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標(biāo)簽 > 村田
村田公司是一家使用性能優(yōu)異電子原料,設(shè)計(jì)、制造最先進(jìn)的電子元器件及多功能高密度模塊的企業(yè)。不僅是手機(jī)、家電,汽車相關(guān)的應(yīng)用、能源管理系統(tǒng)、醫(yī)療保健器材等,都有村田公司的身影。
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型號(hào) | 描述 | 數(shù)據(jù)手冊 | 參考價(jià)格 |
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NSV40200LT1G | 晶體管類型:PNP;集射極擊穿電壓(Vceo):40V;集電極電流(Ic):2A;功率(Pd):540mW;集電極截止電流(Icbo):100nA;集電極-發(fā)射極飽和電壓(VCE(sat)@Ic,Ib):135mV@2A,200mA;直流電流增益(hFE@Ic,Vce):300@500mA,2V;特征頻率(fT):100MHz;工作溫度:-55℃~+150℃@(Tj); |
獲取價(jià)格
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MMBFJ111 | FET類型:-;柵源擊穿電壓(V(BR)GSS):-;飽和漏源電流(Idss@Vds,Vgs=0):-;漏源導(dǎo)通電阻(RDS(on)):-;功率(Pd):-; |
獲取價(jià)格
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FDN359AN | 類型:N溝道;漏源電壓(Vdss):30V;連續(xù)漏極電流(Id):2.7A;功率(Pd):500mW;導(dǎo)通電阻(RDS(on)@Vgs,Id):46mΩ@10V,2.7A; |
獲取價(jià)格
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FDN5618P | 類型:P溝道;漏源電壓(Vdss):60V;連續(xù)漏極電流(Id):1.25A;功率(Pd):500mW;導(dǎo)通電阻(RDS(on)@Vgs,Id):170mΩ@10V,1.25A; |
獲取價(jià)格
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2V7002KT1G | 類型:N溝道;漏源電壓(Vdss):60V;連續(xù)漏極電流(Id):320mA;功率(Pd):300mW;導(dǎo)通電阻(RDS(on)@Vgs,Id):1.6Ω@10V,500mA; |
獲取價(jià)格
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MGSF1N03LT1G | 類型:N溝道;漏源電壓(Vdss):30V;連續(xù)漏極電流(Id):1.6A;功率(Pd):420mW;導(dǎo)通電阻(RDS(on)@Vgs,Id):100mΩ@10V,1.2A; |
獲取價(jià)格
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MMBT2369ALT1G | 晶體管類型:NPN;集射極擊穿電壓(Vceo):15V;集電極電流(Ic):200mA;功率(Pd):225mW;直流電流增益(hFE@Ic,Vce):20@100mA,1V; |
獲取價(jià)格
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SMMBT2907ALT1G | 晶體管類型:PNP;集射極擊穿電壓(Vceo):60V;集電極電流(Ic):600mA;功率(Pd):225mW;直流電流增益(hFE@Ic,Vce):100@150mA,10V; |
獲取價(jià)格
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MGSF2N02ELT1G | 類型:N溝道;漏源電壓(Vdss):20V;連續(xù)漏極電流(Id):2.8A;功率(Pd):1.25W;導(dǎo)通電阻(RDS(on)@Vgs,Id):85mΩ@4.5V,3.6A; |
獲取價(jià)格
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NDS351N | 類型:N溝道;漏源電壓(Vdss):30V;連續(xù)漏極電流(Id):1.1A;功率(Pd):500mW;導(dǎo)通電阻(RDS(on)@Vgs,Id):160mΩ@10V,1.4A; |
獲取價(jià)格
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BCW72LT1G | 晶體管類型:NPN;集射極擊穿電壓(Vceo):45V;集電極電流(Ic):100mA;功率(Pd):225mW;直流電流增益(hFE@Ic,Vce):200@2mA,5V; |
獲取價(jià)格
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BSS64LT1G | 晶體管類型:NPN;集射極擊穿電壓(Vceo):80V;集電極電流(Ic):100mA;功率(Pd):225mW;直流電流增益(hFE@Ic,Vce):20@10mA,1V; |
獲取價(jià)格
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SMMBTA56LT1G | 晶體管類型:PNP;集射極擊穿電壓(Vceo):80V;集電極電流(Ic):500mA;功率(Pd):225mW;集電極截止電流(Icbo):100nA;集電極-發(fā)射極飽和電壓(VCE(sat)@Ic,Ib):250mV@100mA,10mA;直流電流增益(hFE@Ic,Vce):100@100mA,1V;特征頻率(fT):50MHz;工作溫度:-55℃~+150℃@(Tj); |
獲取價(jià)格
