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標(biāo)簽 > 村田
村田公司是一家使用性能優(yōu)異電子原料,設(shè)計、制造最先進的電子元器件及多功能高密度模塊的企業(yè)。不僅是手機、家電,汽車相關(guān)的應(yīng)用、能源管理系統(tǒng)、醫(yī)療保健器材等,都有村田公司的身影。
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型號 | 描述 | 數(shù)據(jù)手冊 | 參考價格 |
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MMBT2484LT1G | 晶體管類型:NPN;集射極擊穿電壓(Vceo):60V;集電極電流(Ic):100mA;功率(Pd):225mW;直流電流增益(hFE@Ic,Vce):250@1mA,5V; |
獲取價格
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BC818-40LT1G | 晶體管類型:NPN;集射極擊穿電壓(Vceo):25V;集電極電流(Ic):500mA;功率(Pd):225mW;直流電流增益(hFE@Ic,Vce):250@100mA,1V; |
獲取價格
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NSS40201LT1G | 晶體管類型:NPN;集射極擊穿電壓(Vceo):40V;集電極電流(Ic):2A;功率(Pd):540mW;直流電流增益(hFE@Ic,Vce):370@50mA,2V; |
獲取價格
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MMBT5088LT1G | 晶體管類型:NPN;集射極擊穿電壓(Vceo):30V;集電極電流(Ic):50mA;功率(Pd):300mW;直流電流增益(hFE@Ic,Vce):300@100?A,5V; |
獲取價格
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NSS20201LT1G | 晶體管類型:NPN;集射極擊穿電壓(Vceo):20V;集電極電流(Ic):2A;功率(Pd):540mW;直流電流增益(hFE@Ic,Vce):360@500mA,2V; |
獲取價格
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MMBT6428LT1G | 晶體管類型:NPN;集射極擊穿電壓(Vceo):50V;集電極電流(Ic):200mA;功率(Pd):225mW;直流電流增益(hFE@Ic,Vce):250@100uA,5V; |
獲取價格
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NSS1C201LT1G | 晶體管類型:NPN;集射極擊穿電壓(Vceo):100V;集電極電流(Ic):2A;功率(Pd):710mW;直流電流增益(hFE@Ic,Vce):240@500mA,2V; |
獲取價格
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BC858CLT1G | 晶體管類型:PNP;集射極擊穿電壓(Vceo):30V;集電極電流(Ic):100mA;功率(Pd):225mW;直流電流增益(hFE@Ic,Vce):420@2mA,5V; |
獲取價格
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BC846BLT1G | 晶體管類型:NPN;集射極擊穿電壓(Vceo):65V;集電極電流(Ic):100mA;功率(Pd):225mW;直流電流增益(hFE@Ic,Vce):200@2mA,5V; |
獲取價格
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BC817-40LT3G | 晶體管類型:NPN;集射極擊穿電壓(Vceo):45V;集電極電流(Ic):500mA;功率(Pd):225mW;直流電流增益(hFE@Ic,Vce):250@100mA,1V; |
獲取價格
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2N7002LT1G | 類型:N溝道;漏源電壓(Vdss):60V;連續(xù)漏極電流(Id):115mA;功率(Pd):225mW;導(dǎo)通電阻(RDS(on)@Vgs,Id):7.5Ω@10V,500mA; |
獲取價格
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BSS123LT1G | 類型:N溝道;漏源電壓(Vdss):100V;連續(xù)漏極電流(Id):170mA;功率(Pd):225mW;導(dǎo)通電阻(RDS(on)@Vgs,Id):6Ω@10V,100mA; |
獲取價格
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FDV301N | 類型:N溝道;漏源電壓(Vdss):25V;連續(xù)漏極電流(Id):220mA;功率(Pd):350mW;導(dǎo)通電阻(RDS(on)@Vgs,Id):4Ω@4.5V,400mA; |
獲取價格
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BSS138 | 類型:N溝道;漏源電壓(Vdss):50V;連續(xù)漏極電流(Id):220mA;功率(Pd):360mW;導(dǎo)通電阻(RDS(on)@Vgs,Id):3.5Ω@10V,220mA; |
獲取價格
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FDN360P | 類型:P溝道;漏源電壓(Vdss):30V;連續(xù)漏極電流(Id):2A;功率(Pd):500mW;導(dǎo)通電阻(RDS(on)@Vgs,Id):80mΩ@10V,2A; |
