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標(biāo)簽 > 晶圓測(cè)試
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電子工業(yè)檢測(cè):14X變倍鏡頭微觀質(zhì)檢
面對(duì)iPhone主板上間距僅0.3mmBGA封裝芯片,傳統(tǒng)鏡頭87mm的工作距離難以貼近檢測(cè),導(dǎo)致邊緣焊點(diǎn)無(wú)法清晰成像。14X鏡頭憑借更短的工作距離,可...
隨著半導(dǎo)體技術(shù)的快速發(fā)展,晶圓接受測(cè)試(Wafer Acceptance Test,WAT)在半導(dǎo)體制造過(guò)程中的地位日益凸顯。WAT測(cè)試的核心目標(biāo)是確保...
在開(kāi)始量產(chǎn)之前,芯片設(shè)計(jì)師會(huì)進(jìn)行設(shè)計(jì)驗(yàn)證,以確保芯片的設(shè)計(jì)滿足規(guī)格要求。這包括功能驗(yàn)證、時(shí)序驗(yàn)證和電氣驗(yàn)證等,確保芯片在理論設(shè)計(jì)上沒(méi)有問(wèn)題。
LTCC/HTCC基板在晶圓測(cè)試探針卡中的應(yīng)用
在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的制造流程上,主要可分成IC設(shè)計(jì)、晶圓制程、晶圓測(cè)試及晶圓封裝四大步驟。 其中所謂的晶圓測(cè)試,就是對(duì)晶圓上的每顆晶粒進(jìn)行電性特性檢測(cè),以檢測(cè)...
半導(dǎo)體晶圓測(cè)試的探針卡制作及應(yīng)用
精密陶瓷基板具有優(yōu)良的電絕緣性、高導(dǎo)熱性、高附著強(qiáng)度和大的載流能力。使用溫度范圍寬,可以達(dá)到-55℃~850℃,熱膨脹系數(shù)接近于硅芯片。在多溫區(qū)測(cè)試環(huán)境...
2023-05-19 標(biāo)簽:晶圓半導(dǎo)體測(cè)試探針卡 5479 0
制作半導(dǎo)體產(chǎn)品的第一步,就是根據(jù)所需功能設(shè)計(jì)芯片(Chip)。然后,再將芯片制作成晶圓(Wafer)。由于晶圓由芯片反復(fù)排列而成,當(dāng)我們細(xì)看已完成的晶圓...
2023-05-11 標(biāo)簽:半導(dǎo)體芯片設(shè)計(jì)晶圓測(cè)試 3075 0
半導(dǎo)體晶圓測(cè)試的探針卡與LTCC/HTCC的聯(lián)系
晶圓測(cè)試的方式主要是通過(guò)測(cè)試機(jī)和探針臺(tái)的聯(lián)動(dòng),在測(cè)試過(guò)程中,測(cè)試機(jī)臺(tái)并不能直接對(duì)待測(cè)晶圓進(jìn)行量測(cè),而是透過(guò)探針卡(Probe Card)中的探針(Pro...
高頻探針卡的定義、原理、種類(lèi)、適用范圍以及使用注意事項(xiàng)
高頻探針卡是芯片、晶圓測(cè)試中的重要工具,它可以將高頻信號(hào)從芯片中提取出來(lái)并進(jìn)行分析,是芯片、晶圓測(cè)試世界中的神器。
MEMS傳感器晶圓級(jí)測(cè)試與成品級(jí)測(cè)試淺析
本文將從MEMS傳感器晶圓級(jí)測(cè)試與成品級(jí)測(cè)試這兩個(gè)層面,淺析了目前現(xiàn)狀及問(wèn)題,提出了一些有待商榷的解決辦法。
降低成本提高效率 MEMS動(dòng)態(tài)晶圓測(cè)試系統(tǒng)
STI3000動(dòng)態(tài)晶圓級(jí)測(cè)試系統(tǒng)采用STI的專(zhuān)利技術(shù)(DST),通過(guò)一個(gè)驅(qū)動(dòng)電壓在晶圓上驅(qū)動(dòng)MEMS移動(dòng),從而測(cè)量由此產(chǎn)生的相關(guān)各種特性,是目前全世界最...
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