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BC807-40LT3G | 晶體管類型:PNP;集射極擊穿電壓(Vceo):45V;集電極電流(Ic):500mA;功率(Pd):225mW;集電極截止電流(Icbo):100nA;集電極-發(fā)射極飽和電壓(VCE(sat)@Ic,Ib):700mV@500mA,50mA;直流電流增益(hFE@Ic,Vce):250@100mA,1V;特征頻率(fT):100MHz;工作溫度:-55℃~+150℃@(Tj); |
獲取價(jià)格
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SBC817-40LT1G | 晶體管類型:NPN;集射極擊穿電壓(Vceo):45V;集電極電流(Ic):500mA;功率(Pd):225mW;直流電流增益(hFE@Ic,Vce):250@100mA,1V; |
獲取價(jià)格
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2SK932-24-TB-E | 2SK932 是一款 N 溝道 JFET,15V,5 至 24mA,50mS,CP,適用于高頻低噪音放大器應(yīng)用。 |
獲取價(jià)格
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50C02CH-TL-E | 晶體管類型:NPN;集射極擊穿電壓(Vceo):50V;集電極電流(Ic):500mA;功率(Pd):700mW;直流電流增益(hFE@Ic,Vce):300@10mA,2V; |
獲取價(jià)格
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BC858ALT1G | 晶體管類型:PNP;集射極擊穿電壓(Vceo):30V;集電極電流(Ic):100mA;功率(Pd):225mW;集電極截止電流(Icbo):15nA;集電極-發(fā)射極飽和電壓(VCE(sat)@Ic,Ib):650mV@100mA,5mA;直流電流增益(hFE@Ic,Vce):180@2mA,5V;特征頻率(fT):100MHz;工作溫度:-55℃~+150℃@(Tj); |
獲取價(jià)格
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KST10MTF |
獲取價(jià)格
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BC808-25LT1G | 晶體管類型:PNP;集射極擊穿電壓(Vceo):25V;集電極電流(Ic):500mA;功率(Pd):225mW;直流電流增益(hFE@Ic,Vce):160@100mA,1V; |
獲取價(jià)格
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NSV1C201LT1G | 晶體管類型:NPN;集射極擊穿電壓(Vceo):100V;集電極電流(Ic):2A;功率(Pd):710mW;直流電流增益(hFE@Ic,Vce):120@500mA,2V; |
獲取價(jià)格
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SBC817-25LT1G | 晶體管類型:NPN;集射極擊穿電壓(Vceo):45V;集電極電流(Ic):500mA;功率(Pd):300mW;直流電流增益(hFE@Ic,Vce):160@100mA,1V; |
獲取價(jià)格
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FJV992FMTF | 晶體管類型:PNP;集射極擊穿電壓(Vceo):120V;集電極電流(Ic):50mA;功率(Pd):300mW;集電極截止電流(Icbo):-;集電極-發(fā)射極飽和電壓(VCE(sat)@Ic,Ib):300mV@10mA,1mA;直流電流增益(hFE@Ic,Vce):200@1mA,6V;特征頻率(fT):50MHz;工作溫度:+150℃@(Tj); |
獲取價(jià)格
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2SD1048-6-TB-E | 晶體管類型:NPN;集射極擊穿電壓(Vceo):15V;集電極電流(Ic):700mA;功率(Pd):200mW;直流電流增益(hFE@Ic,Vce):200@50mA,2V; |
獲取價(jià)格
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BC846CLT1G | 晶體管類型:NPN;集射極擊穿電壓(Vceo):65V;集電極電流(Ic):100mA;功率(Pd):225mW;直流電流增益(hFE@Ic,Vce):420@2mA,5V; |
獲取價(jià)格
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2N7002KT7G | 類型:N溝道;漏源電壓(Vdss):60V;連續(xù)漏極電流(Id):320mA;功率(Pd):300mW;導(dǎo)通電阻(RDS(on)@Vgs,Id):1.6Ω@500mA,10V; |
獲取價(jià)格
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NTR4101PT1H | 類型:P溝道;漏源電壓(Vdss):20V;連續(xù)漏極電流(Id):1.8A;功率(Pd):420mW;導(dǎo)通電阻(RDS(on)@Vgs,Id):85mΩ@1.6A,4.5V; |
獲取價(jià)格
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SBC847CLT1G |
獲取價(jià)格
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BCV71 |
獲取價(jià)格
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NSVMMBT5087LT1G | 晶體管類型:PNP;集射極擊穿電壓(Vceo):50V;集電極電流(Ic):50mA;功率(Pd):225mW;直流電流增益(hFE@Ic,Vce):250@100?A,5V; |
獲取價(jià)格
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