獲取價格
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NTR1P02T1G | 類型:P溝道;漏源電壓(Vdss):20V;連續(xù)漏極電流(Id):1A;功率(Pd):400mW;導(dǎo)通電阻(RDS(on)@Vgs,Id):180mΩ@10V,1.5A; |
獲取價格
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FDN352AP | 類型:P溝道;漏源電壓(Vdss):30V;連續(xù)漏極電流(Id):1.3A;功率(Pd):500mW;導(dǎo)通電阻(RDS(on)@Vgs,Id):180mΩ@10V,1.3A; |
獲取價格
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MMBF4392LT1G | FET類型:-;柵源擊穿電壓(V(BR)GSS):-;飽和漏源電流(Idss@Vds,Vgs=0):-;漏源導(dǎo)通電阻(RDS(on)):-;功率(Pd):-; |
獲取價格
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BSS138LT1G | 類型:N溝道;漏源電壓(Vdss):50V;連續(xù)漏極電流(Id):200mA;功率(Pd):225mW;導(dǎo)通電阻(RDS(on)@Vgs,Id):3.5Ω@5V,200mA; |
獲取價格
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MMBF170LT1G | 類型:N溝道;漏源電壓(Vdss):60V;連續(xù)漏極電流(Id):500mA;功率(Pd):225mW;導(dǎo)通電阻(RDS(on)@Vgs,Id):5Ω@10V,200mA; |
獲取價格
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NTR4502PT1G | 類型:P溝道;漏源電壓(Vdss):30V;連續(xù)漏極電流(Id):1.13A;功率(Pd):400mW;導(dǎo)通電阻(RDS(on)@Vgs,Id):200mΩ@1.95A,10V; |
獲取價格
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FDN304P | 類型:P溝道;漏源電壓(Vdss):20V;連續(xù)漏極電流(Id):2.4A;功率(Pd):500mW;導(dǎo)通電阻(RDS(on)@Vgs,Id):52mΩ@4.5V,2.4A; |
獲取價格
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FDN335N | 類型:N溝道;漏源電壓(Vdss):20V;連續(xù)漏極電流(Id):1.7A;功率(Pd):500mW;導(dǎo)通電阻(RDS(on)@Vgs,Id):70mΩ@4.5V,1.7A;閾值電壓(Vgs(th)@Id):1.5V@250uA; |
獲取價格
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BSR58 | FET類型:-;柵源擊穿電壓(V(BR)GSS):-;飽和漏源電流(Idss@Vds,Vgs=0):-;漏源導(dǎo)通電阻(RDS(on)):-;功率(Pd):-; |
獲取價格
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NDS0610 | 類型:P溝道;漏源電壓(Vdss):60V;連續(xù)漏極電流(Id):120mA;功率(Pd):360mW;導(dǎo)通電阻(RDS(on)@Vgs,Id):10Ω@10V,500mA; |
獲取價格
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NTR5105PT1G | 類型:P溝道;漏源電壓(Vdss):60V;連續(xù)漏極電流(Id):196mA;功率(Pd):347mW;導(dǎo)通電阻(RDS(on)@Vgs,Id):5Ω@10V,100mA;閾值電壓(Vgs(th)@Id):3V@250uA; |
獲取價格
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NDS332P | 類型:P溝道;漏源電壓(Vdss):20V;連續(xù)漏極電流(Id):1A;功率(Pd):500mW;導(dǎo)通電阻(RDS(on)@Vgs,Id):300mΩ@4.5V,1.1A; |
獲取價格
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MMBFJ175LT1G | FET類型:-;柵源擊穿電壓(V(BR)GSS):-;飽和漏源電流(Idss@Vds,Vgs=0):-;漏源導(dǎo)通電阻(RDS(on)):-;功率(Pd):-; |
獲取價格
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CPH3351-TL-W | 類型:P溝道;漏源電壓(Vdss):60V;連續(xù)漏極電流(Id):1.8A;功率(Pd):1W;導(dǎo)通電阻(RDS(on)@Vgs,Id):250mΩ@10V,1A;閾值電壓(Vgs(th)@Id):2.6V@1mA; |
獲取價格
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MMBF4391LT1G | FET類型:-;柵源擊穿電壓(V(BR)GSS):-;飽和漏源電流(Idss@Vds,Vgs=0):-;漏源導(dǎo)通電阻(RDS(on)):-;功率(Pd):-; |
獲取價格
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