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標簽 > 村田
村田公司是一家使用性能優(yōu)異電子原料,設計、制造最先進的電子元器件及多功能高密度模塊的企業(yè)。不僅是手機、家電,汽車相關的應用、能源管理系統(tǒng)、醫(yī)療保健器材等,都有村田公司的身影。
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型號 | 描述 | 數(shù)據(jù)手冊 | 參考價格 |
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NTR4503NT1G | 類型:N溝道;漏源電壓(Vdss):30V;連續(xù)漏極電流(Id):1.5A;功率(Pd):420mW;導通電阻(RDS(on)@Vgs,Id):110mΩ@2.5A,10V;閾值電壓(Vgs(th)@Id):3V@250uA;柵極電荷(Qg@Vgs):7nC@10V;輸入電容(Ciss@Vds):250pF@24V;工作溫度:-55℃~+150℃@(Tj); |
獲取價格
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MMBFJ177LT1G | FET類型:-;柵源擊穿電壓(V(BR)GSS):-;飽和漏源電流(Idss@Vds,Vgs=0):-;漏源導通電阻(RDS(on)):-;功率(Pd):-; |
獲取價格
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MMBFJ309LT1G | FET類型:-;柵源擊穿電壓(V(BR)GSS):-;飽和漏源電流(Idss@Vds,Vgs=0):-;漏源導通電阻(RDS(on)):-;功率(Pd):-; |
獲取價格
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FDN306P | 類型:P溝道;漏源電壓(Vdss):12V;連續(xù)漏極電流(Id):2.6A;功率(Pd):500mW;導通電阻(RDS(on)@Vgs,Id):40mΩ@2.6A,4.5V; |
獲取價格
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MGSF1N02LT1G | 類型:N溝道;漏源電壓(Vdss):20V;連續(xù)漏極電流(Id):750mA;功率(Pd):400mW;導通電阻(RDS(on)@Vgs,Id):90mΩ@10V,1.2A; |
獲取價格
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FDN327N | 類型:N溝道;漏源電壓(Vdss):20V;連續(xù)漏極電流(Id):2A;功率(Pd):500mW;導通電阻(RDS(on)@Vgs,Id):70mΩ@4.5V,2A; |
獲取價格
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FDN337N | 類型:N溝道;漏源電壓(Vdss):30V;連續(xù)漏極電流(Id):2.2A;功率(Pd):500mW;導通電阻(RDS(on)@Vgs,Id):65mΩ@4.5V,2.2A; |
獲取價格
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NTR5103NT1G | 類型:N溝道;漏源電壓(Vdss):60V;連續(xù)漏極電流(Id):260mA;功率(Pd):300mW;導通電阻(RDS(on)@Vgs,Id):2.5Ω@10V,240mA; |
獲取價格
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NTR4003NT1G | 類型:N溝道;漏源電壓(Vdss):30V;連續(xù)漏極電流(Id):500mA;功率(Pd):690mW;導通電阻(RDS(on)@Vgs,Id):1.5Ω@4V,10mA; |
獲取價格
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MMBFJ176 | FET類型:-;柵源擊穿電壓(V(BR)GSS):-;柵源截止電壓(VGS(off)@ID):-;飽和漏源電流(Idss@Vds,Vgs=0):-;漏源導通電阻(RDS(on)):-;輸入電容(Ciss@Vds):-;功率(Pd):-; |
獲取價格
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NTR4170NT1G | 類型:N溝道;漏源電壓(Vdss):30V;連續(xù)漏極電流(Id):2.4A;功率(Pd):480mW;導通電阻(RDS(on)@Vgs,Id):55mΩ@10V,3.2A; |
獲取價格
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2V7002LT1G | 類型:N溝道;漏源電壓(Vdss):60V;連續(xù)漏極電流(Id):115mA;功率(Pd):225mW;導通電阻(RDS(on)@Vgs,Id):7.5Ω@10V,500mA; |
獲取價格
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NTR5198NLT1G | 類型:N溝道;漏源電壓(Vdss):60V;連續(xù)漏極電流(Id):1.7A;功率(Pd):900mW;導通電阻(RDS(on)@Vgs,Id):155mΩ@10V,1A; |
獲取價格
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MMBF4117 | FET類型:-;柵源擊穿電壓(V(BR)GSS):-;飽和漏源電流(Idss@Vds,Vgs=0):-;漏源導通電阻(RDS(on)):-;功率(Pd):-; |
