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標簽 > 晶體
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在此,研究者通過機器學習方法分析了二維石英玻璃的結構和失效行為,并說明了如何在保持結果的定性可解釋性的情況下實現(xiàn)準確的失效預測。這要歸功于梯度加權類激活...
2022-08-18 標簽:晶體神經(jīng)網(wǎng)絡機器學習 1459 0
食鹽、礦石等人們日常熟悉的一般晶體,構成它們的原子在空間排列上呈現(xiàn)周期性變化的規(guī)律。而時間晶體,也就是一種四維以上的空間晶體,其特征在時間上也呈現(xiàn)出周期...
對于過渡族金屬元素主要是3d族,當然也包括4d,5d族,和稀土元素,主要是鑭系;這些元素形成的合金或者化合物中,由于存在d電子或f電子,而這兩種電子都是...
模擬結果表明,α析出相沿GBP的橫向生長和由來自GBα的α板條演變之間的動態(tài)相互作用決定了最終的形貌,兩者都對于θ十分敏感。隨著θ的增加WS的生長優(yōu)于G...
這項工作不僅報道了一維π-π堆積誘導的高效率RTP,為探索超分子聚集體的高效率RTP提供了重要的模型,也為實現(xiàn)三元白光提供了一種新策略。 研究者相信,此...
鈉離子電池層狀正極材料結構穩(wěn)定性和氧化還原電位的精準調控
作者通過簡單固相法合成了NNMO,Cu摻雜Na0.67Cu0.12Ni0.21Mn0.67O2 (NNMCO),Zn摻雜Na0.67Zn0.12Ni0....
IGBT是一種適合高電壓、大電流應用的理想晶體管。IGBT的額定電壓范圍為400V至2000V,額定電流范圍為5A至1000A,IGBT廣泛用于工業(yè)應用...
在三維多尺度離散位錯動力學框架中建立了梯度晶粒結構(圖1a, b)及其對應的均勻晶粒結構多晶模型。采用基于“粗?;狈椒ǖ目纱┩妇Ы缒P蛠砜紤]位錯與晶界...
QUANTUMESPRESSO在Device Studio中的應用
目前用戶可通過Device Studio進行 QUANTUM ESPRESSO 以下性質的計算: 結構馳豫、自洽、能帶、態(tài)密度、DFT+U、共線自旋、非...
具體而言,對于完美晶體而言,當氫原子被金屬的晶格間隙捕獲,將會導致間隙局域電子密度增加,使得間隙處Pauli斥力相對于靜電吸引力顯著增強,原本的排斥與吸...
硅砂被開采 芯片制造商從采石中獲得硅砂或二氧化硅。接下來,他們將其與碳混合并將其加熱到超過 2,000°C 的溫度以去除氧氣。當硅砂在電弧爐內時,碳與氧...
通過分析發(fā)現(xiàn),層狀材料中界面引入的非均勻變形程度以及非均勻變形區(qū)域的大小是主導其單拉力學響應的關鍵,對材料強度-韌性有重要影響。模擬發(fā)現(xiàn)隨著層厚的不斷減...
研究發(fā)現(xiàn)對鈾原子在GB的分布是由鈾-氧相互作用造成的。CRG和Yakub勢的這種優(yōu)勢與之前的研究一致,這兩個勢給出了關于UO2中GBs能量的最佳結果。雖...
原子尺度動態(tài)分析表明,Au納米孿晶的塑性變形由4種特征的位錯機制參與(如示意圖2A)。這4種不同位錯對應特征的柏氏矢量和原子尺度結構演化機制,如圖2B-...
接著,研究人員對微囊尺寸的影響因素進行了驗證。生成的微囊具有很好的均一性,尺寸大小為351.1±16.3μm,其中核心直徑為293±12.8μm,符合標...
AT切(0.5~300MHz)使用最廣泛的切割方式,主要應用在電子儀器,無線通信等。由于工藝的限制和晶片破裂的風險,晶片不能無限的薄,所以高頻晶體通常在...
C0/C1對晶體穩(wěn)定性的影響 CL對相噪和起振的影響
高精密電子儀器和通信系統(tǒng)的應用下,我們需要考慮不同封裝(貼片/直插)的石英晶振的電性能參數(shù)變化對系統(tǒng)的影響,包括C0/C1, CL,RR。
而此次他們通過實驗證明,該技術同樣適用于GaN-on-GaN HEMT器件制造,即在器件制造之后采用激光工藝進行減薄,該技術可顯著降低 GaN 襯底的消耗。
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