3(也稱為BTO)層組成。BiTiO3晶體的取向?yàn)榫w的[011]方向平行于光傳播方向(y方向),[001]方向沿...
分別說(shuō)說(shuō)VMOSFET的VVMOS和VDMOS兩種結(jié)構(gòu)
MOS器件雖然漏極電流可以達(dá)到數(shù)安培,漏源電壓可以達(dá)到100V以上,但是由于漏源電阻大、頻率特性差、硅片面積利用率低等缺點(diǎn),使得MOSFET在功率上有很...
關(guān)于晶體硅太陽(yáng)能電池單面濕法化學(xué)拋光的方法
引言 高效太陽(yáng)能電池需要對(duì)硅片的正面和背面進(jìn)行單獨(dú)處理。在現(xiàn)有技術(shù)中,電池的兩面都被紋理化,導(dǎo)致表面相當(dāng)粗糙,這對(duì)背面是不利的。因此,在紋理化后直接引入...
2022-01-12 標(biāo)簽:太陽(yáng)能電池太陽(yáng)能半導(dǎo)體 3101 0
先進(jìn)清洗技術(shù)提高晶體硅太陽(yáng)能電池效率
引言 晶體硅光伏效率和場(chǎng)退化領(lǐng)域的技術(shù)差距/需求已經(jīng)被確定。效率低下和快速退化的原因可能有共同的根源。極少量的污染會(huì)導(dǎo)致光伏效率低下,并且在現(xiàn)場(chǎng)安裝后暴...
2022-01-10 標(biāo)簽:太陽(yáng)能電池太陽(yáng)能半導(dǎo)體 1637 0
雖然太陽(yáng)能電池在生活中十分常見(jiàn),如美團(tuán)單車上的太陽(yáng)能電池、路燈太陽(yáng)能電池,但是大家對(duì)太陽(yáng)能電池真的了解嗎?在本文中,為增進(jìn)大家對(duì)太陽(yáng)能電池的認(rèn)識(shí),小編將...
2020-11-28 標(biāo)簽:太陽(yáng)能電池半導(dǎo)體晶體硅 1.4萬(wàn) 0
晶體硅太陽(yáng)能電池在未來(lái)一段時(shí)期內(nèi)仍將占據(jù)主導(dǎo)地位
太陽(yáng)能電池轉(zhuǎn)換效率受到光吸收、載流子輸運(yùn)、載流子收集的限制。對(duì)于單晶硅硅太陽(yáng)能電池,由于上光子帶隙的多余能量透射給下帶隙的光子,其轉(zhuǎn)換效率的理論最高值是...
2019-03-29 標(biāo)簽:太陽(yáng)能電池晶體硅 9217 0
根據(jù)硅片厚度的不同,可分為晶體硅太陽(yáng)能電池和薄膜硅太陽(yáng)能電池兩大類。本文主要論述以下幾種硅基太陽(yáng)能電池的基本原理:?jiǎn)尉Ч杼?yáng)能電池,多晶硅太陽(yáng)能電池,多...
2017-05-09 標(biāo)簽:太陽(yáng)能電池晶體硅 2.5萬(wàn) 0
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