獲取價格
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NTR4003NT3G | 類型:N溝道;漏源電壓(Vdss):30V;連續(xù)漏極電流(Id):500mA;功率(Pd):690mW;導通電阻(RDS(on)@Vgs,Id):1.5Ω@4V,10mA; |
獲取價格
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BVSS138LT1G | 類型:N溝道;漏源電壓(Vdss):50V;連續(xù)漏極電流(Id):200mA;功率(Pd):225mW;導通電阻(RDS(on)@Vgs,Id):3.5Ω@5V,200mA; |
獲取價格
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FDN308P | 類型:P溝道;漏源電壓(Vdss):20V;連續(xù)漏極電流(Id):1.5A;功率(Pd):500mW;導通電阻(RDS(on)@Vgs,Id):125mΩ@4.5V,1.5A; |
獲取價格
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BVSS84LT1G | 類型:P溝道;漏源電壓(Vdss):50V;連續(xù)漏極電流(Id):130mA;功率(Pd):225mW;導通電阻(RDS(on)@Vgs,Id):10Ω@5V,100mA; |
獲取價格
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FDN340P | 類型:P溝道;漏源電壓(Vdss):20V;連續(xù)漏極電流(Id):2A;功率(Pd):500mW;導通電阻(RDS(on)@Vgs,Id):70mΩ@2A,4.5V; |
獲取價格
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BSS138LT3G | 類型:N溝道;漏源電壓(Vdss):50V;連續(xù)漏極電流(Id):200mA;功率(Pd):225mW;導通電阻(RDS(on)@Vgs,Id):3.5Ω@5V,200mA; |
獲取價格
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MMBFU310LT1G | FET類型:-;柵源擊穿電壓(V(BR)GSS):-;飽和漏源電流(Idss@Vds,Vgs=0):-;漏源導通電阻(RDS(on)):-;功率(Pd):-; |
獲取價格
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FDN339AN | 類型:N溝道;漏源電壓(Vdss):20V;連續(xù)漏極電流(Id):3A;功率(Pd):500mW;導通電阻(RDS(on)@Vgs,Id):35mΩ@4.5V,3A; |
獲取價格
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2N7002K | 類型:N溝道;漏源電壓(Vdss):60V;連續(xù)漏極電流(Id):320mA;功率(Pd):300mW;導通電阻(RDS(on)@Vgs,Id):1.6Ω@10V,500mA; |
獲取價格
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BSS84LT1G | 類型:P溝道;漏源電壓(Vdss):50V;連續(xù)漏極電流(Id):130mA;功率(Pd):225mW;導通電阻(RDS(on)@Vgs,Id):10Ω@5V,100mA; |
獲取價格
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MMUN2114LT1G | 晶體管類型:1個PNP-預偏置;功率(Pd):246mW;集電極電流(Ic):100mA;集射極擊穿電壓(Vceo):50V; |
獲取價格
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MMBT6520LT1G | 晶體管類型:PNP;集射極擊穿電壓(Vceo):350V;集電極電流(Ic):500mA;功率(Pd):225mW; |
獲取價格
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2N7002ET1G | 類型:N溝道;漏源電壓(Vdss):60V;連續(xù)漏極電流(Id):260mA;功率(Pd):300mW;導通電阻(RDS(on)@Vgs,Id):2.5Ω@10V,240mA; |
獲取價格
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SMMBT5551LT1G | 晶體管類型:NPN;集射極擊穿電壓(Vceo):160V;集電極電流(Ic):600mA;功率(Pd):225mW;直流電流增益(hFE@Ic,Vce):80@10mA,5V; |
獲取價格
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NTR4171PT1G | 類型:P溝道;漏源電壓(Vdss):30V;連續(xù)漏極電流(Id):2.2A;功率(Pd):480mW;導通電阻(RDS(on)@Vgs,Id):75mΩ@10V,2.2A; |
獲取價格
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MMBF4393LT1G | FET類型:-;柵源擊穿電壓(V(BR)GSS):-;飽和漏源電流(Idss@Vds,Vgs=0):-;漏源導通電阻(RDS(on)):-;功率(Pd):-; |
獲取價格
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