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標(biāo)簽 > 晶片
晶片是LED最主要的原物料之一,是LED的發(fā)光部件,LED最核心的部分,晶片的好壞將直接決定LED的性能。晶片是由是由Ⅲ和Ⅴ族復(fù)合半導(dǎo)體物質(zhì)構(gòu)成。在LED封裝時(shí),晶片來(lái)料呈整齊排列在晶片膜上。
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濕化學(xué)蝕刻是多晶硅表面紋理化的典型方法,濕化學(xué)蝕刻法也是多晶體硅表面鋸切損傷的酸織構(gòu)化或氫氧化鉀鋸切損傷去除后的兩步化學(xué)蝕刻,這些表面紋理化方法是通過(guò)在...
用于異質(zhì)結(jié)太陽(yáng)能電池應(yīng)用的Na2CO3溶液的硅片紋理化
引言 在太陽(yáng)能電池工業(yè)中,最常見的紋理化方法之一是基于氫氧化鈉或氫氧化鉀的水溶液和異丙醇(IPA)。然而,IPA是有毒的,而且相對(duì)昂貴,因此人們正在努力...
2022-01-05 標(biāo)簽:太陽(yáng)能電池太陽(yáng)能半導(dǎo)體 1425 0
Al2O3鈍化PERC太陽(yáng)能電池的工業(yè)清洗序列
摘要 在本文中,我們研究了測(cè)試晶圓和PERC太陽(yáng)能電池的不同工業(yè)適用清洗順序,并與實(shí)驗(yàn)室類型的RCA清洗進(jìn)行了比較。清潔順序pSC1、HF/HCl、HF...
2021-12-31 標(biāo)簽:太陽(yáng)能電池太陽(yáng)能晶圓 1926 0
引言 為了評(píng)估用各種程序清洗和干燥的晶圓表面的清潔度,我們通過(guò)高靈敏度的大氣壓電離質(zhì)譜(APIMS)成功地分析了這些晶圓表面的排氣量。特別是,通過(guò)將晶片...
引言 Cu作為深度亞微米的多電級(jí)器件材料,由于其電阻低、電遷移電阻高和電容降低,與鋁相比的時(shí)間延遲。本文從理論和實(shí)驗(yàn)上研究了檸檬酸基銅化學(xué)機(jī)械平坦化后二...
關(guān)鍵詞 晶圓清洗 電氣 半導(dǎo)體 引言 半導(dǎo)體器件的制造是從半導(dǎo)體器件開始廣泛銷往市場(chǎng)的半個(gè)世紀(jì) 前到現(xiàn)在為止與粒子等雜質(zhì)的戰(zhàn)斗。半個(gè)世紀(jì)初,人們已經(jīng)了 ...
聚合物光波導(dǎo)制備用于硅基板上的自旋涂層薄膜的界面粘合
引言 研究了用于制造聚合物光波導(dǎo)的旋涂聚合物粘合薄膜在硅襯底上的界面粘合。通過(guò)使用光刻工藝在硅襯底上制造粘合劑剪切按鈕,并用D2400剪切測(cè)試儀測(cè)量界面...
優(yōu)化縮短3D集成硅通孔(TSV)填充時(shí)間的創(chuàng)新方法
本文介紹了一種新型的高縱橫比TSV電鍍添加劑系統(tǒng),利用深層反應(yīng)離子蝕刻(DRIE)技術(shù)對(duì)晶片形成圖案,并利用物理氣相沉積(PVD)技術(shù)沉積種子層。通過(guò)陽(yáng)...
半導(dǎo)體鍺光電探測(cè)器與非晶硅基板上的非晶硅波導(dǎo)單體集成
引言 我們展示了一個(gè)利用高質(zhì)量的絕緣體上鍺(GeO)晶片通過(guò)晶片鍵合技術(shù)制造的阿格/非晶硅混合光子集成電路平臺(tái)的概念驗(yàn)證演示。通過(guò)等離子體化學(xué)氣相沉積形...
如何應(yīng)對(duì)倒裝晶片裝配的三大挑戰(zhàn)
倒裝晶片自60年代誕生后,這個(gè)技術(shù)已逐漸替換常規(guī)的打線接合,逐漸成為封裝潮流,為高端器件及高密度封裝領(lǐng)域中經(jīng)常采用的封裝形式。倒裝晶片主要應(yīng)用在無(wú)線局域...
2021-03-25 標(biāo)簽:無(wú)線局域網(wǎng)smt晶片 3245 0
芯片中晶體管到底是個(gè)什么東西?芯片內(nèi)部制造工藝詳解
硅片的成分是硅,硅由石英砂精制而成。硅片經(jīng)硅元素(99.999%)提純后制成硅棒,成為制造集成電路的石英半導(dǎo)體材料。芯片是芯片制造所需的特定晶片。晶圓越...
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